【課題】 窒化物半導体紫外線発光素子において、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型クラッド層とｎ電極間の寄生抵抗を、ｎ型クラッド層のＡｌＮモル分率に関係なく低抵抗化し、順方向電圧の低電圧化を図る。
【解決手段】 ｎ型クラッド層６上のｎ型クラッド層６の表面と平行な面内の第１領域に、バンドギャップエネルギが３．４ｅＶ以上のＡｌＧａＮ系半導体層を有する活性層７と、活性層７より上層に位置するｐ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｐ型クラッド層９が形成され、ｎ型クラッド層６上の第１領域以外の第２領域内の少なくとも一部に、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体層からなるｎ型コンタクト層１１が形成され、ｎ型コンタクト層１１のＡｌＮモル分率が０％以上６０％以下の範囲内にあって、且つ、ｎ型クラッド層６のＡｌＮモル分率より小さく、ｎ型コンタクト層６とオーミック接触するｎ電極１３がｎ型コンタクト層１１上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｎ組成変調効果に頼らず活性層に発生する内部電界を緩和して発光効率の低下を抑制した窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】 基板面或いは前記基板面上に形成された１層以上のＡｌＧａＮ系半導体層からなるテンプレート５上に、少なくとも、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体からなるｎ型クラッド層６、１層以上の量子井戸構造のＡｌＧａＮ系半導体の活性層７、及び、ｐ型ＡｌＧａＮ系半導体からなるｐ型クラッド層９が、順番に配置されており、活性層７の少なくとも１層の井戸層７ｂ内部に、ｐ型クラッド層９側からｎ型クラッド層６に向けてバンドギャップエネルギが減少するようにＡｌ組成比に対する組成変調が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内の基板面上に、ガス流の流速バラツキを抑制して供給可能な化学的気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給配管９０，９１から送入されるガスを受け入れて反応室内１００に搬送供給するためのガス流路構造が、送入ガス流の流速を低減させる前段部１０，２０と、減速されたガス流を拡散放出する後段部４０，４１を有し、後段部が、ガス流の流線が４５度以上屈曲する屈曲個所を２個所以上有する屈曲した平板状のガス流路空間４２〜４６を有し、少なくとも１ヶ所以上の屈曲個所においてその上流側と下流側でガス流路空間のガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大している。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内の基板面上に、ガス流の流速バラツキを抑制して供給可能な化学的気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給配管９０，９１から送入されるガスを受け入れて反応室内１００に搬送供給するためのガス流路構造が、送入ガス流の流速を低減させる前段部１０，２０と、減速されたガス流を拡散放出する後段部４０，４１を有し、前段部が送入ガス流を衝突放散させる衝突放散構造部１１，２１と、放散されたガス流を放出口１４，２４に導き後段部に放出する誘導放出構造部１２，２２を備え、衝突放散構造部がガス供給配管に接続する送入口１３，２３より大きく開口して誘導放出構造部に連通する開口部を有する一部開口空間を内包する開放壁構造を備え、誘導放出構造部内のガス流路空間が平板状で容積が一部開口空間より大きく、平板状の広がり方向の端面の一部に放出口を備える。 （もっと読む）