本発明は、回路基板（１３）、特に半導体基板の乾燥方法および装置に関する。本発明によれば、回路表面（３０）を、洗浄段階中に洗浄液（１０）を用いて洗浄し、後続の乾燥段階で乾燥させる。洗浄段階において、回路面と液面との間でそれらの相対移動に応じて変わる移行領域内に液体メニスカスが形成されるように、回路基板がその平面の延長方向に、洗浄液鏡面の液面（２８）を横断しかつそれに対して相対的に移動され、乾燥段階において、液体メニスカスで濡れた移行領域に熱輻射（３６）を与える。
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特にウェーハレベルの電子モジュールを製造するための機能コンポーネントウェーハを有する半導体ウェーハの、複数の付着性設計された同様な部品から成る２つのウェーハ状コンポーネント複合装置（１２、１４）を相互接触させる方法および装置であって、向かい合った接触表面（３８、３９）に接触メタライゼーションを各々備えた２つのコンポーネント複合装置が、それらの接触メタライゼーションが接触する複数対を形成するカバー位置に導入され、そのカバー位置で、互いに接合されることになる接触メタライゼーションが互いに押し付けられ、それによって、それらの接触メタライゼーションは、コンポーネント複合装置の一方（１２）の背面をレーザ放射線（２０）に曝して接触され、ここで、そのレーザ放射線の波長は、背面においてレーザ放射線に曝されるコンポーネント複合装置の吸収度合の関数として選ばれ、その結果、背面においてレーザ放射線に曝されるコンポーネント複合装置を通り抜けるレーザ放射線の透過が本質的に抑制されるか、またはレーザ放射線の吸収が一方または両方のコンポーネント複合装置の接触メタライゼーションで本質的に起こるようになる。
（図１）
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