【課題】本発明は、大きな過電圧が印加されても抵抗体を保護することができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、前記絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面において前記一対の上面電極１２と電気的に接続されるように設けられた抵抗体１３と、前記抵抗体１３を覆うように設けられたプリコートガラス層１４と、前記抵抗体１３およびプリコートガラス層１４に設けられた抵抗値調整用のトリミング溝１５とを備え、前記プリコートガラス層１４の上面に一対のギャップ電極１６を形成し、かつ前記一対のギャップ電極１６のそれぞれの一端部１６ａを互いに離間するように配置するとともに、前記一対のギャップ電極１６の他端部１６ｂと前記上面電極１２とを電気的に接続したものである。 （もっと読む）

【課題】側面電極同士の導通を防止することができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器は、上面の一方向と交差する他方向の両縁に一方向に延びる凹部１ａを有する絶縁基板２と、絶縁基板２の上面上に形成された抵抗体３と、抵抗体３と電気的に接続され、かつ絶縁基板１の上面上に形成された上面電極２と、上面電極２と電気的に接続されており、かつ絶縁基板１の一方向の両側面をそれぞれ覆うように形成された側面電極４と、凹部１ａ上に形成された隆起部５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数が小さく使用環境の温度変化においても抵抗値の変化が少なく、断線などの問題がない品質の良い低誘電率樹脂を用いたチップ素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、インピーダンス素子２と、該インピーダンス素子２に接続された複数の電極３，５とを形成したチップ素子１０において、前記基板１はＧＨｚ帯域における寄生容量を低減できる程度の低い誘電率を有する低誘電率材料である。さらに、前記基板１は合成樹脂と無機物とを少なくとも含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 製造の効率化を図るのに適するチップ抵抗器を提供すること。
【解決手段】 第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１電極１および抵抗部３につながる第１中間層４と、第２電極２および抵抗部３につながる第２中間層５と、第１電極１を覆う被覆膜６１と、第１中間層４内に存在する酸化物部とを備え、被覆膜６１を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、第１電極１を構成する材料よりも大きく、上記酸化物部は、被覆膜６１を構成する材料の酸化物よりなる。 （もっと読む）

【課題】電極部にＣｕメッキ層と半田層やＳｎメッキ層を形成する場合に、半田食われを防ぐとともに、密着性を向上させた電子部品の電極構造を提供する。
【解決手段】抵抗体１の裏面１０ｂに、互いに間隔を隔てた一対の電極部５０が設けられ、かつ一対の電極部５０間には絶縁層２Ａが設けられている。電極部５０は、電極層３と電極層３上に積層されたメッキ電極層とで構成される。メッキ電極層は、銅メッキ層３１、スズメッキ層３２、ニッケルメッキ層３３、スズを含むメッキ層３４を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐硫化性を有するチップ抵抗器に関する。
【解決手段】本発明のチップ抵抗体は、絶縁基板１１、銀ベースのサーメットを使用して基板の上面に形成された上部端子電極１２、底部電極１３、上部端子電極１２間に位置され、それらに部分的に重なる抵抗素子１４、抵抗素子１４を完全にまたは部分的に覆うオプションの内側保護コーティング１５、内側保護コーティング１５を完全に覆い、上部端子電極１２を部分的に覆う外側保護コーティング１６、基板の端面と上部電極１２と底部電極１３を覆い外側保護コーティング１６に部分的に重なるニッケルのメッキ層１７と、ニッケル層１７を覆う仕上げメッキ層１８とを備える。ニッケル層１７と外側保護層１６との重なり合いは、ニッケルメッキプロセスの前に外側保護層１６の縁部をメッキ可能にするので封止特性を有する。 （もっと読む）

