【課題】輝度の均一性及び発光効率を拡大するための発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、基板３２、該基板上に配置されたn型ドープ層３４、該n型ドープ層と該基板との間に配置された複数の陰極４０１，４０２、n型ドープ層上に配置された活性層３６、該活性層上に配置されたp型ドープ層３８、及び該p型ドープ層上に配置された複数の陽極４２１，４２２を含む。陰極は、n型ドープ層に電気接続され、該陰極のパターンは、お互いから分離されている。陽極は、p型ドープ層に電気接続され、該陽極のパターンは、お互いから分離されている。各陰極及び対応する陽極はループを形成し、各ループは独立したループである。 （もっと読む）

【課題】発光装置の製造方法の提供。
【解決手段】この発光装置の製造方法は、基板を提供し、続いて発光ユニットを該基板上に形成し、その後、少なくとも一つの電極を形成し、その後、少なくとも一つの保護層を該電極上に形成して後に蛍光粉層を該発光ユニットに形成する時に、該蛍光粉層が該電極上を被覆するのを防止し、該蛍光粉層を形成した後に、該蛍光粉層と該保護層を平坦とし、すなわち該保護層より上に位置する一部の該蛍光粉層を除去し、その後、該保護層を除去し、該電極が該蛍光粉層の影響を受けないようにし、これにより電極の導電性を向上し、さらに発光装置の蛍光粉厚さと均一性の問題を改善し、発光ダイオードを具えた発光装置の厚さを効果的に減らすと共に、白色光色温度制御の安定性を大幅に改善する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード装置の製造方法の提供。
【解決手段】基板表面にｎ型ＧａＮ層を成長させ、このｎ型ＧａＮ層の表面に酸化けい素を成長させ且つリソグラフィー工程によりメサ領域のｎ型ＧａＮ層を露出させ、さらにこのウエハーに対してメサ領域にＭＯＣＶＤで発光ダイオード構造を成長させ、選択的領域成長した窒化ガリウムエピタキシャル層の特性により、ｐｎ同面を具えた構造となし、この構造の上に電極を製作して発光ダイオード装置となす。本発明はエッチング不要でｐｎ同面の構造を完成し、ＧａＮ発光ダイオード装置の製造を簡易化し、並びにエッチングによるエッチング深さ不均一や表面が過度に粗くなったり、エッチング損傷による電性不良及び漏電電流の問題を回避する。また、酸化けい素が拡散層とされてその拡散効果により、発光層より射出される光がこの拡散層の拡散により光線経路を改変して内部全反射を減らし、良好な発光効率を達成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物発光装置及び高発光効率窒化物発光装置の提供。
【解決手段】窒化物発光装置は、光線キャプチャ層を具えた基板と、その上に成長させた窒化物発光構造を具え、光線経路を改変することで発光効率を高められ光線キャプチャ層と基板の屈折率のマッチングにより、更に大幅に発光効率を高められる。
このほか、本発明による高発光効率窒化物発光装置は、犠牲層基板の上に窒化物発光構造を成長させ、二種類以上の金属或いは合金で構成した結合層により、基板上の窒化物発光構造と高い熱伝導係数を具えた基板を結合させ、化学溶液でこの犠牲層基板を完全にエッチングして除去し、成長させた構造をもとの基板より剥離し、窒化物発光構造を高い熱伝導係数を具えた基板上に移しかえる。載置基板は高い熱伝導係数を具えた基板であるため、この装置を高電流で操作する時、大幅にその発光効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有するＬＥＤチップを提供する。
【解決手段】本発明のLEDチップは、基板110と、半導体層120と、微細粗化層130と、第1電極140と、第2電極150とを備える。前記半導体層120は該基板上110に配置され、前記微細粗化層130は該半導体層120に配置されている。第1と第2電極140, 150は前記半導体層120上に配置され、前記第１電極140が前記第2電極と電気的に絶縁されている。ＬＥＤチップはより良い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】 フォトニック結晶基板のエピタキシャルの質を向上させ且つＬＥＤ構造の発光効率を増加させることである。
【解決する手段】このＬＥＤ構造は、表面と円筒形フォトニック結晶とを有する基板と、第1型ドーピング半導体層と、第１電極と、発光層と、第2型ドーピング半導体層と、第2電極と、を備えている。前記第1型ドーピング半導体層は、前記基板に配置され、前記フォトニック結晶をカバーする。前記発光層と、前記第2型ドーピング半導体層と、前記2電極とは、順次、前記第１型ドーピング半導体層の一部分に形成されている。前記第１電極は、前記発光層によりカバーされない前記第1型ドーピング半導体の他の部分に配置されている。フォトニック結晶を有する基板は前記第１型ドーピング半導体層のエピタキシャルの質を向上させるとともに、ＬＥＤの前方への光のエネルギーを高めるため、前記ＬＥＤの発光効率が有効に向上される。 （もっと読む）

