抵抗の温度係数（ＴＣＲ）補償機能／作用を備えた抵抗器
【構成】本発明は、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）補償機能/作用をもつ電流検出抵抗器、および電流検出抵抗器の製造方法に関する。この抵抗器は、２つの導電性ストリップ間に設けられた抵抗ストリップを有する。これら導電性ストリップ内に一対の主端子および一対の電圧検出端子を形成する。主端子と電圧検出端子との間に一対の精密でないＴＣＲ較正スロットを設ける。これら精密でないＴＣＲ較正スロットの深さについては、電圧検出端子において負の開始ＴＣＲ値が観測されるように選択する。一対の電圧検出端子間に精密なＴＣＲ較正スロットを形成する。この精密なＴＣＲ較正スロットの深さについては、電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択する。抵抗較正スロットの深さについては、抵抗器の抵抗値が較正されるように選択する。
【発明の詳細な説明】
【関連出願に関する相互参照】
【０００１】
本出願は、２００９年９月４日に出願された米国仮特許出願第６１/２３９，９６２号および２０１０年６月２８日に出願された米国仮特許出願第６１/３５９，０００号の優先権を主張する出願であり、これら公報の内容については、あたかも本明細書に完全に開示されているように援用するものである。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、オーム値がきわめて低く、安定性の高い４端子電流検出抵抗器に関する。
【背景技術】
【０００３】
表面実装電流検出抵抗器は、長年の間電子分野において利用されてきている。これらの構成は、代表例を挙げれば、素子の主端子を形成する、導電性の高い金属端子間に結合された抵抗材料からなる平坦ストリップを有する。主端子中に一対の電圧検出端子を形成すると、４端子素子になる。主端子には、素子に流れる電流の大部分が流れる。電圧検出端子が、素子に流れる電流に比例する電圧を出力する。このような素子は、従来の電圧検出技術を利用して、所定の回路に流れる電流をモニターする機構になる。素子に実際に流れる電流については、検出された電圧およびオームの法則に従う素子の抵抗値に基づいて求めることができる。理想的な素子は、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）がゼロに近い素子と考えられるが、殆どの素子は、ＴＣＲがゼロではなく、特に素子温度が変動した場合、電圧検出端子での電圧測定値が不正確になる。
【０００４】
低オーム電流検出抵抗器および高電流分流器の場合、抵抗要素の長さが短く、また抵抗器の長さは標準的な長さであり、高電流分流器の場合には、その用途の理由のために抵抗器の長さが長くなる。抵抗器が長くなり、抵抗要素が短くなると、銅端子金属のかなりの量が電流路に存在することになる。銅のＴＣＲは３，９００ｐｐｍ/℃であり、一方抵抗材料のＴＣＲは通常１００ｐｐｍ/℃未満である。電流路に付加された銅は、８００ｐｐｍ/℃かそれ以上の値まで抵抗器のＴＣＲ全体を押し上げるが、望ましいＴＣＲは１００ｐｐｍ/℃未満である。
【０００５】
上述したように、代表的な電流検出抵抗器は端子数が４であり、２つは主端子、２つは電圧検出端子であり、これらは２つのスロットによって分離されている。これら２つのスロットの長さに手を加えると、ＴＣＲを調節できる。この点については、ＵＳＰ５，９９９，０８５（Ｓｚｗａｒｃ）が参考になる。この方法は、例えば、抵抗要素の幅を狭くして抵抗器の抵抗値を高くするために利用されているレーザーやその他の切断技術などの従来の抵抗器較正装置に使用するには適さない方法である。
【０００６】
従来技術において求められているのは、ＴＣＲ補償または調節機能を備えた電流検出抵抗器を製造する改良構成および改良方法である。また、製造時に電流検出抵抗器のＴＣＲ調節を簡略化できる改良抵抗器構成および改良抵抗器方法を実現することも望まれている。これらの態様の一つまたはそれ以上については、明細書および特許請求の範囲の記載から明らかになるはずである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＵＳＰ５，９９９，０８５（Ｓｚｗａｒｃ）
【発明の概要】
【０００８】
本明細書に開示するものは、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）補償機能/作用を備えた抵抗器および抵抗器の製造方法である。この抵抗器の抵抗ストリップを２つの導電性ストリップの間に設ける。これら導電性ストリップ中に一対の主端子および一対の電圧検出端子を形成する。主端子と電圧検出端子との間に精密ではない一対のＴＣＲ較正スロットを設ける。精密ではない各ＴＣＲ較正スロットの深さについては、負の開始ＴＣＲ値が電圧検出端子で観測されるように選択する。一対の電圧検出端子間に精密なＴＣＲ較正スロットを形成する。この精密なＴＣＲ較正スロットの深さについては、電圧検出端子でゼロに近いＴＣＲ値が観測されるように選択する。抵抗器にも、一対の主端子間に抵抗較正スロットを形成でき、そしてこの抵抗較正スロットの深さについては、抵抗器の抵抗値を較正できるように選択する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】ＴＣＲを負の開始値に調節できるように構成した一対の第１スロットを備えた４端子抵抗器を示す図である。
【図２】ＴＣＲを最小値に一括調節できるように構成した一対の第１スロット、および第２スロットを備えた４端子抵抗器を示す図である。
【図３】ＴＣＲを最小値に一括調節できるように構成した一対の第１スロット、および第２スロットを備え、かつ抵抗較正を行うように構成した第３スロットを備えた４端子抵抗器を示す図である。
【図４】第２スロットの深さとＴＣＲと抵抗値の関係を示すグラフである。
【図５】ＴＣＲ補償機能/作用を備えた４端子抵抗器の別な実施態様を示す図である。
【図６】各種のスロット構成に伴うＴＣＲ補償特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１〜図３に、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）の各調節段の例示的な抵抗器構成を示す。なお、本明細書に開示する技術は、膜抵抗器、金属箔抵抗器やその他のタイプの抵抗器を始めとする他のタイプの抵抗器に適用可能である。
【００１１】
