【課題】サブストレート上に交差した導電あるいは半導電アクセス・ラインのクロスバー・アレイを実現する。
【解決手段】絶縁体４上の、サブストレート２に平行な平面に、導電あるいは半導電材料で実現された相互に平行な複数の第一のライン１１からなる第一のレベル２０のライン１１と、ライン１１上に、第一のライン１１に対して実質的に直角な、導電あるいは半導電材料で実現された相互に平行な複数の第二のライン１７からなる第二のレベル２１のライン１７とで構成され、サブストレート２上に、実質的に長方形の第一のキャビティを形成するステージと第一および第二のキャビティが相互に直角に交差して、その結果としてキャビティが形成されるよう、第一のキャビティに重ねて実質的に長方形の第二のキャビティを形成するステージを含む。 （もっと読む）

本発明は、軌道を横切るビート作用によって、溶液中で経路に沿って微粒子（２）を推進させることができる少なくとも１つの長方形の可撓性テイル（６）であって、前記テイルが、このために少なくとも１つの磁気素子を備え、前記磁気素子が、経路に対して非同一直線上の外部交番磁界によって前記テイル（６）にビートを生じさせる、テイル（６）と、テイルの近位端部に機械的に接続されたヘッド（４）とを含む微粒子（２）に関する。微粒子（２）は、一体成形で作製されかつ前記テイル（６）と前記ヘッド（４）とを含む材料の少なくとも１つの層を含み、前記ヘッド（４）の寸法および／または形状は、前記テイル（６）の近位端部のビートが、テイル（６）の遠位端部のビートに対して制限されるように、かつ前記ヘッド（４）が、外部交番磁界への暴露を受けたときに、経路に平行な軸の周りを完全に一周しないように選択される。
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本発明は、長軸(ＡＡ')に沿う軸方向の対称性を持つ真空気密チェンバー(２)、
軸(ＡＡ')に関して回転対称性を持つ磁場を発生させるための手段(３、４、５、６)、そ
して高周波を伝搬するための手段からなるＥＣＲイオン・ゼネレータ(１)に関する。チェンバー(２)は、イオンが生成されるイオン化ゾーン(１０)を持つチェンバー(２)の一端にイオン化第一ステージ(７)、ゾーン(１０)内で軸(ＡＡ')にほぼ平行な磁場、そして伝搬
手段から来る第一の高周波を使用する生成されたイオンを磁気的に閉じ込めるための第二のステージ(８)を持つ。磁場が、ゾーン(１０)と第二のステージ(８)との間で軸(ＡＡ')
にほぼ平行であるため、ゾーン(１０)内で生成されたイオンは、第二のステージ(８)の方へ移動する。また、第一および第二のステージ(７、８)は、同じＤＣプラズマを含む。 （もっと読む）

本発明は、非強磁性中間層によって分離された第一の強磁性層および第二の強磁性層を含む少なくとも一つの第一の磁気抵抗スタック（ＭＴＪ１）、そして第一（Ｎ３）および第二（Ｎ２）レベルのメタライゼーションに各々属する少なくとも一つの第一（１９）および一つの第二（１８）の電流ラインからなる磁気構造を含む「論理関数」実行のためのデバイス（９）に関する。二つのラインの各々は、電流がそれを通って流れると第一のスタックの近くに磁場を発生させる。なお、強磁性硬層は、基準として機能する固定磁束に留められる。第一および第二のライン（１９、１８）は、第二の強磁性層の種々の距離に配置されるが、それら種々の距離は「論理関数」によって決定される。 （もっと読む）

本発明は、磁気構造からなる、「論理関数」を実行するためのデバイス（９）に関する。磁気構造は、非強磁性中間層によって分離された第一の強磁性層および第二の強磁性層を含む少なくとも第一の磁気抵抗スタック（ＭＴＪ３）、そして前記第一の磁気抵抗スタック（ＭＴＪ３）の近くに位置して、電流が通過するときに第一のスタック（ＭＴＪ３）の近くに磁場を発生させる電流のための少なくとも一つの第一のライン（３２）からなる。第一のライン（３２）は、少なくとも二つの電流入力点を含むため、第一のライン（３２）で二つの電流が加算される。そして二つの電流の和が前記論理関数によって決定される。 （もっと読む）