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Fターム[5E033AA01]の内容

固定抵抗器 (1,652) | 抵抗体の組成 (460) | 薄膜 (116)

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【課題】熱膨張係数が小さく使用環境の温度変化においても抵抗値の変化が少なく、断線などの問題がない品質の良い低誘電率樹脂を用いたチップ素子を提供すること。
【解決手段】基板1上に、インピーダンス素子2と、該インピーダンス素子2に接続された複数の電極3,5とを形成したチップ素子10において、前記基板1はGHz帯域における寄生容量を低減できる程度の低い誘電率を有する低誘電率材料である。さらに、前記基板1は合成樹脂と無機物とを少なくとも含んで構成される。 (もっと読む)


【構成】本発明は、抵抗の温度係数(TCR)補償機能/作用をもつ電流検出抵抗器、および電流検出抵抗器の製造方法に関する。この抵抗器は、2つの導電性ストリップ間に設けられた抵抗ストリップを有する。これら導電性ストリップ内に一対の主端子および一対の電圧検出端子を形成する。主端子と電圧検出端子との間に一対の精密でないTCR較正スロットを設ける。これら精密でないTCR較正スロットの深さについては、電圧検出端子において負の開始TCR値が観測されるように選択する。一対の電圧検出端子間に精密なTCR較正スロットを形成する。この精密なTCR較正スロットの深さについては、電圧検出端子においてゼロに近づくTCR値が観測されるように選択する。抵抗較正スロットの深さについては、抵抗器の抵抗値が較正されるように選択する。 (もっと読む)


【課題】抵抗膜が占有する面積が小さくし、小型化を容易に実現する。
【解決手段】第1の溝M1と、第1の溝M1よりも深い第2の溝M2とを、第1絶縁膜201の表面に形成する。そして、その第1の溝M1の表面を被覆するように第1抵抗膜312を形成すると共に、第2の溝M2の表面を被覆するように第2抵抗膜322を形成する。 (もっと読む)


【課題】十分な耐電圧特性を有し、高歩留まりで製造可能なチップ抵抗器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平面視矩形状とした絶縁基板と、この絶縁基板の上面に所定の間隔を隔てて設けた第1と第2の上面電極と、一方端を第1の上面電極に電気的に接続させるとともに、他方端を第2の上面電極に電気的に接続させて絶縁基板の上面に設けた抵抗体とを有するチップ抵抗器及びその製造方法において、抵抗体をトリミングすることにより形成したトリミング溝を、第1の上面電極と抵抗体との間、及び/または第2の上面電極と抵抗体との間に設ける。 (もっと読む)


【課題】従来技術に不必要な電流伝導インピーダンスを回避し、抵抗温度係数(TCR)を有効に安定的に低減する。
【解決手段】熱溶融接合層により基材と抵抗体とを対向接合させ、保護層を該抵抗体の一部の表面に被覆することで、該抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を2つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。基材と抵抗体との接合設計は、従来技術のように半導体製造工程を使用したことで発生していた高コストという問題が回避でき、製造の容易化、製造プロセス歩留まりの向上およびコストの低下を図ることが可能である。 (もっと読む)


【課題】保護膜とチップ基板との間からの水分の滲入によって電界腐食反応が生じ、抵抗体の腐食および消失が生じることにより断線が生じることのないチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】平面視矩形状としたチップ基板と、このチップ基板の表面に設けた抵抗体層と、この抵抗体層とともにチップ基板の表面を被覆する保護層とを有するチップ抵抗器において、保護層で被覆されるチップ基板の表面に、凹部が形成された凹凸領域を設ける。凹凸領域のチップ基板の表面を梨地面とする。または、凹凸領域の凹部をチップ基板の側縁と平行なスリットとする。 (もっと読む)


【課題】抵抗体をレーザトリミングすることにより発生したトリミングクズの残留に起因した不良の発生を抑制可能としたチップ抵抗器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に設けた抵抗体にレーザトリミングによってトリミング溝を形成して抵抗値を調整したチップ抵抗器及びその製造方法において、レーザトリミング前に抵抗体の上面に樹脂製の保護膜を設けてレーザトリミングを行うととともに、レーザトリミング後に保護膜を除去し、抵抗体の上面に、トリミング溝を埋め戻すとともに抵抗体を絶縁被覆する絶縁保護膜を設ける。 (もっと読む)