【課題】調整できる抵抗値の範囲を広くすることができ、かつ高精度のトリミングが行えるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２、３を備えている。電極２と電極３は離間し、かつ対向して配置されている。抵抗体４の形状は、長方形に形成されている。また、抵抗体４は、電極２から電極３に渡って形成される。電極２と電極３の離間領域を覆っている抵抗体４の形状は、台形である。電極２と電極３の離間領域は、電極２と電極３が形成される延伸方向に段階的に電極間の間隔が広がるように構成されている。すなわち、電極２と電極３との間の経路の抵抗値が、抵抗体４の２辺の一方の辺から他方の辺に向かって段階的に増加するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半田接合部がヒートショックで損傷する可能性の低いチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の裏面電極３は、セラミック基板２の裏面に固着された焼成銀からなる第１電極層３ａと、第１電極層３ａの中央部を横断する領域に積層された焼成銀からなる第２電極層３ｂとで構成されており、第２電極層３ｂの側面から第１電極層３ａの表面へ至る段差１２が形成され、メッキ層（ニッケルメッキ層９および半田メッキ層１０）の裏面電極３を覆う部分には段差１２と対応する段差１３が形成されている。したがって、このチップ抵抗器１が回路基板３０上に実装されると、裏面電極３とランド３１との間に介設される半田接合部（半田３２）の厚みが段差１３部分で増大し、第１および第２電極層３ａ，３ｂの境界部分に熱応力が集中する虞もないため、半田接合部がヒートショックで損傷する可能性は低いものとなる。 （もっと読む）

【課題】ハンダフィレットを介してプリント基板に実装した状態で通電を繰り返した場合でも、チップ抵抗器とハンダとの間の接合部にクラックが発生するのを防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０の下面に樹脂ペーストにより形成された絶縁膜１２が設けられ、一対の電極部３０における各電極部が、上面電極３２と、絶縁膜１２の下面に形成された下面電極４０と、絶縁基板１０の側面と下面電極４０の下面に設けられた側面電極５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、バレルメッキの工程において裏面電極同士がくっつきあうことを防止することができ、歩留まりを向上させたチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】裏面電極１５を矩形状の絶縁基板１１の長辺側の端部に沿って設けられたチップ抵抗器であり、裏面電極１５に長辺方向に複数個の厚膜部１９を設けたものであり、このように構成することによりバレルメッキ時のくっつきを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低いものであっても、抵抗値の安定性が高い薄膜チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】絶縁基板１１上に両端部１３から内側に延出して形成した貴金属からなる第１上面電極１４と、第１上面電極１４を覆い両端部１３間をつなぐ薄膜からなる抵抗体１６と、この上に設けられ第１上面電極１４に上面視にて重なる厚膜からなる第２上面電極１７を有し、第１上面電極１４を設けた部分における幅をそれぞれ第１上面電極１４をＷ１、抵抗体１６をＷ２、第２上面電極１７をＷ３としたとき、Ｗ１＜Ｗ３＜Ｗ２の関係を有し、抵抗体１６の両側面側から内側に向かって、第１上面電極１４に達する切り欠き部１８を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】熱放散性に優れ、現状工程への適合性が高く、且つ信頼性に優れたチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１と、その表面両端部に配置された一対の第１表電極１２と、該第１表電極に接続する抵抗体１５と、該抵抗体を被覆する第１保護膜１６と、該第１保護膜上に前記第１表電極と一部が接続するように配置された第２表電極１８と、前記抵抗体１５と前記第１保護膜１６に設けられた切り込み溝Ｘと、前記第２表電極１７の一部と、前記第１保護膜１６および前記切り込み溝Ｘを被覆する第２保護膜１８とを備え、前記第１保護膜１６と前記第２保護膜１８の間に形成される第２表電極１７は、前記切り込み溝Ｘを被覆せず、該切り込み溝Ｘにより狭くなった狭小部Ｙを覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値調整を行ったチップ抵抗器において、耐サージ特性を向上させることができるものを提供する。
【解決手段】抵抗体２０が、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の領域Ｐ１と領域Ｐ１の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の領域Ｐ２とを有し、抵抗体２０には、辺部２０ａからトリミング溝Ｔ１が形成され、該トリミング溝Ｔ１は、辺部２０ａから電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部２０ａに近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる円弧状部分Ｔ１ａと、円弧状部分Ｔ１ａの終端から連設され、電極間方向に形成された直線状部分Ｔ１ｂを有し、直線状部分Ｔ１ｂの終端が、領域Ｐ１内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性と耐半田食われ性にともにすぐれる、鉛フリーの厚膜導体形成用組成物を低コストで提供する。
【解決手段】本発明は、チップ抵抗器の電極として用いられる厚膜導体を形成するための組成物に関する。本発明の組成物は、導電粉末としてＡｇ粉末が、酸化物粉末として、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ₂Ｏ₃粉末とが、それぞれ含まれており、かつ、添加物としてカーボン粉末が添加されている。導電粉末１００質量部に対し、カーボン粉末が１〜１０質量部、前記ガラス粉末が０．１〜１５質量部、前記Ａｌ₂Ｏ₃粉末が０．１〜８質量部である。前記ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ₂：２０〜６０質量％、Ｂ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、Ａｌ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ₂Ｏ：０．５〜６質量％である。 （もっと読む）