図１に、２つの導電性ストリップ１２、１４間に設けられた抵抗ストリップ１３から全体を構成した抵抗器１０を示す。この抵抗器１０は、主端子１６、１８および電圧検出端子２０、２２を備えている。動作時には、主端子１６、１８には、抵抗器を通る電流の大部分が流れる。主端子と電圧検出端子との間に一対の第１スロット２４、２６を設ける。第１スロット２４、２６それぞれは、抵抗ストリップ１３に向かう対応する深さを有する。全体として深さＡとして図示する。なお、第１スロット２４、２６の各深さは同じ大きさＡでもよく、あるいは異なっていてもよい。図２および図３に、深さＢの第２スロットおよび深さＣの第３スロットを示す。これらスロット間の関係については、以下に説明する。
【００１２】
図１に戻って説明すると、導電性ストリップは全体として銅シート材から形成し、材厚は例えば約０．００８〜０．１２０インチ（〜０．２から３ｍｍまで）の範囲に設定する。銅シート材の材厚は、一般的には、素子の目的とする電力損失、および目的の機械的強度に基づいて、例えば抵抗器が製造時、取り付け時、使用時に十分な強度をもつように選択する。
【００１３】
一対の第１スロット２４、２６が導電性ストリップ１２、１４の一部を区分し、４端子素子を構成する。全体として、一対の第１スロット２４、２６の大きさおよび位置が、主端子１６、１８および電圧検出端子２０、２２の寸法を決定する。また、全体として、一対の第１スロット２４、２６は、抵抗器の一縁部に向かって設けられる。この実施例では、一対の第１スロット２４、２６は、素子の上縁部から測って距離Ｙ離れている。この距離Ｙについては、全体として電圧検出端子のサイズが適正化するように選択する。例えば、製造時にパンチ加工や機械加工に耐えることができ、かつ取り付け時および使用時に十分な強度を担保する十分な幅の電圧検出端子を提供できるように距離Ｙを選択すればよい。
【００１４】
第１スロット２４、２６それぞれの深さは、全体として図１に距離Ａとして図示する。多くの用途では、第１スロット２４、２６の深さは同じ深さＡである。なお、第１スロット２４および２６は、異なる深さに対処できるように構成できる。また、第１スロット２４、２６の深さについては、素子上の各種の点から参照できるように構成する。全体として、一対の第１スロット２４、２６は、主端子１６、１８および電圧検出端子２０、２２との間の厚み、即ち狭隘部を小さくするものである。これについては、図１に全体として距離Ｘで示す。第１スロット深さＡの決定方法について、以下説明する。
【００１５】
以下の実施例では、導電性ストリップ１２、１４を銅で構成する。既述のように、銅のＴＣＲは３，９００ｐｐｍ/℃であり、これに対して抵抗ストリップ１３のＴＣＲは１００ｐｐｍ/℃未満になることがある。第１スロット２４、２６がなければ、抵抗器１０のＴＣＲは、多量の銅が電流路に存在するため、例えばきわめて高い、正のＴＣＲ値を取ることになる。一般的には、ＴＣＲを最小限に抑えることが望ましい。即ち、絶対値がゼロに近いＴＣＲである。所定の電流検出抵抗器の一般的な範囲は±２５ｐｐｍ/℃としてもよい。ここで、所定素子の目標とする抵抗値を２００μΩ（即ち０．０００２Ω）とし、また一対の第１スロット２４、２６を使用しない初期設計では、ほぼ８００ｐｐｍ/℃のＴＣＲをもつ素子が得られると想定する。
【００１６】
銅からなる導電性ストリップ１２、１４のストリップ厚については、前記のように選択し、また抵抗ストリップ１３の寸法については、目標の抵抗値に近いがそれよりも小さい抵抗値が得られるように選択する。これは、最終的な抵抗値が、（抵抗器の抵抗値が高くなる）次のトリム加工によって設定されるからである。
【００１７】
電圧検出端子の寸法の設定とは別に、一対の第１スロット２４、２６があると、電圧検出端子２０、２２におけるＴＣＲの負特性がより強くなる。一対の第１スロット２４、２６が深くなる程、電圧検出端子２０、２２におけるＴＣＲの負特性が強くなる。一対の第１スロット２４、２６は、抵抗器それ自体のＴＣＲを有意に変えるというよりは、電圧検出端子２０、２２において観測されるＴＣＲを変えるものである。
【００１８】
例えば、第１スロット深さＡと電圧検出端子２０、２２において観測されるＴＣＲとの関係は、プロトタイププロセスによって決定できる。例えば、プロトタイプ素子を製造し、次に従来方法（即ち、所定範囲の条件で電圧、電流および温度を測定する方法）によって試験を行う。第１スロット２４、２６の深さは、負の開始ＴＣＲ値が電圧検出端子２０、２２において観測されるまで、例えばほぼ−２００ｐｐｍ/℃が観測されるまで、連続的に深くなる。従って、第１および第２スロット２４、２６は精密ではないＴＣＲ較正スロットとみなすことができる。
【００１９】
この段階では、負の開始ＴＣＲ値が望ましい。というのは、以下に詳しく説明するように、第２スロットを使用してＴＣＲ値を精密に調整するからである。第１スロット深さの設定を一旦適正化した後は、具体的なスタイルの製品（即ち、物理特性および電気特性をもつ抵抗器）についてはこの深さを変更する必要はない。これは、通常のパンチ加工、エンドミル加工やその他の機械加工技術を利用して、製造プロセスの初期の時点で一対の第１スロット２４、２６を挿入できるため、有利である。製造プロセスの次の時点でスロット加工作業を行うが、これはレーザートリム加工によって実施できる。
【００２０】
次に、図２に示すように、電圧検出端子２０、２２の間に深さがＢの第２スロット２８を設ける。一般的には、電圧検出端子２０、２２間にある抵抗ストリップ１３に第２スロット２８を形成する。なお、第２スロットを使用すると、図２に示すように、電圧検出端子２０、２２の一部を取り除くことができる。第２スロット２８の最終的な作用効果は、電圧検出端子２０、２２で検出されたＴＣＲを正駆動することである。また、第２スロット２８を設けると、図４のグラフに示すように、抵抗値が少し大きくなる。これは図４のグラフに示されている。この実施例では、（例えば図１に示すように）第２スロット２８を設けていない抵抗器のＴＣＲは、−１９８ｐｐｍ/℃である。（第２スロット２８を形成してない）素子の初期抵抗は、およそ１１０μΩ（即ち０．０００１１Ω）である。第２スロットの深さを０．０４０インチ（〜１ｍｍ）に設定すると、ＴＣＲは−１００ｐｐｍ/℃まで改善する。同様に、抵抗はおよそ１２５μΩ（即ち０．０００１２５Ω）まで高くなる。
【００２１】
図３について説明する。第２スロット２８を０．０８０インチ（〜２ｍｍ）に設定すると、ＴＣＲの正特性が連続的に強くなり、ゼロに近づく。抵抗は、およそ１４０μΩ（即ち０．０００１４Ω）まで高くなる。従って、第２スロット２８は、精密なＴＣＲ較正スロットとして機能する。上記したように、所定の素子に対する代表的なＴＣＲ目標範囲は、およそ±２５ｐｐｍ/℃になると考えられる。第２スロット２８は、レーザートリム加工、通常のパンチ加工、エンドミル加工や、あるいは材料を目的の深さおよび幅まで除去するその他の機械加工技術を利用して加工できる。
