【課題】 廃棄処理に際して環境汚染の問題が生じることなく、安価な紫外線光源を実現するとともに、高い点灯性を得て実用化を可能とする。
【解決手段】 紫外線光源１に封入された放電ガス３の成分が、窒素ガス（Ｎ_２），アルゴン（Ａｒ），ヘリウム等であり、Ｎ_２とＡｒとの混合比が０．１：９９．９〜３０：７０、内部圧力が１００〜１０００Ｐａである。この紫外線光源１は、化学反応促進装置１０においては、被反応物２１そのものの中に投入される。マグネトロン発振器１１から出力されたマイクロ波は、被反応物２１と紫外線光源１に照射される。この照射を受けて紫外線光源１は、被反応物２１の中に位置して紫外線を放出し、これを被反応物２１に照射する。これら紫外線とマイクロ波の照射により、被反応物２１の化学反応が促進される。 （もっと読む）

【課題】膜の成長量を精細に制御可能として生成膜の平坦性及び結晶性と成膜速度とを同時に有効に高めることができる金属窒素化合物のＭＢＥ成膜方法及び装置を提供すること。
【解決手段】固体金属用分子線セル１１の出口部分に配置したシャッター１２の周期的開閉動作と同期して、窒素励起セル２１の励起コイル２４へのＲＦ電力投入量を切替えることにより該窒素励起セル２１をＬＢモードとＨＢモード間で切替え、固体金属用分子線セル１１から成長室内の基板５に所定量の金属分子線を照射すると同時に窒素励起セル２１から金属分子と反応しない窒素励起分子線を照射する一方、基板５への金属分子線の照射期間とオーバーラップするか又は該金属分子線の照射停止後の一定期間中、ＬＢモードからＨＢモードに切替えた窒素励起セル２１から上記基板５へ所定量の窒素活性種を照射するようにして成長量を精密に制御可能とする。
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【課題】 基板近傍だけでプラズマを効率的に発生させるとともに、不純物混入の防止、装置の小型化、消費電力の低減を実現して、半導体デバイス製作に必要な単結晶ダイヤモンドの合成に適したダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 放電室１０を球状に形成し、この内面１１を鏡面仕上げとする。放電室１０の半径は、導入されるマイクロ波の波長の３／４の長さとする。そして、胴部が絶縁部材（石英）で囲まれた同軸アンテナ２１の先端には基板ホルダ３０が載せられ、さらにその上に処理対象物Ａが載せられる。この基板ホルダ３０あるいは処理対象物Ａは、放電室１０の中心に位置する。同軸構造２０の底部は真空シール部４０で完全メタルシールされている。 （もっと読む）

【課題】 窒化炭素以外のマトリックス中に担持された状態ではない粉体（粉末）の窒化炭素（即ち、粉体を構成する１の粉の全体が炭化窒素により形成されるもの）の製造方法を提供する。
【解決手段】窒素ガスに所定のマイクロ波を放射して発生させた窒素プラズマに、炭素を含有する炭素含有材を接触させることを特徴とする、炭化窒素の製造方法である。窒素プラズマ中にて前記炭素含有材の表面から火花放電を生じさせるものであってもよい。前記窒素プラズマを発生させる前に、アルゴンガスに所定のマイクロ波を放射してアルゴンプラズマを発生させ、該アルゴンガスを前記窒素ガスに置換することで前記窒素プラズマを発生させるものであってもよい。 （もっと読む）