本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
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本発明は，基板をコーティングする装置に関し，真空チャンバーと，内部がコートされる基板を受ける様に設計された真空チャンバーと，粒子の衝撃により装置の動作の間に除去されるように意図された少なくとも一つのスパッタリングターゲットを有し，少なくとも一つの窓が，前記真空チャンバーの壁に配置され，そして，前記スパッタリングターゲットの摩滅を判定する装置を有し，前記真空チャンバーの外側の少なくとも一つの予め規定されたポイントと，前記スパッタリングターゲットの表面の少なくとも一つの予め規定されたポイントとの間の距離を光学的に測定する側的装置を有し，前記測定装置が，更に視差オフセット及び/又は幾何学的歪みを修正できる評価装置を有する。さらに，本発明は，対応する方法に関する。 （もっと読む）

半径ｒ_maxを有する穴を有する基板をクランピングするための調心ピン構成は、本質的に半円形の断面Ｋを有する２つのボルト（２、３）を含み、前記ボルトは半径ｒ₂およびｒ₃をそれぞれ有する。前記半径ｒ₂およびｒ₃は異なるとともに、ボルト（２、３）の少なくとも一方が穴の半径ｒ_maxと等しいかそれより大きい半径を有する。別の実施例では、半径ｒ₂およびｒ₃の両方が穴の半径ｒ_maxよりも大きい。
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本発明に係る方法は、複数のディスク状基板を接合する方法に関し、第１および第２の基板を提供するステップと；第１および第２の接合表面上に液体接着剤を塗布するステップと；ラッカの粘性を増大させるために、第１および第２の基板の少なくとも一方の接着ラッカが塗布された表面に紫外線光を照射するステップと；真空下で基板を接合して接合層を形成するステップと、接合ディスク間にあるラッカの粘性を増大させるために、接合ディスクに紫外線光を照射するステップと；接合基板を回転可能チャック上に配置するステップと；５００ｒｐｍより大きい回転速度で接合基板を回転させるステップと；２つの基板の一方に接合層全体を残した状態で基板を分離するステップとを有する。
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第１工程で基板上の液体を熱的に調整し、例えば半導体ウエハやデータ記憶メディアの上で、粘性のある液体を基板の表面上に所定の領域で均一になるように拡げ、更なる２つの工程で、スピンコートプロセス中またはプロセス前にＵＶ照射を行うための方法および装置が示されている。
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【課題】 本発明は、ベンチュリ効果を使用して、被加工部材を保持し、保持力の方向及び／又はそれと垂直な方向に被加工部材を搬送する装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記目的を達成するため、被加工部材の表面の開口部に係合された保持プラグと、上記被加工部材の保持サイドの平面に面し、上記表面に平行な平面である、上記保持プラグを囲む保持面と、上記保持プラグの領域に配置され、さらに上記被加工部材の表面及び平坦かつ平行の領域部分間に形成されたギャップを介してガス流れを発生させるためのスペースにガス若しくはガス混合物を注入するためのガス供給とを設ける。
本発明によれば、装置と被加工部材との間でガス流れのベンチュリ効果を使用することにより、開口部を備える被加工部材をリフトし、保持し、そして搬送することができる。 （もっと読む）