【課題】本発明は、抵抗値が低くＴＣＲが小さいチップ抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面に形成された抵抗体１２と、この抵抗体１２の上面の両端部に形成されたＣｕからなる一対の上面電極１３と、前記抵抗体１２を覆うように形成された保護膜１４と、前記絶縁基板１１の両端面において前記抵抗体１２、一対の上面電極と１３接続されるように形成された端面電極１５とを備え、前記抵抗体１２を、Ｃｕからなる第１抵抗層１２ａと、前記一対の上面電極１３が位置しない箇所において前記第１抵抗層１２ａの厚みより厚いＣｕＮｉからなる第２抵抗層１２ｂとで構成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実装状態に関係なく抵抗値を安定化させることができる抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、長手方向と直交する断面形状が略正方形で絶縁性の基台１１と、この基台１１の表面の全面に設けられた金属皮膜１２と、前記基台１１の両端部１１ａに位置する金属皮膜１２に設けられた電極１３とを備え、前記基台１１の電極１３が設けられていない部分１１ｂにおける四つの面１４ａ〜１４ｄの金属皮膜１２に、それぞれ同一形状かつ同じ大きさのトリミング溝１５を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】加工部周辺へのデブリの付着による抵抗体の抵抗値の変動及び抵抗体溶融物の発生による抵抗体の抵抗値の変動を抑えて、抵抗体の抵抗値を安定して調整できるとともに、被膜の除去が簡単な抵抗体のトリミング方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された抵抗体２にレーザー光線６を照射してトリミングすることにより抵抗体２の抵抗値を調整する抵抗体２のトリミング方法であって、レーザー光線６を照射する前に、抵抗体２の表面に、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされているモノマー単位を有するビニル系重合体（Ａ）及びニグロシン（Ｂ）を含有する組成物から被膜４を形成し、被膜４を通じて抵抗体２にレーザー光線６を照射することを特徴とする抵抗体のトリミング方法。 （もっと読む）

【構成】本発明は、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）補償機能/作用をもつ電流検出抵抗器、および電流検出抵抗器の製造方法に関する。この抵抗器は、２つの導電性ストリップ間に設けられた抵抗ストリップを有する。これら導電性ストリップ内に一対の主端子および一対の電圧検出端子を形成する。主端子と電圧検出端子との間に一対の精密でないＴＣＲ較正スロットを設ける。これら精密でないＴＣＲ較正スロットの深さについては、電圧検出端子において負の開始ＴＣＲ値が観測されるように選択する。一対の電圧検出端子間に精密なＴＣＲ較正スロットを形成する。この精密なＴＣＲ較正スロットの深さについては、電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択する。抵抗較正スロットの深さについては、抵抗器の抵抗値が較正されるように選択する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気特性を向上させることができるとともに、１次分割および２次分割も効率よく行える薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の薄膜チップ抵抗器の製造方法は、分割溝が形成されていないシート状の絶縁基板１として、表面粗さＲａが０．１μｍ以下であるアルミナ純度９９％以上のアルミナ基板を用いるとともに、前記絶縁基板１の上面と裏面に前記薄膜抵抗体層をチップ形状に分割する１次分割溝１ａ，１ｃおよび２次分割溝１ｂ，１ｄをレーザースクライブによりそれぞれ形成し、かつ前記１次分割溝１ａ，１ｃと２次分割溝１ｂ，１ｄは、上面側の１次分割溝１ａの深さｔ１および２次分割溝１ｂの深さｔ２と、裏面側の１次分割溝１ｃの深さｔ３および２次分割溝１ｄの深さｔ４との関係を、ｔ１＜ｔ３，ｔ２＜ｔ４，ｔ１＞ｔ２，ｔ３＞ｔ４としているものである。 （もっと読む）

【課題】 合金からなる材料に加工を施して製造される小型の抵抗器において、製造工程における特性ばらつきを低減した抵抗器と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 インゴットを加工して得られる断面がほぼ円形状の合金線材を、ロール圧延により、抵抗素子部１と接続端子部２ａ、２ｂを有する、断面がコ字形状となし、抵抗素子部１の厚みの測定値に応じて切断を行う。接続端子部２ａ、２ｂの接続面にはハンダメッキを、抵抗素子部１には絶縁被膜を形成する。これによって表面実装が可能で、特性のばらつきが極めて少ない小型抵抗器が得られる。 （もっと読む）

