【課題】洗浄時における基板表面に与えるダメージを軽減しつつ、充分な洗浄機能を確保する。
【解決手段】多数の毛からなる毛束を有する長尺状のブラシ２２１と、ブラシ２２１が延びる方向と交差する方向に、ブラシ２２１に対して基板Ｂを搬送する搬送ローラと、ブラシ２２１のブラシ毛束５０の先端５０Ｈが、搬送ローラによる基板Ｂの搬送方向下流側に向き、ブラシ２２１のブラシ毛束５０の側部５０Ｆが当該基板Ｂの上面に当接する状態として、ブラシ２２１を支持する支持機構と、支持機構によって支持されるブラシ２２１のブラシ毛束５０に対して処理液を供給する処理液供給ノズル２３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】角部や隅部を有するパターンであっても適切な比較検査ができる差分比較検査方法および差分比較検査装置を提供すること。
【解決手段】パターンに形成された凹状の隅である内角及び凸状の角である外角を、それぞれマスタ画像から検出する。次に、検出した内角近傍の領域である内角領域の範囲を決定する。併せて、検出した外角近傍の領域である外角領域の範囲を決定する。そして、マスタ画像とオブジェクト画像との差分に基づいて比較検査を行う。このとき、マスタ画像における内角領域において、当該マスタ画像が示すパターンの領域より過剰に形成されているオブジェクト画像のパターンの領域である過剰領域に対する差分は除外して比較検査を行う。また、マスタ画像における外角領域において、当該マスタ画像が示すパターンの領域より不足して形成されているオブジェクト画像のパターンの領域に対する差分を除外して比較検査を行う。 （もっと読む）

【課題】前処理を工夫することにより、アッシングを行うことなく、高ドーズの膜をウエット処理で剥離除去することが可能な基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】加熱ユニット１にて、酸素雰囲気中でウエハＷに加熱処理を行ってフォトレジスト膜Ｆをある程度灰化しておき、除去ユニット５にて、ウエハＷに処理液を供給することにより、ウエハＷに被着されたフォトレジスト膜Ｆが高ドーズのものであっても容易に剥離して、完全に除去することができる。その結果、ウエハＷのパターンにダメージを与えることが防止できるので、歩留まり向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ノズルに形成される薬液の析出物による基板の処理不良が十分に防止された基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】基板処理装置は、二重管構造の多機能ノズル５０を備える。。多機能ノズル５０の内流路５０ａは供給吸引管６３を介して供給吸引系Ｒ１に接続されている。また、外流路５０ｂは供給吸引管６４を介して供給吸引系Ｒ２に接続されている。供給吸引系Ｒ１は薬液供給源Ｒ１１、リンス液供給源Ｒ１２、不活性ガス供給源Ｒ１３およびエジェクタＥ１を有する。供給吸引系Ｒ２は薬液供給源Ｒ２１、リンス液供給源Ｒ２２、不活性ガス供給源Ｒ２３およびエジェクタＥ２を有する。このような構成により、多機能ノズル５０の内流路５０ａおよび外流路５０ｂを通して薬液の供給、リンス液の供給、不活性ガスの供給および吸引を選択的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板に付着する汚染物質を速やかに、しかも効率良く除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】前処理ユニット２においてその表面に液膜が形成された基板Ｗは、基板搬送ロボット１２により前処理ユニット２から該前処理ユニット２とは分離して配設された凍結処理ユニット４に搬送される。凍結処理ユニット４では、液膜が凍結されることで、基板表面に付着する汚染物質と基板Ｗとの間の付着力が低減され、さらには汚染物質が基板表面から脱離する。続いて、凍結処理された基板Ｗは凍結処理ユニット４から該凍結処理ユニット４とは分離して設けられた後処理ユニット６に装置内で搬送され、回転される基板上の凍結膜に洗浄液が供給されることで該凍結膜とともに基板Ｗに付着する汚染物質が容易に除去される。 （もっと読む）

【課題】被塗布体である基板上へ異物が落下することを防止する塗布装置を提供する。
【解決手段】ガイド部材は、ステージ上の空間において横断する方向に延設され、ノズルを支持するスライド支持部材がガイド部材に沿って往復移動する。一対のプーリは、ガイド部材の両端位置にそれぞれ配置され、スライド支持部材に連結された駆動ベルトが掛け渡される。プーリカバーは、一対のプーリをそれぞれ覆い、それぞれの内部空間をプーリが配置される第１の空室とその第１の空室に対してガイド部材が設けられている側に設けられる第２の空室とに分割する仕切板を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の端面や裏面の周縁端部が汚染されている場合であっても、その影響を受けることなく基板を好適に熱処理することができる基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板熱処理装置は、熱処理プレート１と、規則的に配置され、基板の下面を当接支持する複数個の第１支持部材１１と、基板Ｗよりやや小径のリング状を呈し、微小空間ｍｓを気密にするシール部１５と、微小空間ｍｓ内の気体を排出するための排出孔１７とを備えている。シール部１５は基板Ｗの周縁端より内側の位置で当接するので、基板Ｗの端面や裏面の周縁端部が汚染されていても、シール部１５が転写により汚染されることはない。このため、クロスコンタミネーションを招くことなく好適に基板を熱処理することができる。さらに、シール部１５と最外周の第１支持部材１１との間に適宜、第２支持部材１３を補充することで、基板Ｗの撓みを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】反りが生じている基板であっても、精度よく温度勾配を基板に形成しつつ熱処理することができる基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】支持部材１１に支持された基板Ｗと熱処理プレート１との間に、微小空間ｍｓが形成される。この微小空間ｍｓをシール部１５により密閉し、排出孔１７からこの微小空間ｍｓ内の気体を排出することで基板Ｗを吸着支持する。これにより、基板Ｗに反りが生じていても、熱処理プレート１との離隔距離を均一に保った状態で基板Ｗを支持することができる。また、各領域Ａ１〜Ａ４に設けられた発熱体Ｈ１〜Ｈ４を制御部４１が個別に操作することにより、基板Ｗに温度勾配を形成しつつ熱処理を行うことができる。このとき、反りが生じている基板Ｗであっても熱処理プレート１との離隔距離が均一となっているため、基板Ｗに精度よく温度勾配をつけることができる。 （もっと読む）

【課題】処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができ、また、それによって得られた測定温度に基づいて正確な温調機構の制御を行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】温度センサとその温度センサによって測定された測温データを蓄積するメモリとを搭載した測温用ウェハを格納するベースステーションを基板処理装置に組み込む。ホットプレートの温度測定を行うときには、搬送ロボットによってベースステーションから測温用ウェハを取り出してホットプレートに搬送し、測定結果をメモリに測温データとして蓄積する。その後、ホットプレートからクールプレートを経てベースステーションに測温用ウェハを帰還させ、メモリから測温データをダウンロードし、それに基づいてホットプレートのヒータの温調制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークが発生する原因となる反応を抑制し、ウォータマークの発生を防止することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに対する薬液処理工程の終了後、遮断板３が離間位置から近接位置に下降される。そして、窒素ガス流通路３５からウエハＷの表面に向けて窒素ガスが供給されるとともに、表面側リンスノズル３４からウエハＷの表面の中央に向けて酸性液が供給される。ウエハＷの表面上に供給された酸性液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面の全域に酸性液が速やかに行き渡り、ウエハＷの表面に付着している薬液が酸性液により洗い流される。このリンス処理工程において、脱酸素処理された酸性液が用いられることにより、ウォータマークが発生する原因となる反応を抑制することができる。 （もっと読む）