【課題】 半導体光検出器の提供。
【解決手段】 半導体光検出器は、基板、及び光検出素子を具え、該基板は電気回路を具えた構造であり、並びに表面に少なくとも第１金属層及び第２金属層が形成され、且つ第１金属層及び第２金属層は該基板の電気回路の対応する電気信号入出力ノードに電気的に接続され、該光検出素子は、半導体光検出素子であり、底端が該基板に接続され、且つ光検出素子は上端を透過して入射光線を受け取る。 （もっと読む）

【課題】高い逆方向反抗電圧と高い静電防止能力を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。
【解決手段】基板１０の一側面に特定組成の窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌ_aＧａ_bＩｎ_1-a-bＮ，０≦ａ，ｂ＜１，ａ＋ｂ≦１）で構成されたバッファ層２０が形成され、その上にｎ型コンタクト層３０、アクティブ層４０、未被覆部に負電極４２、Ｐ型クラッド層５０、Ｐ型コンタクト層６０、静電防止薄層７０、不重畳正電極８０及び透明導電層８２が順次形成される。この静電防止薄層により窒化ガリウム系発光ダイオードの逆方向反抗電圧と静電防止能力を明らかに改善し、窒化ガリウム系発光ダイオードの使用寿命を延長した。 （もっと読む）

【課題】 周知の窒化アルミニウム或いは窒化ガリウムバッファ層の欠陥密度過高の問題を解決する窒化ガリウム系ダイオード装置のバッファ層構造の提供。
【解決手段】 窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ，ｘ，ｙ≧０）で第１バッファ層を低温成長させる。この第１バッファ層内で、Ｓｉ_x Ｎ_y は複数のランダム分布クラスタのマスクを形成する。その後、この第１バッファ層の上に、更に窒化アルミニウムインジウムガリウムＡｌ_w Ｇａ_z Ｉｎ_1-w-z Ｎ（０≦ｗ，ｚ≦１，ｗ＋ｚ≦１）の第２バッファ層を成長させる。該第２バッファ層は直接には第１バッファ層の上に成長させられず、エピタキシャル側方向成長（Ｅｐｉｔａｘｉａｌｌｙ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ；ＥＬＯＧ）方式で、第１バッファ層のＳｉ_x Ｎ_y マスクの未遮蔽の基板の上に成長開始され、更にオーバーグローにより第１バッファ層のマスク上を被覆する。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系紫外光検出器の提供。
【解決手段】 窒化ガリウム系紫外光検出器は、基板に上向きにｎ型コンタクト層、光吸収層、光透過層、ｐ型コンタクト層が設けられている。これらの半導体層はいずれも窒化アルミニウムガリウムインジウムの四元化合物半導体材料で構成される。これらの材料のアルミニウム、ガリウム、インジウムの成分組成を改変することで、これらの半導体層が一方で必要なバンドギャップを具え、これにより特定波長の紫外光にに対する反応が特別に敏感となり、また一方で、これらの半導体層がマッチングした格子定数を具備し、これにより応力過大に関係する問題を回避でき、また高品質の格子構造の紫外光検出器を得られる。この構造は更にｐ型コンタクト層の上の正電極、光透過オームコンタクト層、反射防止層、及びｎ型コンタクト層の上の負電極を具える。 （もっと読む）