説明

ヴィシェイ デイル エレクトロニクス,インコーポレイテッドにより出願された特許

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【課題】熱安定性が改善された巻き線抵抗をもつインダクターを提供することであり、また、インダクターを電流検出抵抗器と組み合わせて単独のユニットに構成し、これによってインダクターのDCRに伴うパワー損失を抑制する。
【解決手段】上面14と、対向する第1端面18および第2端面20とを有するインダクター本体12と、前記対向する第1端面および第2端面の間を貫通してインダクター本体に形成した中空部分28と、前記中空部分に通して設けられた熱安定抵抗要素30であって、対向表面実装端子を形成するために前記上面側に向けて折り曲げられた前記熱安定性抵抗要素と、を備え、導電性材料と接続処理された抵抗材料を前記熱安定性抵抗要素に含み、前記対向表面実装端子が前記導電性材料で形成される。 (もっと読む)


【課題】温度安定性が改善された巻き線抵抗をもつインダクターを提供する。
【解決手段】上面14、および対向する第1端面18および第2端面20を有するインダクター本体12からなるインダクター10であり、対向する第1端面および第2端面の間においてインダクター本体に中空部分28を設け、この中空部分に熱安定性抵抗要素30を配置し、上面に向けて折り曲げ、表面実装端子32、34、38、40を形成する。インダクター本体をフェライトで構成する場合、インダクター本体にスロット26を形成する。インダクターは、抵抗要素の周りに形成した分布型ギャップ磁性材料から構成することができる。また、熱安定性抵抗要素の周りにインダクター本体12を配置し、熱安定性抵抗要素の端子をインダクター本体から延設する。 (もっと読む)


【課題】高いリップル電流および周波数におけるコア損失が低く、かつ、高い飽和電流性能を有するインダクタを提供する。
【解決手段】磁束チャネル式高電流インダクタ30は、インダクタ本体12、14と、インダクタ本体内に延びたコンダクタ32、34とを具備する。コンダクタは、インダクタ本体の断面領域にかけて複数の個別チャネルを備えており、これにより、コンダクタを流れる電流36、40によって誘発された磁束50、52、54、56を2つ以上の断面領域内に誘導し、所与の1領域の磁束密度を低減する。インダクタ本体は、第1強磁性プレート12と第2強磁性プレート14とで形成することができる。インダクタは、単一構成部品の磁気コアで形成でき、インダクタンスを画定する1または複数のスリット16を有する。インダクタは磁性粉末で形成することができる。 (もっと読む)


【構成】抵抗要素を第1端子と第2端子との間に設けた金属ストリップ抵抗器である。抵抗要素、第1端子および第2端子が実質的に平坦なプレートを構成する。熱伝導性接着材などの熱伝導性かつ非導電性の熱的インターフェース材を、抵抗要素と、抵抗要素上部においてそれぞれ第1、第2の端子に隣接して設けられる第1、第2のヒートパッドとの間に配設する。 (もっと読む)


【構成】本発明は、抵抗の温度係数(TCR)補償機能/作用をもつ電流検出抵抗器、および電流検出抵抗器の製造方法に関する。この抵抗器は、2つの導電性ストリップ間に設けられた抵抗ストリップを有する。これら導電性ストリップ内に一対の主端子および一対の電圧検出端子を形成する。主端子と電圧検出端子との間に一対の精密でないTCR較正スロットを設ける。これら精密でないTCR較正スロットの深さについては、電圧検出端子において負の開始TCR値が観測されるように選択する。一対の電圧検出端子間に精密なTCR較正スロットを形成する。この精密なTCR較正スロットの深さについては、電圧検出端子においてゼロに近づくTCR値が観測されるように選択する。抵抗較正スロットの深さについては、抵抗器の抵抗値が較正されるように選択する。 (もっと読む)


【課題】抵抗性本体とキャリアストリップを形成するために単一のリボンを用いてアッセンブリライン上で表面実装抵抗器を複数個製造するための方法を提供する。
【解決手段】複数個の表面実装抵抗器10を製造する方法であって、リール22に巻かれた、細長リボン24を準備する工程と、前記リールから繰り出す工程と、細長リボンのキャリア部分26に形成する工程と、該細長リボンの断面形状をロール成形又はスタンピング加工によって形成する工程と、前記細長リボンを、複数個の個別本体部材に部分的に分離する分離工程と、該個別本体部材の抵抗値を調整する工程と、長手方向のカットライン32に沿って切断する工程とから成る。 (もっと読む)


【構成】上面14、および対向する第1端面18および第2端面20を有するインダクター本体12、102、124からなるインダクター10、100、120である。対向する第1端面および第2端面の間においてインダクター本体に中空部分28を設ける。この中空部分に熱安定性抵抗要素30、84、98、122を配置し、上面に向けて折り曲げ、表面実装端子32、34、38、40、126、128を形成する。これら端子は、ケルヴィン型検出に使用できる。インダクター本体をフェライトで構成する場合、インダクター本体にスロット26を形成する。抵抗要素は、パンチ加工抵抗ストリップ84で構成することができ、部分巻き線または複数の巻き線部分94を与える。インダクターは、抵抗要素の周りに形成した分布型ギャップ磁性材料124から構成することができる。また、熱安定性抵抗要素の周りにインダクター本体12、102、124を配置し、熱安定性抵抗要素の端子をインダクター本体から延設するインダクターの製造方法が提供される。 (もっと読む)


磁束チャネル式高電流インダクタ(30)は、第1端部およびこれと対向する第2端部を有するインダクタ本体(12、14)と、インダクタ本体内に延びたコンダクタ(32、34)とを具備する。コンダクタは、インダクタ本体の断面領域にかけて複数の個別チャネルを備えており、これにより、コンダクタを流れる電流(36、40)によって誘発された磁束(50、52、54、56)を2つ以上の断面領域内に誘導し、所与の1領域の磁束密度を低減する。インダクタ本体は、第1強磁性プレート(12)と第2強磁性プレート(14)とで形成することができる。インダクタは、単一構成部品の磁気コアで形成でき、インダクタンスを画定する1または複数のスリット(16)を有する。インダクタは磁性粉末で形成することができる。さらに、磁束チャネル式高電流インダクタの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【構成】
本発明のハイパワー抵抗器(10)は抵抗要素(28)を有する。抵抗要素の相互に対向する端部に第1リード(24)および第2リード(26)を延設する。誘電体からなるヒートシンク(56)を抵抗要素に対して伝熱関係で設置する。抵抗要素とヒートシンクのこの伝熱関係によって、抵抗要素が−65℃〜+275℃の温度範囲で抵抗器として動作できる。ヒートシンクを抵抗要素に接着し、成形用化合物(58)を抵抗要素周囲に成形する。 (もっと読む)


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