【解決手段】
中性子検出デバイスは、アクティブ半導体層に近接配置される中性子変換層を含む。前記デバイスは、既存する従来型の半導体メモリデバイスを変形したものに基づくのが好ましい。前記デバイスは、ＳＯＩ基板を含む従来型のＳＲＡＭメモリデバイスを使用する。前記ＳＯＩ基板はアクティブ半導体層と、ベース基板と、前記アクティブ半導体層と前記ベース基板の間に位置する絶縁層とを有する。前記ベース基板層は、粗研磨（ラッピング）、研磨、及び／またはエッチングによって、前記メモリデバイスから取り除かれ、前記絶縁層が露出される。次に中性子変換層が前記絶縁層上に形成される。中性子変換層は、次に前記絶縁層上に形成される。前記中性子変換層が前記アクティブ半導体層に近接配置されることにより、デバイスの検出感度を大幅に向上させる結果となる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 本発明はデバイス及びそれを作成する方法に関するものである。前記デバイスは光信号用の経路を支持するのに適した基板を含み、光信号を伝搬するのに適する前記基板上に分離経路が配置され、前記経路は入力及び出力光経路を含み、さらに前記入力及び出力経路に作動的に接触する反射面を含む。前記デバイスを作成する方法は、単一基板に２つの分離光経路（１つは入力経路であり、別のものは出力経路）を提供する工程と、前記経路に動作的に接触する反射面を提供する工程であって、入力光信号が前記光経路を通過し、前記反射面によって前記出力経路へ反射され、前記出力経路を通り抜け、それにより前記デバイスが同一若しくは同様の従来技術デバイスによって要求されるスペースの少なくとも１／５であるスペースで、約１．０ｄＢ若しくはそれ以下の損失のチタン拡散経路を持つニオブ酸リチウム基板上に作成することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、制御された流体力を使って生化学的結合アッセイの能力を改善する方法を説明するものである。この場合、標的分子は特異的な分子認識により、親和性コーティングを伴った基板表面に捕捉されたのち、前記標的との第２の特異的な分子認識反応を使って検出可能なマイクロメートルスケールの粒子により標識化される。特定範囲の標識サイズおよび層流条件を採用すると、表面に結合された分子をその結合強度に応じて選択的に除去するよう制御された流体力を標識粒子に適用することができ、これにより特異的に結合された標的の、それより弱い付着力で非特異的に結合した標識に対する比を増加することができる。この方法は、多種多様な標識タイプおよびそれに関連した検出方法との併用が可能で、これにより、広範囲な結合アッセイの感度および選択性を改善することができる。 （もっと読む）