【課題】垂直異方性自由層およびサイドシールドを備えた磁気センサを開示する。
【解決手段】トンネル磁気抵抗再生素子は、下部磁気シールドから上部磁気シールドを隔てるセンサスタックを含む。センサスタックは、基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と、基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素とを含む。非磁性スペーサ層により基準磁気要素が自由磁気要素から隔てられる。第１のサイド磁気シールドおよび第２のサイド磁気シールドは、上部磁気シールドと下部磁気シールドとの間に配置される。センサスタックは、第１のサイド磁気シールドと第２のサイド磁気シールドとの間にある。第１のサイド磁気シールドおよび第２のサイド磁気シールドは、下部磁気シールドから上部磁気シールドを電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサおよびトランスデューサの製造方法を開示する。
【解決手段】トランスデューサは、後縁と、前縁と、後縁および前縁の間に延びる１対の対向する側壁とを含むように成形される、基板上に形成された磁性材料を含む。保護材料の層は、成形された磁性材料の１対の側壁の各々と接触して位置決めされる。埋め戻し材料は、成形された磁性材料の１対の側壁の各々の上の保護材料を取囲む。 （もっと読む）

不揮発性メモリセルにアクセスするための半導体装置が提供される。いくつかの実施形態においては、半導体装置は、ソース、ドレインおよびウェルを含む半導体層の縦型スタックを有する。半導体装置へのドレイン−ソースバイアス電圧の印加は、ウェルにわたってパンチスルー機構を生成し、ソースとドレインとの間の電流の流れを発生させる。
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磁気セル（１０）は、自由磁化配向方向（Ｍ_F）を有する強磁性自由層（１８）と、自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向（Ｍ_R1）を有する第１の強磁性固定基準層（１４）とを含む。第１の酸化物バリヤ層（１６）は、強磁性自由層と第１の強磁性固定基準層との間にある。磁気セルは、第１の基準磁化配向方向に直交する第２の基準磁化配向方向（Ｍ_R2）を有する第２の強磁性固定基準層（１３）をさらに含む。強磁性自由層は、第１の強磁性固定基準層と第２の強磁性固定基準層との間にある。
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不揮発性メモリおよびその使用方法が開示される。さまざまな実施例に従って、メモリセルは、導電領域と金属領域との間に配置されたトンネル領域を含み、トンネル領域は、第１のトンネル障壁と第２のトンネル障壁との間または第１のトンネル障壁と導電領域または金属領域との間に配置された活性界面領域を含む。メモリセルを選択された抵抗状態にプログラムする書込電流に応じた金属領域と導電領域との両方からのイオンの移動とともに高抵抗性膜が活性界面領域の中に形成される。
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スイッチング素子は、第１の部分と第２の部分とを有する第１の半導体層と、第１の部分と第２の部分とを有する第２の半導体層と、上記第１の半導体層と上記第２の半導体層との間に配置される絶縁層と、上記第１の半導体層の上記第１の部分と接触して第１の接合部を形成するとともに、上記第２の半導体層の上記第１の部分と接触して第２の接合部を形成する第１の金属コンタクトと、上記第１の半導体層の上記第２の部分と接触して第３の接合部を形成するとともに、上記第２の半導体層の上記第２の部分と接触して第４の接合部を形成する第２の金属コンタクトとを含み、上記第１の接合部と上記第４の接合部とはショットキー接触部であり、上記第２の接合部と上記第３の接合部はオーミック接触部である。
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スピン注入型ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）等の不揮発性メモリセル（１４０，１５４）にデータを書込むための装置および関連する方法。いくつかの実施例に従うと、抵抗性検知素子（ＲＳＥ）（１４０）は、ヒートアシスト領域（１５０）、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（１４２）およびピン止め領域（１５２）を有する。スピン分極された電流を用いてＭＴＪに第１論理状態が書込まれるとき、ピン止め領域およびヒートアシスト領域は、各々、実質的にゼロの正味磁気モーメントを有する。静磁場を用いてＭＴＪに第２論理状態が書込まれるとき、ピン止め領域は実質的にゼロの正味磁気モーメントを有し、ヒートアシスト領域は非ゼロの正味磁気モーメントを有する。
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磁気積層体は、磁化の向きを切換えることができる自由層と、磁化の向きが固定された基準層と、これらの間にあるバリア層とを有する。この積層体は、自由層から電気的に分離されるとともに基準層と物理的に接触する環状反強磁性ピニング層を含む。ある実施の形態では、基準層は自由層よりも大きい。
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非オーム選択層を含む、不揮発性メモリセルおよび関連する方法が開示されている。一部の実施例に従い、不揮発性メモリセルは、非オーム選択層に結合される抵抗検知素子（ＲＳＥ）からなる。選択層は、所定のしきい値以上の電流に応答して、第１の抵抗状態から第２の抵抗状態に遷移するよう構成されている。
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不揮発性メモリセルからデータを読出すための方法および装置。いくつかの実施形態においては、不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイは、行および列に配置される。第２のメモリセルブロックを非活性化している間に第１のメモリセルブロックを活性化することができる選択回路が設けられる。さらに、読出回路が設けられ、それは、第２のメモリセルブロックに対応するブロック選択素子に第２の抵抗状態をプログラミングしながら、第１のメモリセルブロックに対応するブロック選択素子に第１の抵抗状態をプログラムすることによって、漏れ電流が低減された状態で、第１のメモリセルブロックにおける予め定められたメモリセルの論理状態を読出すことができる。
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