【課題】金属性薄膜を簡単な製造設備で安価に製造することが出来、光電変換特性に富んだ導電性薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】貯室３３内にある金属化合物（金属単体を含む；以下同様）の溶液をノズル３から噴霧する際に、前記ノズル３とステージ２との間に高電圧を印加する事で、アバランシェ増倍現象によって帯電させた液滴微粒子を生成する。これを飛翔させて基板上に膜層を形成し、この膜層に光、熱などのエネルギーを付加して結晶化させる。この場合に、金属及び／又は金属化合物は、その分子量が５００以下であり、原溶液の溶融粘度は、２５℃の環境下で０．３mPa・s乃至１０mPa・sで、モル濃度が０．０００１乃至０．１モル／リットルであることを特徴とする。これによってノズルから噴霧された金属化合物の液滴微粒子は非繊維状粒子の状態で基板に堆積され、微粒子状態で結晶化される。 （もっと読む）

【課題】金属性薄膜を簡単な製造設備で安価に製造することが出来、光電変換特性に富んだ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】金属化合物（金属単体を含む；以下同様）の溶液を、ノズル供給口３に高電圧を印加して噴霧し、微細な液滴微粒子（ナノサイズ）によって基板２５上に成膜する。このときノズル供給口３から基板２５に飛来する液滴粒子（非繊維状粒子）をグリッド６に衝突させて微細化して基板２５に付着させ、この基板２５上の成膜を熱、光などで結晶化させる。更に上記グリッド６をノズル供給口３に印加する電位と略々同電位にする。これによってノズル供給口３から噴霧された金属化合物の液滴微粒子は非繊維状粒子の状態で基板に堆積され、微粒子状態で結晶化される。 （もっと読む）

【課題】アモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜形成時に潜在的に生成される構造欠陥と、欠陥の電荷捕獲中心への変化を最低限に抑えて、感度が劣化しない大面積Ｘ線検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線に有感な半導体層に、アルカリ金属が０．０１ｐｐｍから１０ｐｐｍの範囲だけドーピングされたアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜４を用いる。これにより、構造欠陥と欠陥の電荷捕獲中心への変化が最低限に抑えられ、感度劣化の殆どないＸ線検出器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 電磁波と可視光とをそれぞれ独立して同時に検出できるようにし、それぞれの信号に対する解析を正確且つ素早く処理できるような電磁波センサを提供することである。
【解決手段】 透明基体２と、この透明基体２上に順に積層される可視光センサ部３および放射線センサ部４と、これら可視光センサ部３と放射線センサ部４との間に形成されるバイアス電極５とを備え、このバイアス電極５と可視光センサ部３に設けられた可視光読取電極３ａとの間で前記透明基体２側から入射した可視光を検出し、前記バイアス電極５と放射線センサ部４に設けられた放射線読取電極４ａとの間で前記透明基体２側から入射した放射線を検出する。 （もっと読む）