【課題】回路基板からの熱膨張や熱収縮による応力を緩和する。
【解決手段】面実装型抵抗器１００は、長辺及び短辺を有する第１主面及び第２主面を有する板状母材１０２と、板状母材１０２の第１主面上に形成される抵抗体素子１０６と、抵抗体素子１０６の長辺の端部側に抵抗体素子１０６と一体的に設けられる一対の内部電極１０４を備える。さらに内部電極固着部１１２と側片１１４で形成されるＬ字状の形態を成す第１屈曲部１１０ａと側片１１４と基板固着部１１６とで形成されるＬ字状の形態を成す第２屈曲部１１０ｂを有する一対の外部電極１１０とを備える。内部電極１０４と内部電極固着部１１６とは導電性固着材１０８によって固着され、板状母材１０２の厚み方向の位置が第１屈曲部１１０ａ側に偏倚している。 （もっと読む）

【課題】チップ抵抗器において、耐サージ性をより良好とすることができ、これにより、高電力化が可能なチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】平面視で略長方形状の絶縁基板（基板）１０と、基板１０の上面における互いに対向する長辺側にそれぞれ形成された一対の上面電極３０、３２と、該一対の上面電極間に形成され蛇行した形状の抵抗体２０とを有し、少なくとも一方の上面電極において、絶縁基板１０の長辺に沿った方向の幅が基板の長辺の長さよりも短く形成されるとともに、短辺側に偏って形成され、抵抗体２０においては、基板１０の短辺側に形成された折り返し部分と、基板１０の長辺側に形成された折り返し部分とを有し、２つの折り返し部分は直列に接続され、基板１０の長辺側に形成された折り返し部分は、上面電極３０が形成された長辺における上面電極が形成されていない部分と対向している。 （もっと読む）

【課題】部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器であって、レーザーによりビアホールを形成する際に、抵抗体や保護膜が損傷するおそれがなく、また、レーザーを照射する際に極端に正確な位置精度が要求されないチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】一対の電極部３０における一方の下面側の部分である下面側電極部３１ａ他方の下面側の部分である下面側電極部３１ｂとが、略同一の大きさを有するとともに、互いに略同一形状（又は略点対称の形状）を有し、下面側電極部３１ａの面積である第１面積と、下面側電極部３１ｂの面積である第２面積と、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域の面積である第３面積との合計面積における第１面積と第２面積の合計の割合が７５〜９０％であり、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の間隔が６０μｍ以上となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数対の上面電極層のそれぞれに電圧端子や電流端子における分岐された先端部をそれぞれ接触させて製品としての抵抗値を測定する場合、製品としての抵抗値を常に正確に測定することができる低抵抗角形チップ抵抗器の抵抗値測定方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の低抵抗角形チップ抵抗器の抵抗値測定方法は、複数対の上面電極層１３に電圧端子１９，２０の分岐された先端部と電流端子２１，２２の分岐された先端部をそれぞれ接触させて製品としての抵抗値を測定する際、前記電圧端子１９，２０や電流端子２１，２２の分岐された先端部と上面電極層１３との接触抵抗２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａの抵抗値より大きくかけ離れた非常に大きい抵抗値を有する抵抗２７ａ，２８ａ，２９ａ，３０ａをあらかじめ設けたもので製品としての抵抗値を測定するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】Ｎ、Ｏ、Ｔａの元素組成プロファイルが安定し、抵抗膜中にＮを安定して含有し、Ｏが少なく、化学量論的な組成に近いＴａＮ膜が得られ、耐酸化性が優れていて信頼性が高いオーディオ用抵抗体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に、ＴａＮ膜を含む抵抗膜をパターン形成する。そして、前記抵抗膜上に層間絶縁膜を形成し、その後、前記抵抗膜を７５０乃至１１００℃で焼鈍する。その後、前記層間絶縁膜上に、前記抵抗膜に接続された抵抗引き出し用の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜の単層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、アンプの出力段の半導体集積回路の抵抗体として使用したときに優れた音質が得られる高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖである窒化タンタル膜の単層膜であり、この窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素ガス分圧比を３乃至１０％としてスパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（１／１６５）Ｔ＋（９５／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たす。 （もっと読む）