【課題】 製造の効率化を図るのに適するチップ抵抗器を提供すること。
【解決手段】 第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１電極１および抵抗部３につながる第１中間層４と、第２電極２および抵抗部３につながる第２中間層５と、第１電極１を覆う被覆膜６１と、第１中間層４内に存在する酸化物部とを備え、被覆膜６１を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、第１電極１を構成する材料よりも大きく、上記酸化物部は、被覆膜６１を構成する材料の酸化物よりなる。 （もっと読む）

【課題】板厚み内部に位置させたとき部品端子からの導電路の配置密度を向上させること。
【解決手段】直方体状の素子部材と、素子部材の長手方向の一方向側の端部面である第１の端部面上に、および該第１の端部面に連なる素子部材の少なくとも上面上および下面上のそれぞれ一部に第１の端部面上と連なるように設けられた第１の端子電極と、素子部材の長手方向の他方向側の端部面である第２の端部面上に、および該第２の端部面に連なる素子部材の少なくとも上面上および下面上のそれぞれ一部に前記第２の端部面上と連なるように設けられた第２の端子電極と、を具備し、第１の端子電極および第２の端子電極が、いずれも、素子部材の上面上に設けられている面積の方が、素子部材の下面上に設けられている面積よりも広い。 （もっと読む）

【課題】小型で耐サージ特性に優れ、また放熱性に優れ、同じチップ面積でより大きな定格電力を持つチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板３０に形成した一対の電極３６間を絶縁基板３０の表面又は裏面に形成した蛇行する抵抗体３５で接続したチップ抵抗器であって、絶縁基板３０の表面又は裏面に形成された蛇行する溝状凹部に、絶縁基板３０の表面又は裏面と略同じ高さまで前記抵抗体３５を埋設する。 （もっと読む）

【課題】表面実装可能な電気回路保護デバイスを提供する。
【解決手段】表面実装可能な電気回路保護デバイス（１０）は第１のポリマー正温度係数（ＰＰＴＣ）抵抗要素（１６）、第２のＰＰＴＣ抵抗要素（１８）、および第１および第２のＰＰＴＣ要素の間に熱的に接触して配置されたプレーナツェナーダイオードチップなどの少なくとも１つの発熱電気部品（２０）を規定する層を含み、これにより、閾値より大きい電流が部品に流れて部品を加熱し、この熱がＰＰＴＣ抵抗要素に伝導されて、第１または第２のＰＰＴＣ要素の少なくとも１つ、好ましくは双方が高抵抗状態にトリップするようになっている。エッジに形成された一連のターミナル電極（２２、２４、２６）により、第１および第２のＰＰＴＣ要素および電気部品をプリント回路基板などの電気回路基板に表面実装接続することが可能になる。また、このデバイスを製造する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装状態に関係なく抵抗値を安定化させることができる抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、長手方向と直交する断面形状が略正方形で絶縁性の基台１１と、この基台１１の表面の全面に設けられた金属皮膜１２と、前記基台１１の両端部１１ａに位置する金属皮膜１２に設けられた電極１３とを備え、金属皮膜１２を貫通しないようにトリミング溝１５を形成し、かつこのトリミング溝１５を螺旋状に構成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装状態に関係なく抵抗値を安定化させることができる抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、長手方向と直交する断面形状が略正方形で絶縁性の基台１１と、この基台１１の表面の全面に設けられた金属皮膜１２と、前記基台１１の両端部１１ａに位置する金属皮膜１２に設けられた電極１３とを備え、前記基台１１の電極１３が設けられていない部分１１ｂにおける四つの面１４ａ〜１４ｄの金属皮膜１２に、それぞれ同一形状かつ同じ大きさのトリミング溝１５を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】ハンダフィレットを介してプリント基板に実装した状態で通電を繰り返した場合でも、チップ抵抗器とハンダとの間の接合部にクラックが発生するのを防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器Ｐ１は、樹脂系の導電ペースト（例えば、樹脂銀ペースト）により形成された側面電極５０と、側面電極の表面に形成されたメッキ６０とを有し、メッキ６０は、内側層として厚さが１０〜３０μｍの銅メッキ６２を有し、この銅メッキ６２が側面電極５０の表面に積層している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板との接続強度を向上させることができるチップ型抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ型抵抗器の製造方法は、導電体７の上面の中央部に凹部８を形成する工程と、前記凹部８に抵抗体４を嵌め込む工程と、前記導電体７と前記抵抗体４とを接合する工程と、前記抵抗体４の下面４ａが露出するように前記導電体７の下面の中央部を切削することにより、互いに分離した一対の電極５を形成する工程とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、過負荷特性の劣化を防止できる抵抗器およびその製造方法、並びにその実装方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、セラミック碍子からなり断面が略方形の基台１１と、この基台１１の全表面に設けられた金属皮膜１２とを備え、前記金属皮膜１２を前記基台１１の両端部に位置する電極部１３とこの電極部１３間に位置する素子部１４とで構成し、前記電極部１３における前記金属皮膜１２に貫通孔１６を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 より正確にチップ抵抗器を製造できるチップ抵抗器の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板材料７の表面７ａに抵抗体層２を形成する工程と、基板材料７に、方向ｘに沿って延びているとともに表面７ａから凹む複数の溝７１を形成する工程と、溝７１の側面７１１に導電体層３を形成する工程と、基板材料７に含まれているとともに溝７１により区画された複数の基材７３をそれぞれ方向ｙに沿って分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐半田喰われ性と耐酸性を兼ね備えた特性を有するチップ抵抗器の電極を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の電極は、導電性粉、鉛フリーのガラスフリットおよび樹脂バインダーを含む導電性ペーストから形成されるチップ抵抗器の電極であって、導電性粉は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）およびそれらの合金よりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属粉であり、かつ、ガラスフリットは、ＳｉＯ₂を６０ｗｔ％以上含む第一のガラスフリットおよびＴｉＯ₂を５ｗｔ％以上含む第二のガラスフリットを１：３〜５：１の重量比で含むことを特徴とする。本発明はさらに、上記チップ抵抗器の電極の製造方法を含む。 （もっと読む）

