【目的】 シリコン半導体基体内にアルミニウムドーパント分布を形成する。
【構成】 半導体基体の表面に近い領域にアルミニウムを付着させ、引続き酸化雰囲気下にアルミニウムをドライブインさせる。その際酸素とアルミニウムとの相互作用を低下させるために、アルミニウムを付着させた後及びアルミニウムをドライブインする前に半導体基体１の表面にシリコン層４、５又は酸化珪素層を析出させる。 （もっと読む）

【目的】 二層法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造物の製造を可能とし、その際高い透過性、サブミクロン範囲においてもなお高い解像力及び高感度がもたらされる構造物を製造する。
【構成】 サブミクロン範囲で構造物を製造するに当たり、基板上に、第１又は第２アミンと反応する官能基及びＮブロックされたイミド基を有するポリマー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤と、適当な溶剤 とからなるフォトレジスト層を施し、フォトレジスト層を乾燥し、フォトレジスト層を画像に応じて露光し、露光したフォトレジスト層を熱処理し、こうして処理したフォトレジスト層を水性アルカリ又は有機現像剤で現像してフォトレジスト構造物とし、フォトレジスト構造物を、第１又は第２アミンを含む化学試薬で処理し、その際現像時に一定の暗損傷を２０〜１００ｎｍの範囲で起こさせる。 （もっと読む）