【００２２】
図３にはまた、主端子１６、１８間に形成される第３スロット３０（抵抗較正スロット）も示す。第３スロット３０の深さについては、抵抗器値を精密に調整できるように選択される。この場合、深さＣについては、目標の抵抗値が特定の許容誤差（例えば２００μΩ±１％）内に入るように選択する。第３スロット３０は、レーザートリム加工、通常のパンチ加工、エンドミル加工や、あるいは材料を目的の深さおよび幅まで除去するその他の機械加工技術を利用して加工できる。
【００２３】
なお、第１スロット２４、２６、および第２スロット２８の形成は同時でもよく、あるいは別々に行ってもよい。また、例えば抵抗器基準に従って抵抗器上でＴＣＲを測定する場合、第２スロット２８は、“実行中（on the fly）”に変更できる。即ち、各抵抗器のＴＣＲを特定の値に特化できる。付加作用効果として、第２スロット２８を、ＴＣＲ調節プロセスを大きく簡略化できるレーザートリム加工を利用して形成できることが挙げられる。図１および図２に示す第１スロット２４、２６および第２スロット２８は、全体として断面形状が矩形である。図３に示す第３スロット３０は、全体として断面形状が三角形である。なお、本発明から逸脱せずに他の単純な、あるいは複雑な幾何学的断面形状のスロットも利用可能である。
【００２４】
図５に、ＴＣＲ補償機能/作用をもつ別なスロット構成を示す。図５に示す抵抗器１００は、２つの導電性ストリップ１１２、１１４の間に抵抗ストリップ１１３を設けて全体を構成する。導電性ストリップは全体として銅シート材から構成し、材厚は例えば約０．００８〜０．１２０インチ（〜０．２から３ｍｍまで）に設定する。銅シート材の材厚は、一般的には、素子の目的とする電力損失、および目的の機械的強度に基づいて、例えば抵抗器が製造時、取り付け時、使用時に十分な強度をもつように選択する。
【００２５】
抵抗器１００は、主端子１１６、１１８および電圧検出端子１２０、１２２を備える。動作時、これら主端子１１６、１１８には、抵抗器に流れる電流の大部分が流れる。主端子の所定の内部エリアは、例えば、導電性ストリップ１１２、１１４の縁部から離しておく。主端子と電圧検出端子との間に、一対の第１スロット１２４、１２６を設ける。この実施態様では、主端子の所定の内部エリア内に電圧検出端子を形成する。この構成は、よりコンパクトな電圧検出端子を中心に設けることが必要な用途に好適である。第１スロット１２４、１２６に２つの脚部を形成する。第１脚部１２３は、“Ａ”で示すように、主電流路の全体として直交する方向に所定の長さをもつ。また、第２脚部１２５は、“Ｂ”で示すように、主電流路に対して全体として平行な方向に所定の長さをもつ。なお、第１スロット１２４および１２６は、同じ脚部長さＡおよびＢをもつ。あるいは、第１スロットは異なる脚部長さでもよい。抵抗器１００にはまた、深さＣの第２スロット１２８も設ける。これらスロット間の関係については、以下に説明する。
【００２６】
一対の第１スロット１２４、１２６が導電性ストリップ１１２、１１４の内部を区分し、４端子素子を形成する。全体として、一対の第１スロット１２４、１２６の大きさおよび位置が、電圧検出端子１２０、１２２の寸法を決定する。この実施例では、検出端子は、大体において第１脚部１２３および第２脚部１２５の間の接合部に設ける。
【００２７】
既に説明したように、第１脚部１２３の長さはＡであり、そして第２脚部１２５の長さＢである。図６に、第１スロット１２４、１２６を形成することによって得られるＴＣＲ補償機能/作用を表わすグラフを示す。サンプル１は、第１スロット１２４、１２６を形成せずに構成した基準抵抗器である。この構成のＴＣＲは、＋６０ｐｐｍ/℃である。サンプル２および３は、第１脚部１２３を付設した場合（サンプル２）の、そして長さを大きく取った場合（サンプル３）のＴＣＲ補償機能/作用を示すものである。グラフに示すように、ＴＣＲの負特性傾向がより強くなり、＋２０ｐｐｍ/℃で終わる。サンプル４および５は、第２脚部１２５を付設した場合（サンプル４）の、そして長さを大きく取った場合（サンプル５）のＴＣＲ補償機能/作用を示すものである。サンプル４および５において、第１脚部１２３は一定である。グラフに示すように、ＴＣＲの負特性傾向がより強くなり、およそ−３５ｐｐｍ/℃で終わる。
【００２８】
製造時、大体のレベルのＴＣＲ補償機能/作用が達成されるまで、第１脚部１２３を最初に挿入できる。第１脚部は、パンチ加工や機械加工を始めとする各種の方法で形成できる。次に、第２脚部１２５を挿入すると、ＴＣＲ補償機能/作用を目的のレベルに精密調整できる。第２脚部は、レーザートリム加工などの各種方法によって形成できる。多くの用途では、第１スロット１２４、１２６の寸法は同じである。なお、第１スロット１２４、１２６はそれぞれ他の脚部構成に対応させることができる。第１スロット１２４および１２６を形成した後に、第２スロット１２８を形成すると、抵抗値を精密調整できる。図５に示す第１スロット１２４、１２６、そして第１および第２の脚部１２３、１２５は断面形状が全体として矩形である。図５に示す第２スロット１２５は、断面形状が全体として円形である。なお、本発明から逸脱せずに他の簡単な、あるいは複雑な幾何学形状の断面をもつスロットまたは脚部を使用することが可能である。
【００２９】
以上の説明から、本発明の範囲から逸脱しなくても各種の変形例が可能であることを容易に理解できるはずである。例えば、第１スロット２４、２６、１２４、１２６の間隔および深さは変更することができる。同様に、他のスロットの位置および各種の端子の形状も変更可能である。当業者ならば、本発明の精神および範囲から逸脱しなくても上記実施態様について各種広範な変形、変更、組み合わせなどが可能であり、このような変形、変更、組み合わせなどは本発明の概念の領域内であることを認識できるはずである。即ち、本発明の真の精神および範囲内に包摂されるこれらすべての変更、変形は特許請求の範囲の対象内である。
【符号の説明】
【００３０】
１０：抵抗器
１２、１４：抵抗ストリップ
１６、１８：主端子
２０、２２：電圧検出端子
２４、２６：第１スロット
【関連出願に関する相互参照】
【０００１】
本出願は、２００９年９月４日に出願された米国仮特許出願第６１/２３９，９６２号および２０１０年６月２８日に出願された米国仮特許出願第６１/３５９，０００号の優先権を主張する出願であり、これら公報の内容については、あたかも本明細書に完全に開示されているように援用するものである。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、オーム値がきわめて低く、安定性の高い４端子電流検出抵抗器に関する。