【課題】外部電極に対する導電性接着剤の電気的および機械的な接続の信頼性を高めることが容易なチップ抵抗器とその実装構造を安価に提供すること。
【解決手段】チップ抵抗器１の絶縁性基板２の上面には、抵抗体４と、抵抗体の両端部に重なり合う一対の内部電極３と、抵抗体を覆う第１の保護層５および第２保護層６と、内部電極の露出部分を覆う外部電極７とが設けられており、一対の外部電極によって絶縁性基板の側端面が覆われていると共に、外部電極の表面が露出している。外部電極は樹脂材料に導電材料が分散されている導電性接続材料からなり、回路基板３０への実装時に使用される導電性接着剤３２の樹脂成分と外部電極の樹脂成分は同質である。また、内部電極の抵抗体側の端部が第２保護層によって覆われていると共に、第２保護層の内部電極側の端部が外部電極によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】 多層回路基板を製造する過程で、チップ抵抗器の抵抗値の低下を防ぐことができる多層回路基板を提供する。
【解決手段】 表面にチップ抵抗器１１が配置された回路基板３の上に、プリプレグ７，９を介して重ね合わされた別の回路基板５を含む基板積層体を加熱加圧して多層回路基板を作る。チップ抵抗器１１として、絶縁性基板１８の表面にＡｕを含むガラスペーストを用いて形成された一対の表面電極部２７，２７間に抵抗体ペーストが印刷形成された抵抗体２３を有するものを用いる。 （もっと読む）

【課題】素体の表面を保護しつつ、端子電極の形成部位以外の部位へのめっき金属の析出を抑制可能な積層チップバリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る積層チップバリスタ１は、半導体を主組成とした素体２と、素体２上に形成された端子電極８と、少なくとも端子電極８の形成部位以外の素体２の表層に形成された、アルカリ金属を含有する高抵抗層５と、高抵抗層５上に形成されたガラス層６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い抵抗値でＴＣＲ特性が良好な微小サイズのチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板１１の上面の両端部に一対の第１上面電極１３を印刷して焼成する工程と、この一対の第１上面電極１３を橋絡するように第１の抵抗体１４を印刷する工程と、この第１の抵抗体１４および前記一対の第１上面電極１３と電気的に接続されるように一対の第２上面電極１５を印刷する工程と、前記第１の抵抗体１４の一部を覆う第２の抵抗体１６を印刷する工程とを備えるとともに、前記第２の抵抗体１６の長さを前記第１の抵抗体１４の長さより短く形成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小形化を行った場合でも容易に生産することができるチップ形ジャンパーを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ形ジャンパーは、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面に設けられた導体部１２と、この導体部１２を覆うように設けられた保護膜１３と、前記絶縁基板１１の両端部に設けられ、かつ前記導体部１２と電気的に接続された端面電極１４とを備え、前記導体部１２をＡｕまたはＡｇのナノペーストで形成するか、あるいはＣｕ、Ａｌ、Ｎｉまたはこれらを含む合金を溶射することによって形成したものである。 （もっと読む）

【課題】一対の上面電極が、これらが形成された辺部の長さよりも短い幅に形成されていて、抵抗体が、絶縁基板における電極部形成側の辺部近くにまで形成されたチップ抵抗器において、チップ抵抗器の両端に大きなサージ電圧が印加された場合でも、抵抗体と側面電極との間に放電の発生を防ぐことができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器Ａにおいて、側面電極６０、６２は、絶縁基板１０の長辺部における一部の領域のみに形成され、絶縁基板１０の上面側の長辺部に沿った領域には、側面電極が形成されていない非形成領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発熱抵抗体の温度抵抗係数を小さくすることが可能なヒータを提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に形成された発熱抵抗体２と、を備えるヒータＡであって、発熱抵抗体２は、Ａｇ−Ｐｄとガラスとを含んでおり、発熱抵抗体２中の上記ガラスの重量比率をｘとした場合、上記Ａｇ−Ｐｄ中のＰｄの重量比率ｙは、−０．０９１ｘ＋０．５０≦ｙ≦−０．０９１ｘ＋０．５７とされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型で、かつ耐サージ特性の良好なチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、１６０８サイズ以下の矩形状の絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１３と、この一対の上面電極１３と電気的に接続されるように設けられた抵抗体１４とを備え、前記抵抗体１４における一対の上面電極１３と重ならない部分の長さ（抵抗体１４の有効長さ）を前記絶縁基板１１の長さの５０％以上にするとともに、前記抵抗体１４の焼成後の厚みを１２μｍ以上としたものである。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗値が７００μΩ・ｃｍ以上であり、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲内であり、１５５℃で１０００時間の高温保持における経時的抵抗変化率が０．１％以下であり、酸性人工汗液を用いた電食試験における溶解開始電圧が３Ｖ以上である薄膜抵抗器を提供する。
【解決手段】Ｔａを２０〜６０質量％、Ａｌを２〜１０質量％、および、Ｍｏを０．５〜１５質量％含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．７５〜１．１である抵抗薄膜材料からなるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、絶縁材料基板上に抵抗薄膜を形成し、その後、得られた抵抗薄膜を大気中、２００〜６００℃で、１〜１０時間、熱処理をすることにより、薄膜抵抗器を得る。 （もっと読む）