【課題】シリコン結晶のドーパントによる抵抗調整精度を向上し、結晶歩留向上と原材料費コストダウンとを実現することができるシリコン結晶成長用ルツボとその製造方法、及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶成長用ルツボＣは、貯留するシリコン融液との接触面にシリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１、溌液層Ｃ２、石英ガラス層Ｃ３、カーボン層Ｃ４から構成され、シリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１の製造方法は、原料ＳｉＣ粉末を、シリコン融液を貯留する空間を有する形状に成形するＳｉＣ粉末成形工程と、成形されたＳｉＣ粉末成形体を焼成し多孔質ＳｉＣ層を形成する焼成工程と、多孔質ＳｉＣ層に溶融したシリコンを含浸させ、シリコン含浸ＳｉＣ層を形成するシリコン含浸工程とを有する。前記シリコン含浸工程は、シリコン結晶引き上げ前のシリコン原料を加熱溶融する時に行っても良い。 （もっと読む）

【課題】複雑な成形や凸部の多い成形体等も容易に成形可能であり、焼成前の予備加工も可能なセラミックス成形体とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素等のセラミックス粉末に主として糖系のバインダと水を加えて攪拌して、流動性を有した水性のスラッジを形成し、このスラッジを弾力性のある型に注型する。負圧状態で振動を加えながら成形し、前記スラッジが注型された前記型を、凍結乾燥させる氷点下の温度であって前記バインダが完全には凍結しない温度で、前記スラッジを固める。この後、負圧状態で解凍するとともに前記バインダ中の水分を昇華及び蒸発させ、前記型内で固まった成形物を前記型から取り出し、前記バインダ中の糖が溶ける温度に昇温し前記成形物をさらに脱水し、前記成形物を焼成する。 （もっと読む）