【課題】電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加することのできるウェーハチャックの提供。
【解決手段】ウェーハ１６０２の電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ１６００が、ウェーハ１６０２を受容するためのウェーハチャック１６０４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はさらに、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャック１６０４を運動させるためのアクチュエータアセンブリ１８６０をも有している。第１の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は開かれている。第２の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は閉じられている。 （もっと読む）

【課題】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を用いずに半導体ウエーハ表面を電気研磨する装置および方法、および電気めっきする装置、方法を提供する。
【解決手段】電気研磨の場合、ａ）ウェーハ上の金属薄膜の所望の厚さを決定すること、ｂ）ウェーハ上の金属薄膜の一部分を除去すること、ｃ）金属薄膜の厚さを反射率によって測定すること、ｄ）金属薄膜の厚さが所望の厚さよりも大きい場合に、所望の厚さが測定されるまで、ｂ）、ｃ）、ｄ）を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された金属層を効果的に研磨する。
【解決手段】半導体ウエハ上に形成された金属層（６１２）を研磨する方法であって、この金属層（６１２）は、障壁層（６０４）上に形成されており、障壁層（６０４）は、凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を具備する誘電体層（６０８）上に形成されており、この金属層（６１２）は、誘電体層の凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を覆っているものにおいて、金属層（６１２）を研磨し、非凹部領域（６１０）を覆っている金属層（６１２）を除去する段階と、凹部領域（６０６）内の金属層を非凹部領域（６１０）の高さに研磨する段階であって、この高さを障壁層（６０４）の厚さ以上とする方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのための電気研磨および／または電気めっきプロセスの例示的な装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの例示的な装置が、ウェーハ（９０１）の斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリ（９３０）を有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハー上の導電性膜を電解研磨する装置及び方法を提供する。
【解決手段】装置は、ウェハーを保持するためのウェハー・チャック(1002)、ウェハー・チャックを回転させるためのアクチュエータ(1000)、及び、ウェハーを電解研磨するように構成されたノズル(1010)を含む。この装置はさらに、導電性リング又はシュラウド(1006)を含んでいてよい。ウェハー上の導電性膜の電解研磨方法は、ウェハー上に入射した電解質流体がウェハー表面上をウェハー縁部に向かって流れるのに十分な速度で、ウェハー・チャックを回転させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハー上の導電性膜を電解研磨する装置及び方法を提供する。
【解決手段】装置は、ウェハーを保持するためのウェハー・チャック1002、ウェハー・チャックを回転させるためのアクチュエータ1000、及び、ウェハーを電解研磨するように構成されたノズル1010を含む。この装置はさらに、導電性リング又はシュラウド1006を含んでいてよい。ウェハー上の導電性膜の電解研磨方法は、ウェハー上に入射した電解質流体がウェハー表面上をウェハー縁部に向かって流れるのに十分な速度で、ウェハー・チャックを回転させることを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の導電層を取り除く従来の方法は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）を含むが、ＣＭＰは半導体構造に対して有害な作用を与える可能性がある。これに対し電気研磨および／または電気めっきプロセスを使用して金属層を取り除きまたは溶着する装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの例示的な装置が、ウェーハの斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリを有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 （もっと読む）

【課題】ウェハー上の導電性膜を電解研磨する装置及び方法を提供する。
【解決手段】装置は、ウェハーを保持するためのウェハー・チャック(1002)、ウェハー・チャックを回転させるためのアクチュエータ(1000)、及び、ウェハーを電解研磨するように構成されたノズル(1010)を含む。この装置はさらに、導電性リング又はシュラウド(1006)を含んでいてよい。ウェハー上の導電性膜の電解研磨方法は、ウェハー上に入射した電解質流体がウェハー表面上をウェハー縁部に向かって流れるのに十分な速度で、ウェハー・チャックを回転させることを含む。 （もっと読む）

【課題】電気研磨および／または電気めっきプロセスにおいて、ウェーハを移動させるロボットアセンブリにおいて、エンドエフェクタ真空カップ内の粒子を取除き、真空通路に酸などが入るのを防止する装置および方法を提供する。
【解決手段】エンドエフェクタ３０６は、真空弁３２２を介して真空源と、窒素弁３２０を介して加圧窒素源と連結されている。真空弁３２２がオンされると、ウェーハをエンドエフェクタ３０６に押し付けて保持するように、真空カップ３０２内の圧力を低下させる。真空弁３２２がオフされ、かつ、窒素弁３２０がオンされると、エンドエフェクタ３０６は、真空カップ３０２内の圧力が増大されウェーハを開放する。ウェーハが保持されていない時、または移動されていない時は窒素弁３２０をオン状態のままにして、真空カップ３０２内において周囲環境圧力に近いか、またはこの周囲環境圧力よりも高い圧力を維持する。 （もっと読む）

【課題】ウェハー上の導電性膜を電解研磨する装置及び方法を提供する。
【解決手段】装置は、ウェハーを保持するためのウェハー・チャック(1002)、ウェハー・チャックを回転させるためのアクチュエータ(1000)、及び、ウェハーを電解研磨するように構成されたノズル(1010)を含む。この装置はさらに、導電性リング又はシュラウド(1006)を含んでいてよい。ウェハー上の導電性膜の電解研磨方法は、ウェハー上に入射した電解質流体がウェハー表面上をウェハー縁部に向かって流れるのに十分な速度で、ウェハー・チャックを回転させることを含む。 （もっと読む）