【課題】チップ型電子部品の電気的特性や信頼性を向上させるためのチップ型電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス焼結体からなるベアチップ１０と、ベアチップ内に設けられるとともにチップの表面１３に端面が露出する内部電極１２と、内部電極と導通するとともに表面にメッキ層１５が形成された外部電極層１４とを備えたチップ型電子部品の製造方法であって、前記端面に第１電極ペーストを前記ベアチップを焼結体にする前のグリーンチップ１１０ｃに薄膜状に塗布するステップｓ２１と、第１電極ペーストが塗布されたグリーンチップを前記ベアチップに焼結させて、第１電極ペーストを中間電極層１４に焼成するステップｓ２２と、中間電極層の外面に第２電極ペーストを塗布するステップｓ３１と、第２電極ペーストを固化して外部電極層を形成するステップｓ３２と、外部電極層の表面にメッキ層を形成するステップとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】十分な強度をもち、かつ、放熱性に優れたワイヤボンディング接続型のチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】層状の抵抗体１を備えたチップ抵抗器Ａであって、抵抗体１全体を支持するように当該抵抗体１の片面に接合された絶縁性の基材３と、抵抗体１の両縁部１Ａをワイヤボンディング用の電極パッド部として露出させるように、基材３の上から抵抗体１の一部を被覆する保護膜４とを備えている。抵抗体１には、切れ込み部１ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な熱放散性を保持しつつ余剰抵抗を低減し、良好な抵抗温度係数（T.C.R.）が得られる面実装形電流検出用抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗合金材料からなる抵抗層１１と、絶縁樹脂層１２と、板体状の一対の下面電極１３と、該一対の下面電極を相互に接続する下面絶縁樹脂材１４と、抵抗層の両端部上面に固定された一対の上面電極１５と、該一対の上面電極を相互に接続する上面絶縁樹脂材１６と、上面電極と下面電極とを接続するメッキ層１８とを備え、下面電極１３は、抵抗器の長手方向に沿って内側電極１３ａと外側電極１３ｂとに下面絶縁樹脂材を介して分離され、抵抗層と上面電極の側面には凹部１７を備え、内側電極と外側電極のそれぞれが、抵抗層と上面電極の側面の凹部に充填された上面絶縁樹脂材により分離されたメッキ層により、上面電極に接続されている。 （もっと読む）

【課題】上面電極の耐食性を向上でき、上面側の外部電極層の面積を増大でき、剥がれにくい外部電極層を有するチップ抵抗器の製造方法を提供する。
【解決手段】向かい合う上面電極２の間に抵抗体層が形成され樹脂材料の保護層５で被覆されており、製品外領域に保護層形成工程において、同じ層が間隔規制層８として形成されている。作製された複数の短冊状チップ部品を重ねて（Ｍ），（Ｎ）、スパッタリングを行う際には、間隔規制層８によって、上下の短冊状チップ部品の間隔が規制され、傾いて積み重ねられる状態となることを防止して、基板の端面から保護膜の一部にまで延びるように金属薄膜を形成し、金属薄膜の上に、外部電極層をメッキする。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の設定精度を向上させる。
【解決手段】抵抗体チップ１Ａは、抵抗体２Ａと、その両端に電気的に接続された引き出し用電極パッド３Ａ，３Ｂとを有している。抵抗体２Ａは、抵抗値を設定する抵抗本体であり、半導体基板５上の絶縁膜に形成された抵抗形成溝４ａ内に埋め込まれている。引き出し用電極パッド３Ａ，３Ｂは、半導体基板５上の絶縁膜に形成されたパッド溝４ｂ内に埋め込まれている。上記抵抗体２Ａを半導体プロセス（リソグラフィ、エッチングおよび化学的機械的研磨等）を用いて形成することで、抵抗体２Ａの幅および膜厚の加工寸法誤差を低減できる。このため、抵抗体チップ１Ａの抵抗値の設定精度を向上させることができる。また、抵抗体チップ１Ａの微細化を図ることができるので、高集積化もできる。さらに、半導体装置の製造工程で用いられている製法を用いるので、抵抗体チップ１Ａの信頼性をも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来技術に不必要な電流伝導インピーダンスを回避し、抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有効に安定的に低減する。
【解決手段】熱溶融接合層により基材と抵抗体とを対向接合させ、保護層を該抵抗体の一部の表面に被覆することで、該抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。基材と抵抗体との接合設計は、従来技術のように半導体製造工程を使用したことで発生していた高コストという問題が回避でき、製造の容易化、製造プロセス歩留まりの向上およびコストの低下を図ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】従来技術では必要としない電流伝導インピーダンスを回避し、抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有効に安定的に低減する。
