【目的】 半導体パッケージに使用される特性を満たすとともに，安価で製造し易く大量生産に適するＣｕとＭｏとからなる放熱基板材料とその製造方法とを提供すること。
【構成】 半導体素子を搭載するパッケージに用いられる放熱基板用材料において，粉末冶金による銅とモリブデンとの焼結複合材からなり，熱間押出して密度比が９９．８％以上，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。この放熱基板用材料を製造するには，銅粉末とモリブデン粉末とを混合し，冷間静水圧プレスし，焼結した後，熱間押出し，圧延して密度比９９．８％以上，熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の特性を有する複合材を得る。 （もっと読む）