【背景技術】
【０００３】
表面実装電流検出抵抗器は、長年の間電子分野において利用されてきている。これらの構成は、代表例を挙げれば、素子の主端子を形成する、導電性の高い金属端子間に結合された抵抗材料からなる平坦ストリップを有する。主端子中に一対の電圧検出端子を形成すると、４端子素子になる。主端子には、素子に流れる電流の大部分が流れる。電圧検出端子が、素子に流れる電流に比例する電圧を出力する。このような素子は、従来の電圧検出技術を利用して、所定の回路に流れる電流をモニターする機構になる。素子に実際に流れる電流については、検出された電圧およびオームの法則に従う素子の抵抗値に基づいて求めることができる。理想的な素子は、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）がゼロに近い素子と考えられるが、殆どの素子は、ＴＣＲがゼロではなく、特に素子温度が変動した場合、電圧検出端子での電圧測定値が不正確になる。
【０００４】
低オーム電流検出抵抗器および高電流分流器の場合、抵抗要素の長さが短く、また抵抗器の長さは標準的な長さであり、高電流分流器の場合には、その用途の理由のために抵抗器の長さが長くなる。抵抗器が長くなり、抵抗要素が短くなると、銅端子金属のかなりの量が電流路に存在することになる。銅のＴＣＲは３，９００ｐｐｍ/℃であり、一方抵抗材料のＴＣＲは通常１００ｐｐｍ/℃未満である。電流路に付加された銅は、８００ｐｐｍ/℃かそれ以上の値まで抵抗器のＴＣＲ全体を押し上げるが、望ましいＴＣＲは１００ｐｐｍ/℃未満である。
【０００５】
上述したように、代表的な電流検出抵抗器は端子数が４であり、２つは主端子、２つは電圧検出端子であり、これらは２つのスロットによって分離されている。これら２つのスロットの長さに手を加えると、ＴＣＲを調節できる。この点については、ＵＳＰ５，９９９，０８５（Ｓｚｗａｒｃ）が参考になる。この方法は、例えば、抵抗要素の幅を狭くして抵抗器の抵抗値を高くするために利用されているレーザーやその他の切断技術などの従来の抵抗器較正装置に使用するには適さない方法である。
【０００６】
従来技術において求められているのは、ＴＣＲ補償または調節機能を備えた電流検出抵抗器を製造する改良構成および改良方法である。また、製造時に電流検出抵抗器のＴＣＲ調節を簡略化できる改良抵抗器構成および改良抵抗器方法を実現することも望まれている。これらの態様の一つまたはそれ以上については、明細書および特許請求の範囲の記載から明らかになるはずである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＵＳＰ５，９９９，０８５（Ｓｚｗａｒｃ）
【発明の概要】
【０００８】
本明細書に開示するものは、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）補償機能/作用を備えた抵抗器および抵抗器の製造方法である。この抵抗器の抵抗ストリップを２つの導電性ストリップの間に設ける。これら導電性ストリップ中に一対の主端子および一対の電圧検出端子を形成する。主端子と電圧検出端子との間に精密ではない一対のＴＣＲ較正スロットを設ける。精密ではない各ＴＣＲ較正スロットの深さについては、負の開始ＴＣＲ値が電圧検出端子で観測されるように選択する。一対の電圧検出端子間に精密なＴＣＲ較正スロットを形成する。この精密なＴＣＲ較正スロットの深さについては、電圧検出端子でゼロに近いＴＣＲ値が観測されるように選択する。抵抗器にも、一対の主端子間に抵抗較正スロットを形成でき、そしてこの抵抗較正スロットの深さについては、抵抗器の抵抗値を較正できるように選択する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】ＴＣＲを負の開始値に調節できるように構成した一対の第１スロットを備えた４端子抵抗器を示す図である。
【図２】ＴＣＲを最小値に一括調節できるように構成した一対の第１スロット、および第２スロットを備えた４端子抵抗器を示す図である。
【図３】ＴＣＲを最小値に一括調節できるように構成した一対の第１スロット、および第２スロットを備え、かつ抵抗較正を行うように構成した第３スロットを備えた４端子抵抗器を示す図である。
【図４】第２スロットの深さとＴＣＲと抵抗値の関係を示すグラフである。
【図５】ＴＣＲ補償機能/作用を備えた４端子抵抗器の別な実施態様を示す図である。
【図６】各種のスロット構成に伴うＴＣＲ補償特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１〜図３に、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）の各調節段の例示的な抵抗器構成を示す。なお、本明細書に開示する技術は、膜抵抗器、金属箔抵抗器やその他のタイプの抵抗器を始めとする他のタイプの抵抗器に適用可能である。
【００１１】
図１に、２つの導電性ストリップ１２、１４間に設けられた抵抗ストリップ１３から全体を構成した抵抗器１０を示す。この抵抗器１０は、主端子１６、１８および電圧検出端子２０、２２を備えている。動作時には、主端子１６、１８には、抵抗器を通る電流の大部分が流れる。主端子と電圧検出端子との間に一対の第１スロット２４、２６を設ける。第１スロット２４、２６それぞれは、抵抗ストリップ１３に向かう対応する深さを有する。全体として深さＡとして図示する。なお、第１スロット２４、２６の各深さは同じ大きさＡでもよく、あるいは異なっていてもよい。図２および図３に、深さＢの第２スロットおよび深さＣの第３スロットを示す。これらスロット間の関係については、以下に説明する。
【００１２】
図１に戻って説明すると、導電性ストリップは全体として銅シート材から形成し、材厚は例えば約０．００８〜０．１２０インチ（〜０．２から３ｍｍまで）の範囲に設定する。銅シート材の材厚は、一般的には、素子の目的とする電力損失、および目的の機械的強度に基づいて、例えば抵抗器が製造時、取り付け時、使用時に十分な強度をもつように選択する。
【００１３】
一対の第１スロット２４、２６が導電性ストリップ１２、１４の一部を区分し、４端子素子を構成する。全体として、一対の第１スロット２４、２６の大きさおよび位置が、主端子１６、１８および電圧検出端子２０、２２の寸法を決定する。また、全体として、一対の第１スロット２４、２６は、抵抗器の一縁部に向かって設けられる。この実施例では、一対の第１スロット２４、２６は、素子の上縁部から測って距離Ｙ離れている。この距離Ｙについては、全体として電圧検出端子のサイズが適正化するように選択する。例えば、製造時にパンチ加工や機械加工に耐えることができ、かつ取り付け時および使用時に十分な強度を担保する十分な幅の電圧検出端子を提供できるように距離Ｙを選択すればよい。
