【課題】エンコーダの周波数シフトの補償のための方法および装置を提供する。
【解決手段】エンコーダの周波数シフトの補償のための方法は、入力エンコーダ信号の周波数値を決定するステップ（１００）と、エンコーダインデックスのクロック信号と入力エンコーダ信号とを解析して、周波数シフトの値を決定するステップ（１３０）と、その周波数シフトの値を補償して、周波数シフトが補償されたクロックを生成するステップ（１５０）とを含む。エンコーダの周波数シフトを補償するための方法は、各々の機能または動作を別々の装置において実行するとともに、配線またはプリント回路基板によって接続される部品とされることができる。 （もっと読む）

【課題】望ましくない磁束から磁気抵抗（ＭＲ）素子を保護することができる磁気シールドを提供する。
【解決手段】磁気抵抗（ＭＲ）リーダ１９２は、空気軸受面（ＡＢＳ）から第１の距離を延在する少なくとも１つのシールド１９４，１９６に近接する。シールドは、ＭＲリーダに接触するように近接し、ＡＢＳから第１の距離未満である第２の距離を延在する、安定化構造２００を有する。安定化構造はＭＲリーダと一致する面積範囲を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気状態の変化を検出することができるデータ検知素子を提供するために装置および関連する方法が用いられ得る。
【解決手段】本発明のさまざまな実施例は、一般に、磁気的に応答する積層体と、空気軸受け面（ＡＢＳ）の近位に高磁気モーメント領域を生成し、硬磁石の近位に低磁気モーメント領域を生成するための手段とに向けられている。 （もっと読む）

【課題】磁気状態の変化を検出することのできる磁気素子を提供する。
【解決手段】磁気素子は、強磁性自由層が、スペーサ層によって合成反強磁性（ＳＡＦ）層から分離され、かつ空気軸受面（ＡＢＳ）によって隣接する媒体に格納された検知済みデータビットから分離されている磁気反応積層構造を備える。積層構造は、ＡＢＳから所定のオフセット距離を空けて少なくとも１つの反強磁性（ＡＦＭ）タブに結合される。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 センサは、浮上面に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックである。センサ内の電流がスタックと少なくとも１つの電極との間の第１の多層絶縁構造によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着中に、凝縮した蒸気を収集するための装置および真空システムを提供する。
【解決手段】物理蒸着中に、凝縮した蒸気を収集するための装置は、真空チャンバ内の１つ以上の蒸気源に隣接して配置されるように構成された筐体を備える。この筐体は、対象物を収容するように構成された空間の体積を部分的に囲む筐体の内面を含み、この筐体は、上記１つ以上の蒸気源よりも低い温度に保たれる。上記筐体の内面は１つ以上の排水溝に結合される。 （もっと読む）

【課題】コンピュータ読取可能記憶媒体、および記憶媒体上で記憶空間領域を管理するためのシステムを提供する。
【解決手段】ホスト装置１１０によって規定されるデータ領域サイジングに基づいて分離領域の記憶位置を決定する。分離領域は、記憶装置１０５のうち１つ以上のデータ領域の分離に必要な１組の記憶位置を含む。ホスト装置１１０によって必要とされる連続した書込み区域としてデータ領域サイジングを決定するステップをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】修正されたサイドシールドを備えた書込ヘッドを提供する。
【解決手段】エアベアリング面を有する書込ヘッドは、トレイリング面とトレイリング面と対向するリーディング面と第１および第２の面とをエアベアリング面に有する磁気書込極と、磁気書込極のトレイリング面の近傍に、トレイリングシールドと、磁気書込極の第１および第２の面の近傍に、第１および第２のギャップと、第１および第２のギャップの近傍に、各々トレイリングシールド面を有する第１および第２のサイドシールドと、第１および第２のサイドシールドのトレイリングシールド面とトレイリングシールドとの間に位置決めされた第１および第２の反強磁性結合層とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＬＣメモリセルの性能を向上させる。
【解決手段】マルチレベルセル（ＭＬＣ）メモリセルのアレイを管理するための装置および方法である。さまざまな実施形態に従えば、選択されたＭＬＣメモリセルの利用可能な複数の物理状態の各々に関連する書込努力に関して、複数の物理状態の各々に対して異なるマルチビット論理値を割り当てる非連続エンコーディングスキームが選択される。その後、選択された非連続エンコーディングスキームに関して、選択されたＭＬＣメモリセルにデータが書込まれる。いくつかの実施形態においては、ＭＬＣメモリセルは、スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルを備える。他の実施形態においては、ＭＬＣメモリセルは、ＭＬＣフラッシュメモリセルを備える。 （もっと読む）

【課題】記憶媒体の１つ以上の特徴に基づいて選択される隔離体割当てスキームを用いて、記憶媒体上の利用可能なデータ領域にデータを書込む方法を提供する。
【解決手段】記憶媒体上のデータ領域は、さまざまな割当てスキーム（たとえば、ランダムに書込み可能、第１のデータ隔離体間隔を用いて非ランダムに書込み可能、第２のデータ隔離体間隔を用いて非ランダムに書込み可能、および動的な隔離体を用いずに非ランダムに書込み可能）のうちの１つであり得る。動的なサブ領域間隔は少なくとも動的な隔離体間の磁気ディスク１００のデータ領域におけるデータトラックの数と動的な隔離体間のフラッシュメモリにおけるデータ領域内のビットの数とを指す。ここで開示する技術は、記憶媒体の特徴、データの特徴および／または記憶媒体に書込まれるべきデータの予想されるアクセスパターンに基づいて動的なサブ領域を生成するよう記憶媒体上の隔離体を適合させる。 （もっと読む）