説明

テクニッシェ ユニヴァージテート デルフトにより出願された特許

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本発明は伸び広がり特性が最小の高精度適用または外科適用の器具に関する。この器具は、先端に位置する方向追従性のある頭部と、頭部が配置されたシャフトと、基端に位置し頭部を操作する握り部とを備え、縦方向に延びるケーブルで構成されたケーブルリングが頭部に接続され、ケーブルリングの各ケーブルは両側の少なくとも一部においてケーブルリングの他のケーブルと直接接するように配置され、またケーブルは径方向に固定される。 (もっと読む)


本発明は反応を起こさせるため少なくとも2つの窪み群を備えたウエハで構成されたデバイスに関する。発明によるデバイス1によると、デバイスの1つの層の溝2によって窪み8は互いに熱的に分離されるが、一方、溝で分離された部分は局部的にブリッジ4で結合される。この方法でデバイスは良好な機械的強度と良好な熱絶縁とを併せ備える。 (もっと読む)


本発明は少なくとも光源と、被検査物体用キャリアと、照明された物体を記録する検出器と、操作の間に主として、光源から物体に、さらに物体から検出器に通る光通路とで構成される光学顕微鏡に関し、等間隔の穴アレイを設けた金属薄膜が光源と物体との間の光通路に配置され、物体のキャリアはキャリア面で物体を調節する駆動装置を備え、金属薄膜の穴の直径は約250nmよりも小さくし、駆動装置はキャリア面に垂直な方向に物体用キャリアを調節するよう構成され、物体の立体像を構成するため検出器に接続された処理装置が設けられる。 (もっと読む)


本発明は基板に付着される半導体材料に少なくとも1つのナノチャンネルを製造する方法に関し、半導体材料にエッチング処理を行なうとともに、カバリング層を基板に取り付けるように前記基板に結合処理を行なう方法であり、この結合処理において半導体材料を結合剤として適用し、エッチングに先立ち、電極形成のため半導体材料に局部的にドーピングを行なう。 (もっと読む)


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