【００１４】
第１スロット２４、２６それぞれの深さは、全体として図１に距離Ａとして図示する。多くの用途では、第１スロット２４、２６の深さは同じ深さＡである。なお、第１スロット２４および２６は、異なる深さに対処できるように構成できる。また、第１スロット２４、２６の深さについては、素子上の各種の点から参照できるように構成する。全体として、一対の第１スロット２４、２６は、主端子１６、１８および電圧検出端子２０、２２との間の厚み、即ち狭隘部を小さくするものである。これについては、図１に全体として距離Ｘで示す。第１スロット深さＡの決定方法について、以下説明する。
【００１５】
以下の実施例では、導電性ストリップ１２、１４を銅で構成する。既述のように、銅のＴＣＲは３，９００ｐｐｍ/℃であり、これに対して抵抗ストリップ１３のＴＣＲは１００ｐｐｍ/℃未満になることがある。第１スロット２４、２６がなければ、抵抗器１０のＴＣＲは、多量の銅が電流路に存在するため、例えばきわめて高い、正のＴＣＲ値を取ることになる。一般的には、ＴＣＲを最小限に抑えることが望ましい。即ち、絶対値がゼロに近いＴＣＲである。所定の電流検出抵抗器の一般的な範囲は±２５ｐｐｍ/℃としてもよい。ここで、所定素子の目標とする抵抗値を２００μΩ（即ち０．０００２Ω）とし、また一対の第１スロット２４、２６を使用しない初期設計では、ほぼ８００ｐｐｍ/℃のＴＣＲをもつ素子が得られると想定する。
【００１６】
銅からなる導電性ストリップ１２、１４のストリップ厚については、前記のように選択し、また抵抗ストリップ１３の寸法については、目標の抵抗値に近いがそれよりも小さい抵抗値が得られるように選択する。これは、最終的な抵抗値が、（抵抗器の抵抗値が高くなる）次のトリム加工によって設定されるからである。
【００１７】
電圧検出端子の寸法の設定とは別に、一対の第１スロット２４、２６があると、電圧検出端子２０、２２におけるＴＣＲの負特性がより強くなる。一対の第１スロット２４、２６が深くなる程、電圧検出端子２０、２２におけるＴＣＲの負特性が強くなる。一対の第１スロット２４、２６は、抵抗器それ自体のＴＣＲを有意に変えるというよりは、電圧検出端子２０、２２において観測されるＴＣＲを変えるものである。
【００１８】
例えば、第１スロット深さＡと電圧検出端子２０、２２において観測されるＴＣＲとの関係は、プロトタイププロセスによって決定できる。例えば、プロトタイプ素子を製造し、次に従来方法（即ち、所定範囲の条件で電圧、電流および温度を測定する方法）によって試験を行う。第１スロット２４、２６の深さは、負の開始ＴＣＲ値が電圧検出端子２０、２２において観測されるまで、例えばほぼ−２００ｐｐｍ/℃が観測されるまで、連続的に深くなる。従って、第１および第２スロット２４、２６は精密ではないＴＣＲ較正スロットとみなすことができる。
【００１９】
この段階では、負の開始ＴＣＲ値が望ましい。というのは、以下に詳しく説明するように、第２スロットを使用してＴＣＲ値を精密に調整するからである。第１スロット深さの設定を一旦適正化した後は、具体的なスタイルの製品（即ち、物理特性および電気特性をもつ抵抗器）についてはこの深さを変更する必要はない。これは、通常のパンチ加工、エンドミル加工やその他の機械加工技術を利用して、製造プロセスの初期の時点で一対の第１スロット２４、２６を挿入できるため、有利である。製造プロセスの次の時点でスロット加工作業を行うが、これはレーザートリム加工によって実施できる。
【００２０】
次に、図２に示すように、電圧検出端子２０、２２の間に深さがＢの第２スロット２８を設ける。一般的には、電圧検出端子２０、２２間にある抵抗ストリップ１３に第２スロット２８を形成する。なお、第２スロットを使用すると、図２に示すように、電圧検出端子２０、２２の一部を取り除くことができる。第２スロット２８の最終的な作用効果は、電圧検出端子２０、２２で検出されたＴＣＲを正駆動することである。また、第２スロット２８を設けると、図４のグラフに示すように、抵抗値が少し大きくなる。これは図４のグラフに示されている。この実施例では、（例えば図１に示すように）第２スロット２８を設けていない抵抗器のＴＣＲは、−１９８ｐｐｍ/℃である。（第２スロット２８を形成してない）素子の初期抵抗は、およそ１１０μΩ（即ち０．０００１１Ω）である。第２スロットの深さを０．０４０インチ（〜１ｍｍ）に設定すると、ＴＣＲは−１００ｐｐｍ/℃まで改善する。同様に、抵抗はおよそ１２５μΩ（即ち０．０００１２５Ω）まで高くなる。
【００２１】
図３について説明する。第２スロット２８を０．０８０インチ（〜２ｍｍ）に設定すると、ＴＣＲの正特性が連続的に強くなり、ゼロに近づく。抵抗は、およそ１４０μΩ（即ち０．０００１４Ω）まで高くなる。従って、第２スロット２８は、精密なＴＣＲ較正スロットとして機能する。上記したように、所定の素子に対する代表的なＴＣＲ目標範囲は、およそ±２５ｐｐｍ/℃になると考えられる。第２スロット２８は、レーザートリム加工、通常のパンチ加工、エンドミル加工や、あるいは材料を目的の深さおよび幅まで除去するその他の機械加工技術を利用して加工できる。
【００２２】
図３にはまた、主端子１６、１８間に形成される第３スロット３０（抵抗較正スロット）も示す。第３スロット３０の深さについては、抵抗器値を精密に調整できるように選択される。この場合、深さＣについては、目標の抵抗値が特定の許容誤差（例えば２００μΩ±１％）内に入るように選択する。第３スロット３０は、レーザートリム加工、通常のパンチ加工、エンドミル加工や、あるいは材料を目的の深さおよび幅まで除去するその他の機械加工技術を利用して加工できる。
【００２３】
なお、第１スロット２４、２６、および第２スロット２８の形成は同時でもよく、あるいは別々に行ってもよい。また、例えば抵抗器基準に従って抵抗器上でＴＣＲを測定する場合、第２スロット２８は、“実行中（on the fly）”に変更できる。即ち、各抵抗器のＴＣＲを特定の値に特化できる。付加作用効果として、第２スロット２８を、ＴＣＲ調節プロセスを大きく簡略化できるレーザートリム加工を利用して形成できることが挙げられる。図１および図２に示す第１スロット２４、２６および第２スロット２８は、全体として断面形状が矩形である。図３に示す第３スロット３０は、全体として断面形状が三角形である。なお、本発明から逸脱せずに他の単純な、あるいは複雑な幾何学的断面形状のスロットも利用可能である。
【００２４】