【課題】二次電極を設けることなく平坦性を向上させたチップ型電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に表面電極が設けられるとともに裏面に裏面電極が設けられた矩形体状のチップ基板と、チップ基板の表面に設けたオーバーコート層と、チップ基板の側面に設けて表面電極と裏面電極とを電気的に接続する側面電極とを有するチップ型電子部品及びその製造方法において、オーバーコート層に、チップ基板の側面に向けて突出させて表面電極の一部を被覆する突出部を設ける。突出部の突出側の端部をチップ基板の側面まで延伸させている。または、突出部をオーバーコート層の四隅にそれぞれ設ける。 (もっと読む)


【課題】高感度であり、かつ感温抵抗体が剥がれ難い、薄膜センサとして好適な積層体、該積層体からなる薄膜センサ(たとえば、温度センサ)、および該薄膜センサを有する薄膜センサモジュール(たとえば、温度センサモジュール)を提供すること。
【解決手段】絶縁基板と、該絶縁基板上に積層された、ケイ素と炭素、窒素、フッ素および酸素からなる群から選ばれる元素との化合物からなるケイ素化合物層と、該ケイ素化合物層上に積層された、遷移金属を主成分とする材料からなる密着層と、該密着層上に積層された、白金族元素を主成分とする金属の結晶からなる感温抵抗体とを有する積層体。 (もっと読む)


【課題】 シート状抵抗部品の製造方法において、安定した抵抗値が得られ、また少ない工程数で製造し、さらにはクロム酸を使用せず環境負担の低減を図ること。
【解決手段】 樹脂フィルム1上にCr系の抵抗薄膜2及びCu電極がこの順に積層形成された銅張り抵抗フィルムのCu電極をアルカリエッチングによりパターンエッチングしてCr系の抵抗薄膜2を一部露出させる工程と、露出したCr系の抵抗薄膜2の表面を酸洗する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】薄膜抵抗素子において電極及び絶縁層上に成膜される抵抗膜のクラックを防止する。
【解決手段】本薄膜抵抗素子は、基板と、基板上に形成された絶縁層と、基板又は絶縁層の上に形成された電極と、電極と絶縁層との段差又は電極と絶縁層とが接する部分に生ずる不連続部を解消するように形成されたパッシベーション層と、パッシベーション層及び電極上に形成された抵抗薄膜とを有する。パッシベーション層によって、段差又は不連続部を解消して、抵抗薄膜への影響を押さえ込み、クラックを防止する。なお、パッシベーション層の端部には、テーパーが付されているようにしてもよい。これによって、パッシベーション層によって段差を形成しないようにして、抵抗薄膜への影響を押さえ込むようにする。 (もっと読む)


【課題】高比抵抗で低抵抗温度係数を有し、かつ使用時の加熱による抵抗値の変化率が小さい高耐熱性の薄膜抵抗体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気的絶縁性を有する基板の表面上に形成された、クロム−アルミニウム−ケイ素系三元合金からなる薄膜抵抗体であって、各元素の組成割合は、Cr−Al−Si三元系組成図上において、下記に示す組成点(A)、(B)及び(C)を頂点とする三角形の内部に相当する数値範囲を有し、かつ、薄膜抵抗体の比抵抗は、500μΩ・cm以上、抵抗温度係数の絶対値は、50ppm/℃以下、さらに155℃で1000時間保持後の抵抗変化率は、0.05%以下であることを特徴とする。
組成点(A):Cr、Al及びSiの組成は各々55、40、及び5重量%
組成点(B):Cr、Al及びSiの組成は各々50、10、及び40重量%
組成点(C):Cr、Al及びSiの組成は各々75、5、及び20重量% (もっと読む)


【課題】抵抗体素子やコンデンサ部品、部品内蔵プリント配線板に有用な、安定した高品質の抵抗体薄膜が形成された薄膜抵抗体素子用の抵抗体薄膜積層フィルムの提供。
【解決手段】基板の一面上に抵抗体薄膜層が形成され、該抵抗体薄膜層上に電極層が形成されてなる抵抗体薄膜積層フィルムにおいて、該基板がベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類を出発材料とする線膨張係数が1〜12(ppm/℃)のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムである抵抗体薄膜積層フィルム。 (もっと読む)


