説明

ポステック・ファウンデーションにより出願された特許

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【課題】本発明は、GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、金属保護膜層と金属支持層により水平型発光素子の特性を高めることのできる垂直型GaN発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、垂直型GaN−LEDの側面及び/または下面に10ミクロン以上の厚い金属保護膜層を形成して外部の衝撃から素子を保護することができ、チップ分離を容易に行うことができる他、サファイア基板の代わりに金属基板を用いて素子動作時に生じる熱放出を容易に行うことができることから、高出力素子に用いて好適であり、しかも、光出力特性が向上した素子を製造することができ、金属支持層を形成してチップの分離時に素子が歪んだり衝撃により損傷されたりするような現象を防ぐことができ、p型電極をp−GaN上に網目状に部分的に形成して活性層において形成した光子がn−GaN層に向かって放射されることを極大化させることができる。 (もっと読む)


【課題】高電子移動度トランジスタのT−ゲート形成方法及びそのゲート構造を提供する。
【解決手段】半導体基板上に互いに異なる電子ビーム感度を有する第1レジスト、第2レジスト及び第3レジストを塗布する第1段階と、電子ビームを用いた第1露光工程を行った後、前記第3レジストを選択的に現像する第2段階と、前記第3レジストが選択現像された幅よりも相対的に広い領域の前記第2レジストを選択現像してゲート頭402領域を画定する第3段階と、前記第3レジスト及び第2レジストがそれぞれ選択現像された半導体基板上に電子ビームを用いた第2露光工程を行った後、前記第1レジストを前記第2段階及び第3段階の現像よりも相対的に低温で選択現像する第4段階と、前記選択現像されたレジストに沿って金属物質を蒸着した後、前記レジストを除去して前記ゲート頭及びゲート脚404を有するT−ゲートを形成する第5段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】表面誘導された選択的な自己集合過程によって大面積にわたって規則的な配列の形成が可能であり、低い電気抵抗と優れた電界効果を有する、高性能、高集積化された超分子トランジスター、超分子発光素子及び超分子バイオセンサーなどの次世代超分子有機電子素子に有用な、自成核型自己集合による単結晶共役高分子ナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法によって製造された表面誘導自己集合によって成長された単結晶共役高分子ナノ構造体は、選択的な表面誘導による自己集合過程によって大面積に規則的な配列が可能であり、低い電気抵抗と優れた電界効果を提供して、高性能かつ高集積化された超分子トランジスター、超分子発光素子及び超分子バイオセンサーなどの次世代超分子有機電子素子に有用に適用され得る。 (もっと読む)


本発明は、金属電極の形成方法及び半導体発光素子の製造方法に関する。本発明は、半導体層上に接合金属層及び反射金属層を形成するステップと、熱処理工程を行うことにより、接合金属層と反射金属層を層反転させて、金属電極を形成するステップと、を含む金属電極の形成方法及び半導体発光素子の製造方法を提供する。このような層反転現象を用いて、半導体層と反射金属層を含む電極間の界面特性を高めることができ、層反転を通じて反射金属層が半導体層上に均一に分布して高い反射度が得られ、層反転を通じて反射金属層の外部拡散を防止して電極の熱的安定性を増大させることができ、また、酸素雰囲気における熱処理を通じてホールを生成するアクセプターを増大させて接触抵抗を下げることができる。
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本発明は、基板の上に発光構造を有する半導体層を形成するステップと、前記半導体層の上に接合層、反射層及び保護層を順次に積層するステップと、熱処理工程を行うことにより前記接合層と反射層との間にオーミック接合を形成し、前記保護層の少なくとも一部に酸化膜を形成してオーミック電極を形成するステップと、を含むオーミック電極の形成方法及びこれを用いた半導体発光素子に関する。このような本発明は、光反射度に優れたAg、Al及びこれらの合金から反射層を形成することから、光利用率が向上する。また、半導体層と接合層との接触抵抗が小さなことから、高出力のための大電流を印加し易い。また、保護層が反射層の外部拡散を抑えることから、熱的安定性が高くなる。さらに、AuやPtなどの高価な金属を用いることなく、高出力が可能であることから、製造コストが節減される。
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【課題】燃料電池の電極に活用できるナノ多孔性タングステンカーバイド触媒及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 タングステンカーバイド結晶粒子を含み、平均径が2nmないし5nmほどであり、触媒1g当たり体積が0.08ないし0.25cmである細孔を含む多孔性タングステンカーバイド触媒及びその製造方法、該触媒を適用した電極、及び該触媒を適用した直接メタノール燃料電池または高分子電解質膜燃料電池のような燃料電池である。これにより、電気化学反応の活性が高く、一酸化炭素に対する耐被毒性にすぐれ、燃料電池の電極に長期間使用しても、高い活性を維持できるだけではなく、表面積が広くて金属活性成分を好ましく分散させることができ、従来の貴金属触媒よりさらに少量の金属活性成分を使用しても、一層高い触媒活性を得ることができ、燃料電池用電極とこれを採用した燃料電池とをさらに低コストで製造可能とする。 (もっと読む)