図５に、ＴＣＲ補償機能/作用をもつ別なスロット構成を示す。図５に示す抵抗器１００は、２つの導電性ストリップ１１２、１１４の間に抵抗ストリップ１１３を設けて全体を構成する。導電性ストリップは全体として銅シート材から構成し、材厚は例えば約０．００８〜０．１２０インチ（〜０．２から３ｍｍまで）に設定する。銅シート材の材厚は、一般的には、素子の目的とする電力損失、および目的の機械的強度に基づいて、例えば抵抗器が製造時、取り付け時、使用時に十分な強度をもつように選択する。
【００２５】
抵抗器１００は、主端子１１６、１１８および電圧検出端子１２０、１２２を備える。動作時、これら主端子１１６、１１８には、抵抗器に流れる電流の大部分が流れる。主端子の所定の内部エリアは、例えば、導電性ストリップ１１２、１１４の縁部から離しておく。主端子と電圧検出端子との間に、一対の第１スロット１２４、１２６を設ける。この実施態様では、主端子の所定の内部エリア内に電圧検出端子を形成する。この構成は、よりコンパクトな電圧検出端子を中心に設けることが必要な用途に好適である。第１スロット１２４、１２６に２つの脚部を形成する。第１脚部１２３は、“Ａ”で示すように、主電流路の全体として直交する方向に所定の長さをもつ。また、第２脚部１２５は、“Ｂ”で示すように、主電流路に対して全体として平行な方向に所定の長さをもつ。なお、第１スロット１２４および１２６は、同じ脚部長さＡおよびＢをもつ。あるいは、第１スロットは異なる脚部長さでもよい。抵抗器１００にはまた、深さＣの第２スロット１２８も設ける。これらスロット間の関係については、以下に説明する。
【００２６】
一対の第１スロット１２４、１２６が導電性ストリップ１１２、１１４の内部を区分し、４端子素子を形成する。全体として、一対の第１スロット１２４、１２６の大きさおよび位置が、電圧検出端子１２０、１２２の寸法を決定する。この実施例では、検出端子は、大体において第１脚部１２３および第２脚部１２５の間の接合部に設ける。
【００２７】
既に説明したように、第１脚部１２３の長さはＡであり、そして第２脚部１２５の長さＢである。図６に、第１スロット１２４、１２６を形成することによって得られるＴＣＲ補償機能/作用を表わすグラフを示す。サンプル１は、第１スロット１２４、１２６を形成せずに構成した基準抵抗器である。この構成のＴＣＲは、＋６０ｐｐｍ/℃である。サンプル２および３は、第１脚部１２３を付設した場合（サンプル２）の、そして長さを大きく取った場合（サンプル３）のＴＣＲ補償機能/作用を示すものである。グラフに示すように、ＴＣＲの負特性傾向がより強くなり、＋２０ｐｐｍ/℃で終わる。サンプル４および５は、第２脚部１２５を付設した場合（サンプル４）の、そして長さを大きく取った場合（サンプル５）のＴＣＲ補償機能/作用を示すものである。サンプル４および５において、第１脚部１２３は一定である。グラフに示すように、ＴＣＲの負特性傾向がより強くなり、およそ−３５ｐｐｍ/℃で終わる。
【００２８】
製造時、大体のレベルのＴＣＲ補償機能/作用が達成されるまで、第１脚部１２３を最初に挿入できる。第１脚部は、パンチ加工や機械加工を始めとする各種の方法で形成できる。次に、第２脚部１２５を挿入すると、ＴＣＲ補償機能/作用を目的のレベルに精密調整できる。第２脚部は、レーザートリム加工などの各種方法によって形成できる。多くの用途では、第１スロット１２４、１２６の寸法は同じである。なお、第１スロット１２４、１２６はそれぞれ他の脚部構成に対応させることができる。第１スロット１２４および１２６を形成した後に、第２スロット１２８を形成すると、抵抗値を精密調整できる。図５に示す第１スロット１２４、１２６、そして第１および第２の脚部１２３、１２５は断面形状が全体として矩形である。図５に示す第２スロット１２５は、断面形状が全体として円形である。なお、本発明から逸脱せずに他の簡単な、あるいは複雑な幾何学形状の断面をもつスロットまたは脚部を使用することが可能である。
【００２９】
以上の説明から、本発明の範囲から逸脱しなくても各種の変形例が可能であることを容易に理解できるはずである。例えば、第１スロット２４、２６、１２４、１２６の間隔および深さは変更することができる。同様に、他のスロットの位置および各種の端子の形状も変更可能である。当業者ならば、本発明の精神および範囲から逸脱しなくても上記実施態様について各種広範な変形、変更、組み合わせなどが可能であり、このような変形、変更、組み合わせなどは本発明の概念の領域内であることを認識できるはずである。即ち、本発明の真の精神および範囲内に包摂されるこれらすべての変更、変形は特許請求の範囲の対象内である。
【符号の説明】
【００３０】
１０：抵抗器
１２、１４：抵抗ストリップ
１６、１８：主端子
２０、２２：電圧検出端子
２４、２６：第１スロット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗の温度係数（ＴＣＲ）の補償機能/作用をもつ抵抗器において、
２つの導電性ストリップ間に設けられた抵抗ストリップ、
前記導電性ストリップ内に形成された第１及び第２主端子並びに第１及び第２電圧検出端子、
前記第１及び第２主端子と前記電圧検出端子との間に設けられ、それぞれが前記電圧検出端子において負の開始ＴＣＲ値が観測されるように選択された深さを有する第１及び第２の精密でないＴＣＲ較正スロット、および
前記第１及び第２電圧検出端子間に形成され、かつ前記電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択された深さをもつ精密なＴＣＲ較正スロットを有することを特徴とする前記抵抗器。
【請求項２】
前記第１及び第２主端子間に形成され、かつ前記抵抗器の抵抗値を較正するように選択された深さをもつ抵抗較正スロットをさらに有する請求項１に記載の抵抗器。
【請求項３】
前記の精密でないＴＣＲ較正スロットのそれぞれが、実質的に等しい深さをもつ請求項１に記載の抵抗器。
【請求項４】
前記の精密でないＴＣＲ較正スロットのそれぞれが、異なる深さをもつ請求項１に記載の抵抗器。
【請求項５】
前記の精密なＴＣＲ較正スロットが、前記抵抗ストリップ内に形成された請求項１に記載の抵抗器。
【請求項６】
前記の精密なＴＣＲ較正スロットが、抵抗ストリップおよび少なくとも一つの主端子内に形成された請求項１に記載の抵抗器。
【請求項７】
前記の精密でないＴＣＲ較正スロットが、パンチ加工または機械加工によって形成された請求項１に記載の抵抗器。
【請求項８】
前記の精密なＴＣＲ較正スロットが、レーザートリム加工によって形成された請求項１に記載の抵抗器。
【請求項９】
２つの導電性ストリップの間に抵抗ストリップを設ける工程、
