【課題】低電流および高面密度を可能とする、垂直異方性および強化層を有する磁気トンネル接合セルを提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合セルは、強磁性自由層と、少なくとも約１５Åの厚みを有する強化層と、酸化物バリヤ層と、強磁性基準層とを含む。強化層および酸化物バリヤ層は、強磁性基準層と強磁性自由層との間に配置され、酸化物バリヤ層は強磁性基準層に隣接して配置される。強磁性自由層、強磁性基準層、および強化層は、すべて、面外の磁化方向を有する。 （もっと読む）

【課題】ブロック共重合体自己組織化方法、パターン化基板およびパターン化テンプレートを提供する。
【解決手段】リソグラフィを行ない、基板上に第１のパターンを形成する工程と、ブロック共重合体自己組織化を行ない、基板上に第２のパターンを形成する工程とを含む方法、パターン化基板テンプレート、およびリソグラフィ技術と自己組織化技術との組合せを含む方法が提供される。パターン化基板は、第１および第２のパターンを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子に対するデータ書込および保持を向上させるための装置および方法を提供する。
【解決手段】不揮発性データ記憶アレイなどにおける磁気メモリ素子に対するデータ書込および保持を向上させるための装置および方法である。さまざまな実施例によれば、プログラム可能メモリ素子は、基準層と記憶層とを有する。基準層には固定磁気配向が提供されている。記憶層は、前記固定磁気配向と反平行な磁気配向を有する第１の領域と、前記固定磁気配向と平行な磁気配向を有する第２の領域とを有するよう、プログラムされている。書込動作中の第１の領域の平行から反平行への磁気配向の遷移を助けるように記憶層の局所的加熱を向上させるために、メモリ素子に熱アシスト層を組み込んでもよい。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子へのデータを書込む方法を改善する。
【解決手段】スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。さまざまな実施形態に従えば、書込電流が磁気メモリセルを通して印加されて、所望の磁化状態への素子の磁気歳差運動を開始する。フィールドアシスト電流の流れは、書込電流の連続した印加の間に磁気メモリ素子に隣接して実質的に印加されて、素子上に磁場を誘起する。フィールドアシスト電流は、書込電流が停止された後も持続され、所望の磁化状態へのフィールドアシストされた歳差を提供する。 （もっと読む）

【課題】ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を形成するための装置および方法が提供される。
【解決手段】さまざまな実施例に従うと、スライダが、対向する第１および第２の側面と、前記第１の側面上の空気軸受機構と、上記第２の側面から延在し、スライダの多軸回転を促進するようにされるディンプルとを有するよう形成される。 （もっと読む）

【課題】マイクロアクチュエータを統合するヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）のための方法および装置が提供される。
【解決手段】さまざまな実施例によると、ジンバルアセンブリは、ジンバルプレートの開口部内に配されるジンバルアイランドを有する。ジンバルプレートはジンバルアイランドから機械的に分離される。少なくとも１つのマイクロアクチュエータ素子が、ジンバルプレートとは独立してジンバルアイランドの回転を可能にするようジンバルアイランドとジンバルプレートとの間に取付けられる。ジンバルアセンブリはジンバルアイランドから延在するディンプルから吊るされる。 （もっと読む）

【課題】複数の不揮発性可変抵抗メモリセルを含む縦型のメモリアレイを提供する。
【解決手段】方法は、半導体ウェハから垂直に伸延する複数のピラー構造を有する半導体ウェハを提供するステップを含む。導電相互接続素子が、少なくとも選択された縦型ピラートランジスタ上に堆積されるとともに、不揮発性可変抵抗メモリセルが、導電相互接続素子上に堆積されて、縦型トランジスタメモリアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な磁気特性を有する厚いＣｏＮｉＰの膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にＣｏＮｉＰを形成する方法であって、基板を電気めっき槽１１５に入れるステップを含み、電気めっき槽には電気めっき組成物１２０が入っており、電気めっき組成物は、ニッケル源と、コバルト源と、少なくとも約０．１Ｍのリン源とを含み、方法はさらに、基板に堆積電流を印加するステップを含み、基板に堆積電流を印加することによって、少なくとも約５００ナノメートルの厚みを有するＣｏＮｉＰ層が基板上に電着される方法。 （もっと読む）

【課題】ユーザデータへのアクセスが制限されるデータ記憶装置を得る。
【解決手段】データ記憶装置はユーザデータを格納するメモリ場所を有するデータメモリを含み、プログラムメモリも含んでいる。プログラムメモリはユーザが第１の装置セキュリティＩＤを生成して、格納されたデータへのアクセスを制限できるようにする第１のプログラムコードを含んでいる。プログラムメモリ内に含まれる第２のプログラムコードはセキュリティ・コマンドを受信し、そのコマンドに関連する第２の装置セキュリティＩＤを格納されたセキュリティ・キーと比較する。第２の装置セキュリティＩＤおよび格納されたセキュリティ・キーが対応する場合、第１の装置セキュリティＩＤによる認証はバイパスされ、格納されたデータへのアクセスが提供される。 （もっと読む）

【課題】消去磁束を低減させるとともに書込能力を増加させ得るバリアを有するデータ記憶システムを提供する。
【解決手段】データ記憶システムは書込素子を含む。書込素子は、フレア領域を有する書込磁極を含む。磁束バリアは、書込磁極のフレア領域に沿って配置される。磁束バリアは例示的には、磁化容易面を有する面内磁気的異方性材料から形成される。別の実施例では、データ記憶システムは、空気軸受面と、当該空気軸受面におけるシールドとを有する書込素子を含む。シールドは透磁性がほぼ零である。シールドは例示的には、交互に設けられる正および負の透磁性の層を含む。随意であるが、シールドは、上部シールド、底部シールド、およびサイドシールドを含んでもよい複数のシールドを含む。 （もっと読む）