【課題】 ＩｎＮ結晶を分子線エピタキシャル成長法で成長させようとする場合、基板温度が低いと結晶品質が悪く基板温度が高いと窒素が解離してしまう。窒素解離を抑制して基板温度をより高くして成長させるようにする。
【解決手段】基板面にガスを吹き付けることにより窒素解離を防ぎ基板温度を高めて成長させる。ガスは分子線の経路を遮らないようなガスノズルから吹き出させる。ガスを真空チャンバの外側或いは内側において加熱して基板に吹き付けるようにすると、部品表面での組成原子の脱離の防止やマイグレーション距離を制御することもできる。 （もっと読む）

【課題】 酸化物、窒化物、塩化物、フッ化物などの化合物の薄膜を分子線エピタキシー装置で作製する場合、気体材料がチャンバ内に雰囲気ガスとして残留し、他方の材料の分子線セルのるつぼに進入し、気体材料との化合物を作る。化合物になった分は材料の損失となる。材料損失が大きいと、原料の補填のためにたびたび超高真空チャンバを大気圧に戻さなければならず作業能率が悪くなる。
【解決手段】 るつぼ底部または上部に到るようにパージガス導入管を設け、パージガス導入管を通して、不活性ガスをるつぼ内へ吹き込み雰囲気ガスがるつぼ内の材料と接触しないように遮断する。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＮは有害物質を含まず太陽電池、高速素子、センサ材料など将来に希望が持てる材料である。しかし良い結晶成長方法がなくよい試料ができないので物性の研究も進んでいない。分子線エピタキシャル成長法は唯一可能性ある方法であるが窒素抜けのため良質の結晶を成長させることができない。
【解決手段】 分子線エピタキシー装置のマニピュレータの基板加熱を抵抗加熱ではなく赤外光・石英ロッドを用いた光加熱機構とする。石英ロッドによって外部の赤外線ランプで発生した赤外光を成長室の内部へ導き基板を裏面から加熱する。基板と基板ホルダ−との熱容量は小さく赤外線ランプの出力パワーは迅速に変化させることができる。２０℃／秒〜１００℃／秒程度の基板温度変化を与え、低温（５００℃〜６００℃）と高温（８００℃〜９００℃）の間で基板温度を５秒〜２０秒といった短時間で変化させる。 （もっと読む）

【課題】被選択酸化層の酸化量を面内で均一に保ち、酸化量を適正に制御できる半導体酸化装置及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌとＡｓを含む半導体層を備えたメサを含む半導体試料を水蒸気の雰囲気内に配置し、メサの半導体層の周端から半径方向内側に向かって且つ半導体層の中央部を残して酸化することにより半導体層に電流狭窄部とこれに囲まれた電流注入部を形成する半導体素子の製造方法において、半導体層の酸化処理中に酸化処理を中断する工程と、酸化処理が中断されている間に、半導体素子が収容されている容器に設けた観察窓を介して容器内のメサと容器外の観察手段を接近させて対向させる工程と、観察手段で観察された電流狭窄部の大きさ又は電流狭窄部に囲まれた電流注入部の大きさから酸化進行度を求める工程と、酸化進行度から追加酸化量を求める工程と、追加酸化量だけ半導体層を追加酸化する工程を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 従来のＭＯＣＶＤ装置はＧａＮ等の薄膜の形成に用いられるが、基板温度は１０００℃〜１１００℃程度までしか上げられない。１８００℃程度まで基板を加熱して薄膜成長できるような高温気相成長装置を与えることが目的である。
【解決手段】 フローチャネルをカーボン（Ｃ）、モリブデン（Ｍｏ）、パイロリティックグラファイト（ＰＧ）、ＰＧコートカーボン、ＴａＣコートカーボン或いは導電性ＢＮによって作製し、フローチャネルの上側壁に基板を保持するための窓を開けておき、穴開き基板ホルダーによって窓に基板を下向きに保持し、フローチャネル窓の上方に昇降可能に抵抗加熱ヒータを設け上から下に向けて輻射熱を発生して基板とフローチャネルを加熱し、冷却した二つの原料ガスノズルからアンモニアとＴＭＡなどの有機金属ガスの原料ガスを供給して、基板の上にＡｌＮ薄膜を成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】面発光型レーザのメサに成形した部分のＡｌＡｓ層を周囲から酸化し周囲部分をＡｌ_ｘＯ_ｙにする装置であって酸化距離を正確に制御できるようにすること。
【解決手段】抵抗加熱ヒータを内蔵する加熱ステージ７に３本以上の昇降自在のピン３６を設け、酸化終了時にはヒータ加熱および水蒸気含有ガス供給を停止し、ピン３６を押し上げて基板ホルダー６を持ち上げ、加熱ステージ７から基板ホルダー６を切り離し熱容量を小さくしてパージガス４８を吹き付けて水蒸気を追い払って冷却し酸化の進行を直ちに停止させる。 （もっと読む）