前記導電性ストリップ内に第１及び第２の主端子並びに第１及び第２の電圧検出端子を形成する工程、
前記主端子と前記電圧検出端子との間に、それぞれが前記電圧検出端子において負の開始ＴＣＲ値が観測されるように選択された深さを有する第１及び第２の精密でないＴＣＲ較正スロットを形成する工程、および
前記の第１及び第２の電圧検出端子の間に、前記電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択された深さをもつ精密なＴＣＲ較正スロットを形成する工程からなる抵抗の温度係数（ＴＣＲ）補償機能/作用をもつことを特徴とする抵抗器の製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記第１及び第２の主端子間に、前記抵抗器の抵抗値が較正されるように選択された深さをもつ抵抗較正スロットを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、前記の精密でないＴＣＲ較正スロットそれぞれに実質的に等しい深さを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、前記の精密でないＴＣＲ較正スロットそれぞれに異なる深さを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、前記抵抗ストリップ内に前記の精密なＴＣＲ較正スロットを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
さらに、前記抵抗ストリップおよび少なくとも一つの前記主端子内に前記の精密なＴＣＲ較正スロットを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、前記の精密でないＴＣＲ較正スロットをパンチ加工または機械加工によって形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、前記の精密なＴＣＲ較正スロットをレーザートリム加工によって形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
抵抗の温度係数（ＴＣＲ）の補償機能/作用をもつ抵抗器において、
それぞれが所定の内部エリアをもつ２つの導電性ストリップの間に設けられた抵抗ストリップ、
前記導電性ストリップの前記所定の内部エリア内に形成された第１及び第２の主端子並びに第１及び第２の電圧検出端子、
それぞれが前記第１及び第２の主端子の間に設けられ、かつ前記電圧検出端子において精密でないＴＣＲ値が観測されるように選択された長さを有する第１のＴＣＲ較正脚部を有する第１及び第２のＴＣＲ較正スロット、および
それぞれが前記第１及び第２の主端子の間に設けられ、かつ前記電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択された長さを有する第２のＴＣＲ較正脚部を有する第１及び第２のＴＣＲ較正スロットからなることを特徴とする前記抵抗器。
【請求項１８】
前記２つの導電性ストリップが主電流路を構成し、そして前記第１のＴＣＲ較正脚部がこの主電流路に対して全体として直交配置されている請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項１９】
前記第２のＴＣＲ較正脚部が、前記主電流路に対して全体として平行配置されている請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２０】
前記第１のＴＣＲ較正脚部それぞれが実質的に等しい長さをもつ請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２１】
前記第１のＴＣＲ較正脚部それぞれが異なる長さをもつ請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２２】
前記第１及び第２のＴＣＲ較正脚部が、前記第１及び第２の電圧検出端子の位置を定める接合部を形成する請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２３】
さらに、前記抵抗ストリップ内に形成された抵抗較正スロットを有する請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２４】
前記第１のＴＣＲ較正脚部がパンチ加工または機械加工によって形成された請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２５】
前記第２のＴＣＲ較正脚部がレーザートリム加工によって形成された請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項１】
抵抗の温度係数（ＴＣＲ）の補償機能/作用をもつ抵抗器において、
２つの導電性ストリップ間に設けられた抵抗ストリップ、
前記導電性ストリップ内に形成された第１及び第２主端子並びに第１及び第２電圧検出端子、
前記第１及び第２主端子と前記電圧検出端子との間に設けられ、それぞれが前記電圧検出端子において負の開始ＴＣＲ値が観測されるように選択された深さを有する第１及び第２の精密でないＴＣＲ較正スロット、および
前記第１及び第２電圧検出端子間に形成され、かつ前記電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択された深さをもつ精密なＴＣＲ較正スロットを有することを特徴とする前記抵抗器。
【請求項２】
前記第１及び第２主端子間に形成され、かつ前記抵抗器の抵抗値を較正するように選択された深さをもつ抵抗較正スロットをさらに有する請求項１に記載の抵抗器。
【請求項３】
前記の精密でないＴＣＲ較正スロットのそれぞれが、実質的に等しい深さをもつ請求項１に記載の抵抗器。
【請求項４】
前記の精密でないＴＣＲ較正スロットのそれぞれが、異なる深さをもつ請求項１に記載の抵抗器。
【請求項５】
前記の精密なＴＣＲ較正スロットが、前記抵抗ストリップ内に形成された請求項１に記載の抵抗器。
【請求項６】
前記の精密なＴＣＲ較正スロットが、抵抗ストリップおよび少なくとも一つの主端子内に形成された請求項１に記載の抵抗器。
【請求項７】
前記の精密でないＴＣＲ較正スロットが、パンチ加工または機械加工によって形成された請求項１に記載の抵抗器。
【請求項８】
前記の精密なＴＣＲ較正スロットが、レーザートリム加工によって形成された請求項１に記載の抵抗器。
【請求項９】
２つの導電性ストリップの間に抵抗ストリップを設ける工程、
前記導電性ストリップ内に第１及び第２の主端子並びに第１及び第２の電圧検出端子を形成する工程、
