ＦＥＴ型ガスセンサーのセンサーシグナルを感応性層での仕事関数の変化により生じさせ、その際、前記仕事関数の変化の読み出しに対して付加的に感応性層の容量の変化を評価する、ＦＥＴ型ガスセンサーでガスを測定する方法。
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本願発明は、特に還元性ガスの検出のためのセンサー、並びにその製造方法及びその運転方法を記載する。ＦＥＴ型ガスセンサーは、少なくとも１つの電界効果型トランジスターと、少なくとも１つのガス感応性層と、基準層とからなり、前記の両方の層の材料がガスと接触する際に生じる仕事関数の変化を、電界効果構造の制御のために使用し、金属酸化物からなる前記ガス感応性層は測定ガスが到達しうる表面に酸化触媒を有する。
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仕事関数の変化により電界効果構造が制御されるガス感応層と参照層とから成るＦＥＴを基礎とするガスセンサであって、その際、これら２つの層の材料が、ターゲットガスに対する仕事関数の変化は起こらず、検出すべきでないガスに対する仕事関数の変化が総和で消えるように相互に調整されている。
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本発明は、生物物質および／または化学物質（Ａ〜Ｉ）が少なくとも２つの画定領域（１１，２１，３１，３１’）に適用されており、どの生物物質および／または化学物質（Ａ〜Ｉ）が画定領域（１１，２１，３１，３１’）のどこに配置されているかを示すコード（１２，３２，３’）が備わっている、検体を分析するための担体媒体（１０，２０，３０，３０’）に関するものである。本発明はまた、以下のステップ、
ａ．第１配列の画定領域（３１）および／または前記画定領域（３１）内における第１配列の生物物質および／または化学物質（Ａ〜Ｉ）を有する一組の同一担体媒体（３０）を製造するステップ、
ｂ．これらの担体媒体（３０）のそれぞれに異なるコード（３２）を割り当てるステップ、
ｃ．前記配列の画定領域（３１）および／または前記画定領域（３１）内における前記配列の生物物質および／または化学物質（Ａ〜Ｉ）を関連するコード（３２）に従って保存するステップ、
ｄ．第２配列の画定領域（３１）、および／または前記画定領域（３１）における第１配列とは異なる第２配列の生物物質および／または化学物質（Ａ〜Ｉ）を選択するステップ、
ｅ．ステップａ〜ｃを第２配列について実施するステップ、
ｆ．ステップａ〜ｃをすでに使用した配列とは異なる次の配列について実施するステップ、
とを備える、担体媒体を製造する方法に関するものでもある。
本発明はまた、担体媒体（３０）における画定領域（３１）ごとに少なくとも１つの光学検知器があり、光学検知器は、担体媒体（３０）がこの装置（５０）に対する読み取り位置に至ると直ちに、検体における画定領域（３１）内の生物物質および／または化学物質（Ａ〜Ｉ）の反応を信号として検知する、請求項１〜１１の１つに記載の担体媒体の読み取り用装置と、以下のステップ、
ａ．検体を担体媒体（３０）に適用するステップ、
ｂ．その担体媒体（３０）を担体媒体（３０）の読み取り装置に対して読み取り位置へ移動させるステップ、
ｃ．その担体媒体（３０）のコード（３２）を管理センターへ送信するステップ、
ｄ．管理センター内でそのコード（３２）を評価して関連のある配列を決定するステップ、とを備える、担体媒体を担体媒体の読み取り用装置で読み取るための方法とに関するものでもある。 （もっと読む）