超高分解能走査光学測定装置が開示され、該走査光学測定装置は、光源と、光源から照射された光を集束させる第１レンズと、第１レンズの次に配される第１ピンホールと、第１ピンホールを通過した光を発散させる第２レンズと、第２レンズを通過した光を走査するための走査ユニットと、第２レンズと走査ユニットとの間に配された第１ビームスプリッタと、走査ユニットから出てきた光を第１経路上に配させるものであり、被検体をスキャニングするためのスキャニング・ユニットと、スキャニング・ユニットを通過した光を被検体に集束するための対物レンズと、被検体が置かれるスライドと、光源から照射された後、被検体を通過した光を反射させる光学探針と、スキャニング・ユニットと対物レンズとの間に配された第２ビームスプリッタと、被検体と光学探針とから反射され、第１ビームスプリッタを経由した光を検出するための第１光検出器と、第１ビームスプリッタと第１光検出器との間に配された第２ピンホールと、被検体と光学探針とから反射され、第２ビームスプリッタを経由した光を検出するための第２光検出器とを含む。
（もっと読む）

本発明は、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法に関し、より詳細には、蒸着された薄膜を熱処理時引き起こされる圧縮応力を用いて、単結晶ナノワイヤを製造する方法に関する。このため、基板を提供するステップと、該基板の上に該基板との熱膨張係数の差が２ｘ１０^−６／℃以上の物質の薄膜を設けるステップと、該薄膜の設けられた基板を熱処理して該膜に該基板との熱膨張係数の差による引張応力を引き起こすステップと、該基板を冷却させることによって該膜に圧縮応力が引き起こされ、該物質の単結晶ナノワイヤが成長するようにするステップとを含む、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法を提供する。 （もっと読む）