【課題】チタンの代わりに、亜鉛酸化物を含む光触媒を提供すること。
【解決手段】本発明は酸化亜鉛(ZnO)ナノ細線を用いた近接場光触媒に関する。本発明の光触媒は、従来の光触媒に使用されて来たチタンを安価の亜鉛で取り替えて費用節減の効果を得ることができるだけでなく、酸化亜鉛ナノ細線の先端に発生する光近接場(optical near field)を用いることで、別途の外部電圧を印加する必要なしに、水素発生に十分な過電圧を得ることができるので、白金のような高価の電極の使用を避け、工程を単純化することができる利点がある。 (もっと読む)


【課題】機械的設置誤差及び駆動方向と測定方向との間の不一致による誤差を低減できる、面積変化測定方式の接触型容量性変位センサを提供する。
【解決手段】本発明の接触型容量性変位センサは、固定平板と、前記固定平板上に形成されて周期性パターンの導電体を有する固定導電性パターンとを備える固定要素と、移動平板と、前記移動平板上に形成されて周期性パターンの導電体を有する移動導電性パターンを備え、前記固定要素と互いに接触し、相互に対して相対的変位を起こすように移動可能な移動要素と、電力を前記センサに供給する電源と、前記固定要素と前記移動要素との間の電気容量の変化を検出する信号検出手段とを含む。前記固定要素及び前記移動要素は、それぞれ対応する導伝性パターンと関連する絶縁膜を有し、上記固定導電体と上記移動導電体が相対的に移動する時に、これらの間で重なった領域が変動するにつれてこれらの間で前記電気容量の変動が発生する。 (もっと読む)


発光層に対して垂直成長した透明伝導性ナノロッドを電極として用いる、透明伝導性ナノロッド型電極を含む発光素子が開示される。したがって、電極で光が吸収されず、ナノロッドのナノ接合によってトンネリングが起り易くて電流注入効率が増加するうえ、内部全反射が減少するので、本発明に係る発光素子は、金属電極または透明薄膜電極を含む従来の発光素子より優れた発光特性および発光効率を持つ。
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【課題】水性媒質において優れたゲル化特性を示すゲル化剤;前記ゲル化剤を用いて製造されたヒドロゲル;及び前記ヒドロゲルを含む薬物送達システムを提供する。
【解決手段】薬物送達システムは、ビオチンのカルボキシル基とアミノ酸のα−アミノ基とがアミド結合で連結されたビオチン−アミノ酸複合体;前記ビオチン−アミノ酸複合体を水性媒質に溶解させて製造されたヒドロゲル;及び前記ヒドロゲル及びその中に組み込まれた薬物を含む。 (もっと読む)


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