説明

日本カニゼン株式会社により出願された特許

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【課題】室温から高温領域にわたる広い温度範囲において高い硬度を有し、摺動性および靭性に優れ、しかも高速で形成することができるめっき皮膜、および上記めっき皮膜で摺動部分を被覆した、広い温度範囲で硬度が高く、摺動特性に優れた機械部品を提供すること。
【解決手段】Coを1〜50質量%、Wを1〜20質量%、Pを1〜5質量%含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき皮膜。摺動部分を有する機械部品。少なくとも前記摺動部分を上記皮膜で被覆する。Niイオンを0.03〜0.1mol/L、Coイオンを0.01〜0.05mol/L、WO4イオンを0.01〜0.05mol/L、リン化合物を0.15〜0.30mol/L含有する無電解めっき浴。 (もっと読む)


【課題】色調および耐磨耗性に優れた無電解ニッケル黒色めっき膜を提供すること。
【解決手段】無電解ニッケル黒色めっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬してめっき膜を形成し、前記めっき膜に黒色化処理を施し、前記めっき膜を黒色保持処理に付し、次いで、前記黒色保持処理後のめっき膜を100〜300℃の範囲の温度で熱処理する。X線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角2θ=46〜49°に回折ピークを有する無電解ニッケル黒色めっき膜。 (もっと読む)


【課題】シリカ、酸化鉄その他の微粒子を含む気体を取り扱う回転機械において、気体中に含まれる微粒子の付着を効果的に抑制すること。
【解決手段】この動翼23は、第1フッ素樹脂含有めっき皮膜12と、この表面に成膜される第2フッ素樹脂含有めっき皮膜14とを含む。第1フッ素樹脂含有めっき皮膜12は、第1めっきマトリックス13Mによって第1フッ素樹脂粒子13Pを含有し、かつ第1フッ素樹脂粒子13Pの一部は、第1めっきマトリックス13Mの表面から露出する。第2フッ素樹脂含有めっき皮膜14は、前記第1フッ素樹脂粒子13Pよりも直径が小さい第2フッ素樹脂粒子14Pが、第2めっきマトリックス13Mに含有され、かつ第2フッ素樹脂粒子14P及び前記第1フッ素樹脂粒子13Pの一部は、前記第2めっきマトリックス14Mの表面から露出する。 (もっと読む)


【課題】シリカ、酸化鉄その他の微粒子を含む気体を取り扱う回転機械において、気体中に含まれる微粒子の付着を効果的に抑制すること。
【解決手段】この動翼23は、蒸気タービンに用いられる。動翼23は、その表面に設けられる金属の中間めっき皮膜11と、この中間めっき皮膜11の表面に設けられるフッ素樹脂含有めっき皮膜12とを含む。フッ素樹脂含有めっき皮膜12は、フッ素樹脂粒子13PがNi基の金属からなるめっきマトリックス13Mに含有され、かつフッ素樹脂粒子13Pの一部は、めっきマトリックス13Mの表面から露出している。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき処理と同様に、複雑な形状やパイプ等の内面にも均一にコーティングでき、かつ比較的薄い膜厚であっても、高い耐蝕性を付与することができるフッ素樹脂コーティングを有する無電解めっき皮膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき皮膜または無電解複合めっき皮膜上に、膜厚が5μm以下のフッ素樹脂膜を有するめっき皮膜。前記フッ素樹脂膜を有するめっき皮膜は、中性塩水噴霧試験(JIS H8502)においてレイティングNo.8になる迄の時間が150時間以上である耐蝕性を有する。表面の少なくとも一部に上記皮膜を有する物品。無電解めっき皮膜または無電解複合めっき皮膜上に、膜厚が5μm以下のフッ素樹脂膜を有するめっき皮膜の製造方法。前記フッ素樹脂膜を、フッ素樹脂粒子をカチオン系界面活性剤で水中に分散した溶液を用いて形成する。 (もっと読む)


【課題】初期摺動特性等の諸特性が改善された無電解ニッケルめっき膜を提供すること。
【解決手段】表面にリン酸塩被膜を有する無電解ニッケルめっき膜の形成方法。硫黄含有化合物を含む無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を所定時間浸漬して無電解ニッケルめっき膜を形成し、次いで、前記無電解ニッケルめっき膜をリン酸塩溶液と接触させることにより前記無電解ニッケルめっき膜上にリン酸塩被膜を形成する。表面にリン酸塩被膜を有することを特徴とするニッケル合金めっき膜。 (もっと読む)


本発明は、広範囲多ピン化及び狭ピッチ化に対応するために必要な、高さばらつきの少ない高アスペクト比のドーム型バンプの形成を可能にする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴、異方成長ニッケルバンプを有する製品の形成方法、異方成長ニッケルバンプが形成された物品及び無電解ニッケルめっき浴用異方成長促進剤を提供することを目的とする。本発明は、異方成長促進効果を有する量の異方成長促進剤を含有することを特徴とする異方成長バンプ形成用無電解ニッケルめっき浴を提供する。
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