【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上への窒化物半導体薄膜の形成時における、熱膨張係数差から生じる熱応力および多孔質シリコンの構造変化に起因したピットの問題を解消し、更に該被膜に生じる反りと応力を低減できる、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供。
【解決手段】シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 （もっと読む）

【課題】電解酸化法によってシリコン単結晶基板上に多孔質層を形成する際、該多孔質層の表面が平坦化するようシリコン単結晶基板の（１１１）面方位のみを表面に残し、かつ、該（１１１）面方位の一部を選択的にエッチングでき、エッチング孔径及び孔密度等、適切に制御された三角柱状孔を生成し、多孔質層を形成する方法を提供すること。
【解決手段】１Ω・ｃｍ乃至１００Ω・ｃｍの範囲の体積抵抗率を有するＮ型のシリコン単結晶基板を、所定濃度の水／フッ酸／エタノール混合溶液を電解液として用い、陽極酸化する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上への窒化物半導体薄膜成長時における、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、該薄膜の歪み、および熱応力に伴うクラック・反りの問題を低減した、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供すること。
【解決手段】 シリコン単結晶基板片面上に、相対的に多孔度の高い第２多孔質シリコン層および酸化膜除去された相対的に多孔度の低い第１多孔質シリコン層が順次設けられてなることを特徴とする窒素化物半導体形成用基板およびシリコン単結晶基板片面を、電解液中で相対的に低い電流密度で陽極酸化することによって、相対的に低い多孔度の第１多孔質シリコン層を形成する工程、電解液中で相対的に高い電流密度で陽極酸化することによって、シリコン単結晶基板と前記第１シリコン層の間に相対的に高い多孔度の第２多孔質シリコン層を形成する工程、前記第１多孔質層シリコン層および第２多孔質シリコン層を形成した後、酸化膜を除去する工程を含む窒化物半導体形成用基板の製造法。 （もっと読む）

【課題】バルクシリコン基板の高周波特性の悪さ、ＳＯＩ基板製造プロセスの複雑さ、そしてゲッタリング特性を改善した擬似的なＳＯＩ基板ウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質シリコン層を、高抵抗層とみなし、更にはゲッタリング層として機能させたシリコン薄膜／多孔質シリコン／シリコン基板からなる３層構造体を、擬似的なＳＯＩ基板として利用する。前記多孔質シリコン層が、少なくとも異なる２つの多孔度を有する多孔質シリコン層であり、前記シリコン基板側に形成された多孔質シリコン層が高多孔性であり、シリコン薄膜側が低多孔性であることが好ましい。 （もっと読む）