【課題】 抵抗体膜の安定性を損なわずに薄く形成し、高い抵抗値を得る。
【解決手段】 基板12の絶縁性の表面上に膜状の抵抗体14を形成し、この抵抗体膜14を保護層16で被覆し、外部電極18を設けたチップ抵抗器10において、抵抗体膜14を形成する基板12表面の算術平均粗さRaを0.02μm以下とする。このチップ抵抗器は、a)表面の算術平均粗さRaを0.02μm以下にした基板12を用意し;b)この基板表面上に膜状の抵抗体14を形成し;c)この抵抗体膜14をフォトリソグラフィ法によりエッチングして抵抗パターンを形成し、;d)抵抗体膜14を保護層16で被覆し;e)外部電極18を設ける;ことにより製造できる。 (もっと読む)


【課題】比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい薄膜抵抗体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1である薄膜に熱処理を施し、比抵抗が500〜3000μΩ・cmであり、かつ、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃である薄膜抵抗体を得る。前記熱処理の温度は、400〜800℃の範囲内で前記薄膜の組成に応じて選択される。 (もっと読む)


【課題】 回路の作成及び変更を容易に行うことができる回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板3上に銀を用いて回路パターン5を形成し、この回路パターン5の一部をオゾン曝露によって酸化させて抵抗器51を形成した。 (もっと読む)


【課題】抵抗性チップを備えた半導体プローブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1不純物がドーピングされた抵抗性チップであって、抵抗性チップの尖頭部には、第1不純物と極性の異なる第2不純物が低濃度にドーピングされた抵抗領域が形成され、抵抗性チップの傾斜面には、第2不純物が高濃度にドーピングされた第1半導体電極領域及び第2半導体電極領域が形成された抵抗性チップと、抵抗性チップが末端部に位置するカンチレバーと、カンチレバー上で抵抗領域を覆う誘電層と、誘電層上で抵抗領域に該当する領域に開口の形成されたメタルシールドと、を備えることを特徴とする抵抗性チップを備えた半導体プローブである。これにより、半導体プローブの空間分解能が向上する。 (もっと読む)


【課題】ダンピング抵抗でありながら高周波側において減衰特性を付加した電子部品を提供する。ここで、減衰特性を付加したとしても、CRフィルタに比べて、移相特性を平坦な特性として、信号の波形歪みを少なくする。
【解決手段】電子部品は、樹脂基板と、該樹脂基板の上に接着された、厚みが1μm以上の金属からなる接地電極と、該接地電極の上に形成された誘電体層と、該誘電体層の上に形成された、体積抵抗が1μΩm以上1Ωm以下の抵抗体からなるパターニング形成された信号ラインと、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発熱素子が設けられる基板の熱伝導性を改良した電力抵抗器等の電気装置の提供。
【解決手段】電気装置10は導電性抵抗素子18を具備し、抵抗素子18は、抵抗素子18からの熱を移送するために熱移送媒体上に設けられる。抵抗素子18は、窒化アルミニウム基板の一表面にスパッタリングされた80/20ニッケル・クロム材料を具備する。80/20ニッケル・クロム材料は0.5〜25μmの範囲内の厚さで基板表面に付着される。抵抗素子の抵抗は、スパッタリング工程で反応ガスを導入することによってスパッタリングされた膜の化学組成を変更することにより、制御される。 (もっと読む)


【課題】高容量キャパシタと抵抗を同時に搭載し、かつ、ハンドリング性がよく、実装も容易に行え、さらに、電子部品の小型化・薄型化にも対応できる回路部品を提供する。
【解決手段】薄膜キャパシタと薄膜抵抗とを同一の基板上にそれぞれ1以上形成した回路部品であって、前記薄膜キャパシタは、下部電極、陽極体、陰極からなり、該陽極体は、多孔質バルブ金属薄膜の表面に、該バルブ金属の酸化皮膜を形成してなり、前記多孔質バルブ金属薄膜は、外界とつながっている複数の微細孔を有する多孔質の薄膜であって、該薄膜の表面積は該薄膜の表面が平滑であると仮定した場合の表面積の2倍以上とする。 (もっと読む)


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