前記主端子と前記電圧検出端子との間に、それぞれが前記電圧検出端子において負の開始ＴＣＲ値が観測されるように選択された深さを有する第１及び第２の精密でないＴＣＲ較正スロットを形成する工程、および
前記の第１及び第２の電圧検出端子の間に、前記電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択された深さをもつ精密なＴＣＲ較正スロットを形成する工程からなる抵抗の温度係数（ＴＣＲ）補償機能/作用をもつことを特徴とする抵抗器の製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記第１及び第２の主端子間に、前記抵抗器の抵抗値が較正されるように選択された深さをもつ抵抗較正スロットを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、前記の精密でないＴＣＲ較正スロットそれぞれに実質的に等しい深さを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、前記の精密でないＴＣＲ較正スロットそれぞれに異なる深さを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、前記抵抗ストリップ内に前記の精密なＴＣＲ較正スロットを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
さらに、前記抵抗ストリップおよび少なくとも一つの前記主端子内に前記の精密なＴＣＲ較正スロットを形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、前記の精密でないＴＣＲ較正スロットをパンチ加工または機械加工によって形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、前記の精密なＴＣＲ較正スロットをレーザートリム加工によって形成する工程を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
抵抗の温度係数（ＴＣＲ）の補償機能/作用をもつ抵抗器において、
それぞれが所定の内部エリアをもつ２つの導電性ストリップの間に設けられた抵抗ストリップ、
前記導電性ストリップの前記所定の内部エリア内に形成された第１及び第２の主端子並びに第１及び第２の電圧検出端子、
それぞれが前記第１及び第２の主端子の間に設けられ、かつ前記電圧検出端子において精密でないＴＣＲ値が観測されるように選択された長さを有する第１のＴＣＲ較正脚部を有する第１及び第２のＴＣＲ較正スロット、および
それぞれが前記第１及び第２の主端子の間に設けられ、かつ前記電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択された長さを有する第２のＴＣＲ較正脚部を有する第１及び第２のＴＣＲ較正スロットからなることを特徴とする前記抵抗器。
【請求項１８】
前記２つの導電性ストリップが主電流路を構成し、そして前記第１のＴＣＲ較正脚部がこの主電流路に対して全体として直交配置されている請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項１９】
前記第２のＴＣＲ較正脚部が、前記主電流路に対して全体として平行配置されている請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２０】
前記第１のＴＣＲ較正脚部それぞれが実質的に等しい長さをもつ請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２１】
前記第１のＴＣＲ較正脚部それぞれが異なる長さをもつ請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２２】
前記第１及び第２のＴＣＲ較正脚部が、前記第１及び第２の電圧検出端子の位置を定める接合部を形成する請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２３】
さらに、前記抵抗ストリップ内に形成された抵抗較正スロットを有する請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２４】
前記第１のＴＣＲ較正脚部がパンチ加工または機械加工によって形成された請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項２５】
前記第２のＴＣＲ較正脚部がレーザートリム加工によって形成された請求項１７に記載の抵抗器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公表番号】特表２０１３−５０４２１３（Ｐ２０１３−５０４２１３Ａ）
【公表日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５２８０３４（Ｐ２０１２−５２８０３４）
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０４７６２８
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０２８８７０
【国際公開日】平成２３年３月１０日（２０１１．３．１０）
【出願人】（５０２０２１４１９）ヴィシェイ デイル エレクトロニクス，インコーポレイテッド (9)
【氏名又は名称原語表記】ＶＩＳＨＡＹ ＤＡＬＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，ＩＮＣ．
【住所又は居所原語表記】１１２２ ２３ＲＤ ＳＴＲＥＥＴ， ＣＯＬＵＭＢＵＳ， ＮＥ ６８６０２ ＵＳＡ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０４７６２８
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０２８８７０
【国際公開日】平成２３年３月１０日（２０１１．３．１０）
【出願人】（５０２０２１４１９）ヴィシェイ デイル エレクトロニクス，インコーポレイテッド (9)
【氏名又は名称原語表記】ＶＩＳＨＡＹ ＤＡＬＥ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，ＩＮＣ．
【住所又は居所原語表記】１１２２ ２３ＲＤ ＳＴＲＥＥＴ， ＣＯＬＵＭＢＵＳ， ＮＥ ６８６０２ ＵＳＡ
【Ｆターム（参考）】
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