【目的】スリット浸漬ノズルの内筒部と外筒部との予熱むらによる亀裂の発生、作業者の個人差による予熱不良に基づく鋼の品質不良、予熱異常などを防止できるスリット浸漬ノズルの予熱装置を提供する。
【構成】タンディッシュ１の下部に装着されたスリット浸漬ノズル１０を予熱炉６で覆い、タンディッシュ１上部に設けられたタンディッシュ予熱バーナ２と予熱炉６に設けられた浸漬ノズル予熱バーナ７とを用いてスリット浸漬ノズル１０を予熱する装置であり、スリット浸漬ノズル１０の内筒の外面温度を測定する熱電対３１と、予熱炉６の炉内温度を測定する熱電対３２と、これらにより測定される温度を所定の基準値と比較し、制御信号を発生する手段３４とを有する。 （もっと読む）

【構成】 半導体プロセスにおいて使用されるダミーウェハにおいて、珪素含浸の炭化珪素からなる基材の表面にアルミナとシリカからなるＣＶＤコーティング膜が設けられており、ＣＶＤコーティング膜の全膜厚が２０〜２００μｍであり、最内層はアルミナ含有率が５０〜７５重量％で、シリカ含有率が２５〜５０重量％であり、最外層はアルミナ含有率が９０〜１００重量％で、シリカ含有率が０〜１０重量％であることを特徴とするダミーウェハ。
【効果】 ＩＣ製造工程において、ダミーウェハの被膜に亀裂と剥離が発生することを抑止する。 （もっと読む）

【目的】 −５５℃〜１５０℃の温度範囲の大きい環境下であっても絶縁抵抗及び耐電圧の初期値を維持できるようにする。
【構成】 誘電体材料Ｐｂ（Ｚｎ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）Ｏ₃ −ＳｒＴｉＯ₃ 系からなる焼結体の面に電極を配置し、電極にリード線を設け、誘電体材料で構成した焼結体と電極をモールド樹脂で被覆したセラミックコンデンサにおいて、上記モールド樹脂に上記誘電体材料と同質の微粉末を含有している。 （もっと読む）

【目的】 反射率を向上させる。
【構成】 耐熱性セラミックス基材１の表面に、ＣＶＤ法によりコーティングされ、上面に研磨を施した所要厚さのＳｉＣ膜３，４を、少なくとも２層積層することにより、下層側のＳｉＣ膜上面の研磨によって、上層側のＳｉＣ膜の結晶の成長や異方性を抑制し、ＳｉＣ膜全体の厚さが厚くなっても欠陥を少なくする。 （もっと読む）