【課題】低抵抗金属固定抵抗器の、接合品質が安定しており、生産性にすぐれた、製造設備が高価でない製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗合金よりなる抵抗素子部と導電率の高い金属導体よりなる接続端子部が結合されてなる低抵抗金属固定抵抗器の製造方法であって、導電性金属よりなる薄板状体の側面と抵抗合金よりなる薄板状体の側面とを突き合わせ、突き合わせ部に回転する摩擦攪拌接合工具のプローブを埋入して、前記回転プローブを前記突き合わせ部に平行に移動させることにより摩擦攪拌接合して、導電性金属よりなる薄板状体と、抵抗合金よりなる薄板状体が接合された結合薄板状体を形成する工程と、前記結合薄板状体をその接合方向に対し直交方向に細断する工程とを含む低抵抗金属固定抵抗器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低いものであっても、抵抗値の安定性が高い薄膜チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】絶縁基板１１上に両端部１３から内側に延出して形成した貴金属からなる第１上面電極１４と、第１上面電極１４を覆い両端部１３間をつなぐ薄膜からなる抵抗体１６と、この上に設けられ第１上面電極１４に上面視にて重なる厚膜からなる第２上面電極１７を有し、第１上面電極１４を設けた部分における幅をそれぞれ第１上面電極１４をＷ１、抵抗体１６をＷ２、第２上面電極１７をＷ３としたとき、Ｗ１＜Ｗ３＜Ｗ２の関係を有し、抵抗体１６の両側面側から内側に向かって、第１上面電極１４に達する切り欠き部１８を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供する。
【解決手段】金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、ＣｒＳｉＯ又はＮｉＣｒＳｉＯからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Ｃｒ膜との多層構造を有する。金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性が良い。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ−Ｃｒ系抵抗材料の成分としてアルミニュームを含ませる場合にもその含有量の制約が少なく、成分設定の自由度が大きくなり、長期間抵抗値を安定させることができ、標準抵抗器に使用するのに適する高安定抵抗素体の製造方法を提供する。またこの高安定抵抗素体を用いた高安定抵抗器を提供する。
【解決手段】Ｎｉ−Ｃｒ系抵抗材料に酸化処理と、この酸化処理により抵抗材料に発生する歪みを除去するためのアニーリングとを順次施した。またこの抵抗素体１０を支持体１２に保持した。 （もっと読む）

【課題】抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したものとし、また、抵抗値調整できる抵抗値の範囲を広く得ることができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器Ｐ１における抵抗体２０は、第１抵抗膜２２の上面に、第１抵抗膜２２よりも抵抗値の低い材料により形成された第２抵抗膜２４を形成することにより、高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１と低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２を有し、抵抗体２０には略Ｌ字状のトリミング溝３０、３２が形成されている。各トリミング溝３０、３２は、第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部ｈ１、ｈ２から該電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成され、さらに、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。 （もっと読む）

【課題】第一の課題は、抵抗値比率の誤差が小さく且つ配線抵抗の影響の極めて小さい複合抵抗器を提供する。第二の課題は、オペアンプで増幅する場合であっても検出誤差の小さい電流検出器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の第一面に各々１０Ω以上の抵抗値を有する１又は２以上の第一の抵抗体３を形成する工程と、前記第一の抵抗体３を覆うようにレーザー透過ガラス膜を形成する工程と、前記絶縁基板１の第一面又は第一面と対向する第二面に１Ω以下の抵抗値を有する第二の抵抗体６を第一の抵抗体３と電気的に接続するように形成する工程と、前記第一及び第二の抵抗体をレーザーにてトリミングする工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量産可能な５０ｍΩ〜１Ωの抵抗値領域においてＴＣＲが±５０ｐｐｍ／℃以内の高精度な低抵抗のチップ抵抗器と、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック製電気絶縁性基板の表面に接着層を介して設けられる、厚み５０μｍ以で、銅を３０ｍａｓｓ％以上８０ｍａｓｓ％以下含む銅−ニッケル系合金、又はニッケルを５０ｍａｓｓ％以上含むニッケル−クロム系合金の金属箔からなる抵抗体膜と、チップ抵抗器の端子部の形成領域を除いて抵抗体膜を保護するように被覆される抵抗体保護膜と、抵抗体保護膜による抵抗体膜の未被覆部の一部及び電気絶縁性基板の両端部に設けられる外部電極膜と、抵抗体保護膜による抵抗体膜の未被覆部の残部及び外部電極膜上に設けられるニッケルメッキ膜と、ニッケルメッキ膜上に設けられる錫メッキ膜とから構成される端子部とからなる低抵抗チップ抵抗器。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗値精度の高い薄膜チップ抵抗器を少ない工数で安価に製造することができる製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の薄膜チップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板１１の上面に薄膜上面電極１２を形成する工程と、絶縁基板１１のほぼ全面に薄膜プロセスで導体を形成した後フォトリソプロセスで抵抗体パターンを形成することによって薄膜抵抗体１３を形成する工程と、前記薄膜抵抗体１３における薄膜上面電極１２と重なる部分を覆うように導体樹脂上面電極１５を形成する工程とを備え、前記薄膜抵抗体１３における薄膜上面電極１２と重なる部分にレーザーにより複数の孔１４を設けて薄膜上面電極１２を露出させ、かつこの複数の孔１４を介して薄膜上面電極１２と導体樹脂上面電極１５とを電気的に接続するように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】温度依存性の低い材料を使用しつつ、高い抵抗値を得ることができる薄膜抵抗体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜抵抗体を形成する基板１０の主面上に、陽極酸化などの方法で孔２２を多数形成することで、凹凸構造２０を形成する。次に、凹凸構造２０上に抵抗膜３０を成膜する。すると、抵抗膜３０は、凹凸構造２０を反映するメッシュ（網目）構造４０となり、基板１０側の孔２２に対応する空隙４２を有する構造となる。このような抵抗膜３０の両端に引出電極（図示せず）を形成することで、薄膜抵抗体が得られる。メッシュ構造４０により、抵抗膜３０の電流経路の実効的断面積が小さくなって高い抵抗値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲内という抵抗温度特性、１５５℃で１０００時間の高温保持における経時的抵抗変化率が０．１％以下という高温安定性、および、酸性人工汗液（ＪＩＳ Ｌ０８４８）を用いた電食試験における溶解開始電圧が３Ｖ以上となる耐塩水性を、同時に備える薄膜抵抗器を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法により抵抗薄膜を成膜するに際して、２０質量％以上、６０質量％以下のＴａと、８質量％を超え、１５質量％以下のＡｌを含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．５〜１．２であるスパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗値が７００μΩ・ｃｍ以上であり、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲内であり、１５５℃で１０００時間の高温保持における経時的抵抗変化率が０．１％以下であり、酸性人工汗液を用いた電食試験における溶解開始電圧が３Ｖ以上である薄膜抵抗器を提供する。
【解決手段】Ｔａを２０〜６０質量％、Ａｌを２〜１０質量％、および、Ｍｏを０．５〜１５質量％含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．７５〜１．１である抵抗薄膜材料からなるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、絶縁材料基板上に抵抗薄膜を形成し、その後、得られた抵抗薄膜を大気中、２００〜６００℃で、１〜１０時間、熱処理をすることにより、薄膜抵抗器を得る。 （もっと読む）