【解決手段】熱伝導接合層により基材と定抵抗体とを対向貼り合わせ、保護層を該定抵抗体の一部の表面に被覆することで、該定抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。基材と定抵抗体との貼り合わせ設計は、従来技術では半導体製造工程を使用したことで発生していた高コストという問題が回避でき、製造の容易化、製造歩留まりの向上およびコストの低下を図ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】温度依存性の低い材料を使用しつつ、高い抵抗値を得ることができる薄膜抵抗体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜抵抗体を形成する基板１０の主面上に、陽極酸化などの方法で孔２２を多数形成することで、凹凸構造２０を形成する。次に、凹凸構造２０上に抵抗膜３０を成膜する。すると、抵抗膜３０は、凹凸構造２０を反映するメッシュ（網目）構造４０となり、基板１０側の孔２２に対応する空隙４２を有する構造となる。このような抵抗膜３０の両端に引出電極（図示せず）を形成することで、薄膜抵抗体が得られる。メッシュ構造４０により、抵抗膜３０の電流経路の実効的断面積が小さくなって高い抵抗値を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、後に個別化するためにセラミック基板に分離線及び／又は目標破壊線を適切に加工する方法であって、第一に熱的な処理ステップ又は熱的な方法ステップにおいて、製造したい分離線及び／又は目標破壊線を局所的に加熱し、次いで冷却媒体によって衝撃的に冷却し、セラミック基板において温度交番により、分離線及び／又は目標破壊線に沿って適切な亀裂形成又は材料脆弱部をもたらす、後に個別化するためにセラミック基板に分離線及び／又は目標破壊線を適切に加工する方法に関する。さらに、本発明は、セラミック基板と、セラミック基板の使用に関する。本発明によれば、分離線及び／又は目標破壊線は、既に焼結されたセラミック基板の表面に加工される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コスト的にも安価に製造でき、かつ信頼性において優れている薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の薄膜チップ抵抗器の製造方法は、シート状の絶縁基板の上面に有機金属ペーストを印刷して焼成することにより複数の上面電極１２を形成する工程と、前記複数の上面電極１２の少なくとも一部を覆い、かつこの複数の上面電極１２と電気的に接続されるように複数の薄膜抵抗体１３を形成する工程と、前記複数の薄膜抵抗体１３を覆うように複数の無機保護膜１４を形成する工程とを備え、前記シート状の絶縁基板の上面に４２アロイで構成したメタルマスクを設置して前記薄膜抵抗体１３をマスクスパッタで形成し、その後、前記メタルマスクを取り外さずに続けて無機保護膜１４をマスクスパッタで形成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗体トリミング工程で抵抗体に施された加工溝の外観検査を不要とし、生産性向上を図ることができるチップ抵抗器製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】まず、トリミング対象抵抗体１２の初期抵抗値を第一抵抗測定器１３で、トリミング対象抵抗体１２に対して非抵抗体部１４を間に挟んで隣接した隣接抵抗体１５の初期抵抗値を第二抵抗測定器１６で測定し、次に非抵抗体部１４の推定位置に向けてレーザ光を照射した直後のトリミング対象抵抗体１２または隣接抵抗体１５の抵抗値変化の有無を検出するものとした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、硫化ガス等による腐食断線が起こることはなく、かつ抵抗値も非常に低いものが得られるジャンパーチップ部品およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のジャンパーチップ部品は、矩形状の絶縁基板２１の他方の面に形成された導体２２と、この導体２２と電気的に接続されるように絶縁基板２１の両端面に形成された一対の端面電極２５とを備え、前記導体２２を絶縁基板２１の他方の面のほぼ全体に金を主成分とする金属有機物ペーストにより形成するとともに、前記絶縁基板２１の一方の面に絶縁基板２１とは異なる色彩からなる絶縁膜２４を形成し、さらに前記導体２２と一対の端面電極２５の表面にめっき層２６，２７を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、硫化ガス等による腐食断線が起こることはなく、かつ抵抗値も非常に低いものが得られるジャンパーチップ部品およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のジャンパーチップ部品は、矩形状の絶縁基板２１の裏面に形成された導体２３と、この導体２３と電気的に接続されるように前記絶縁基板２１の両端面に形成された一対の端面電極２４とを備え、前記導体２３を前記絶縁基板２１の上面のほぼ全体にスパッタ膜により形成するとともに、前記絶縁基板２１の裏面に前記絶縁基板２１とは異なる色彩からなる絶縁膜２２を形成し、さらに前記導体２３と一対の端面電極２４の表面全体を覆うめっき層２５，２６を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】各種のセンサに用いられる、歪抵抗薄膜に関して、高ＧＦおよび低ＴＣＲで、かつ、ブリッジ回路内の複数の素子のＴＣＲバラツキを低減することを目的とする。
【解決手段】表面に酸化膜を有したＳｉ等の基板２上に、クロムと酸素を主体とした歪抵抗薄膜４、電極６、保護膜８を積層して歪抵抗素子１０を形成しており、この歪抵抗薄膜４は、クロム領域１２とクロム酸化物領域１４とを設け、クロム領域１２とクロム酸化物領域１４とを交互に複数配置して形成した構成である。 （もっと読む）