【課題】 シート状抵抗部品の製造方法において、安定した抵抗値が得られ、また少ない工程数で製造し、さらにはクロム酸を使用せず環境負担の低減を図ること。
【解決手段】 樹脂フィルム１上にＣｒ系の抵抗薄膜２及びＣｕ電極がこの順に積層形成された銅張り抵抗フィルムのＣｕ電極をアルカリエッチングによりパターンエッチングしてＣｒ系の抵抗薄膜２を一部露出させる工程と、露出したＣｒ系の抵抗薄膜２の表面を酸洗する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高温環境下や高湿環境下においても、優れた抵抗値安定性と小さな抵抗温度係数とを有する薄膜抵抗体を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの４元素を主成分として構成される薄膜抵抗体において、前記Ｎｉ／Ｃｒ比を重量比で４５／５５〜５５／４５とし、前記Ａｌを全重量の１０〜１８重量％含有させ、かつ、前記Ｓｉを全重量の２〜６重量％含有させて薄膜抵抗体を構成したものである。 （もっと読む）

【課題】歩留りがトリミングにより高められているようにする。
【解決手段】膜抵抗が、低オームの給電領域と、該給電領域に電気的に接続された高オームの抵抗領域２３とを有しており、当該方法が、以下のステップ：すなわち、オフセット電圧の温度係数を変化させるために、第１のレーザ切断法を抵抗領域２３に実施し；第２のレーザ切断法を実施し、膜抵抗の抵抗値を、設定された目標値に関連してトリミングする；を備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】従来のＮｉ−Ｃｒ系合金を用いた薄膜抵抗器よりも塩素に対する高い耐食性を有するとともに、従来のＮｉ−Ｃｒ系合金を用いた薄膜抵抗器と同等程度の大きさ（絶対値）の抵抗温度係数を有し、さらに従来のＮｉ−Ｃｒ系合金を用いた薄膜抵抗器、Ｔａ合金またはＴａＮ化合物を用いた薄膜抵抗器と比べて同等以上の高温安定性を有する薄膜抵抗器およびそれに用いる金属抵抗体材料、スパッタリングターゲット、抵抗薄膜を提供する。
【解決手段】Ｔａを３０〜６０質量％含み、かつ、残部はＣｒおよびＮｉを含み、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．５〜１．１である金属抵抗体材料をスパッタリングターゲットとして用いてスパッタリングを実施し、絶縁材料基板上に抵抗薄膜を形成する。得られた抵抗薄膜に対して、４００℃〜６５０℃で１〜５時間の熱処理を大気中で行なう。 （もっと読む）

【課題】発熱素子が設けられる基板の熱伝導性を改良した電力抵抗器等の電気装置の提供。
【解決手段】電気装置１０は導電性抵抗素子１８を具備し、抵抗素子１８は、抵抗素子１８からの熱を移送するために熱移送媒体上に設けられる。抵抗素子１８は、窒化アルミニウム基板の一表面にスパッタリングされた80/20ニッケル・クロム材料を具備する。80/20ニッケル・クロム材料は0.5〜25μmの範囲内の厚さで基板表面に付着される。抵抗素子の抵抗は、スパッタリング工程で反応ガスを導入することによってスパッタリングされた膜の化学組成を変更することにより、制御される。 （もっと読む）

【課題】 汎用的なシート材料を用いることにより低コストで簡便なプロセスにより、樹脂回路基板内に高精度のＬＣＲや電波吸収部品層の内蔵化を歩留まり良く実現させることができるプリント配線板製造用シート材を提供する。
【解決手段】 支持体層２、金属層３、受動部品形成層４、金属層５の順に積層成形して成るプリント配線板の製造にあたり、支持体層２によって金属層３，５及び受動部品形成層４が支持されていると共に支持体層２の存在により金属層３がパターニングされていない状態で積層成形する。このことから成形時の受動部品形成層４の変形や割れが抑制される。この金属層３，５や受動部品形成層４によってコンデンサ、インダクタ、抵抗、電波吸収部品層等の回路部品を形成することにより、これらの回路部品をプリント配線板に内蔵すると共に受動部品形成層４の薄いものでも歩留まり良く高精度に形成することができる。 （もっと読む）