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Fターム[5E033BA01]の内容

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【課題】本発明は、大きな過電圧が印加されても抵抗体を保護することができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板11と、前記絶縁基板11の上面の両端部に設けられた一対の上面電極12と、前記絶縁基板11の上面において前記一対の上面電極12と電気的に接続されるように設けられた抵抗体13と、前記抵抗体13を覆うように設けられたプリコートガラス層14と、前記抵抗体13およびプリコートガラス層14に設けられた抵抗値調整用のトリミング溝15とを備え、前記プリコートガラス層14の上面に一対のギャップ電極16を形成し、かつ前記一対のギャップ電極16のそれぞれの一端部16aを互いに離間するように配置するとともに、前記一対のギャップ電極16の他端部16bと前記上面電極12とを電気的に接続したものである。 (もっと読む)


【課題】側面電極同士の導通を防止することができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器は、上面の一方向と交差する他方向の両縁に一方向に延びる凹部1aを有する絶縁基板2と、絶縁基板2の上面上に形成された抵抗体3と、抵抗体3と電気的に接続され、かつ絶縁基板1の上面上に形成された上面電極2と、上面電極2と電気的に接続されており、かつ絶縁基板1の一方向の両側面をそれぞれ覆うように形成された側面電極4と、凹部1a上に形成された隆起部5とを備えている。 (もっと読む)


【課題】熱膨張係数が小さく使用環境の温度変化においても抵抗値の変化が少なく、断線などの問題がない品質の良い低誘電率樹脂を用いたチップ素子を提供すること。
【解決手段】基板1上に、インピーダンス素子2と、該インピーダンス素子2に接続された複数の電極3,5とを形成したチップ素子10において、前記基板1はGHz帯域における寄生容量を低減できる程度の低い誘電率を有する低誘電率材料である。さらに、前記基板1は合成樹脂と無機物とを少なくとも含んで構成される。 (もっと読む)


【課題】 製造の効率化を図るのに適するチップ抵抗器を提供すること。
【解決手段】 第1電極1と、第2電極2と、抵抗部3と、第1電極1および抵抗部3につながる第1中間層4と、第2電極2および抵抗部3につながる第2中間層5と、第1電極1を覆う被覆膜61と、第1中間層4内に存在する酸化物部とを備え、被覆膜61を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、第1電極1を構成する材料よりも大きく、上記酸化物部は、被覆膜61を構成する材料の酸化物よりなる。 (もっと読む)


【課題】電極部にCuメッキ層と半田層やSnメッキ層を形成する場合に、半田食われを防ぐとともに、密着性を向上させた電子部品の電極構造を提供する。
【解決手段】抵抗体1の裏面10bに、互いに間隔を隔てた一対の電極部50が設けられ、かつ一対の電極部50間には絶縁層2Aが設けられている。電極部50は、電極層3と電極層3上に積層されたメッキ電極層とで構成される。メッキ電極層は、銅メッキ層31、スズメッキ層32、ニッケルメッキ層33、スズを含むメッキ層34を有している。 (もっと読む)


【課題】半田接合部がヒートショックで損傷する可能性の低いチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器1の裏面電極3は、セラミック基板2の裏面に固着された焼成銀からなる第1電極層3aと、第1電極層3aの中央部を横断する領域に積層された焼成銀からなる第2電極層3bとで構成されており、第2電極層3bの側面から第1電極層3aの表面へ至る段差12が形成され、メッキ層(ニッケルメッキ層9および半田メッキ層10)の裏面電極3を覆う部分には段差12と対応する段差13が形成されている。したがって、このチップ抵抗器1が回路基板30上に実装されると、裏面電極3とランド31との間に介設される半田接合部(半田32)の厚みが段差13部分で増大し、第1および第2電極層3a,3bの境界部分に熱応力が集中する虞もないため、半田接合部がヒートショックで損傷する可能性は低いものとなる。 (もっと読む)


【課題】 自己発熱時の発熱温度上昇の低減を実現すると共にトリミング精度の高い薄膜抵抗体を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板の表面に薄膜状抵抗体層及び前記薄膜状抵抗体層に接続される電極層を形成してなる薄膜抵抗体であって、前記薄膜状抵抗体層は、細線状抵抗体層を所定領域内でほぼ等間隔となるよう繰り返し折り返した第1の抵抗体パターン100と、前記第1の抵抗パターンとほぼ同じ間隔で折り返され折り返し端部が前記第1の抵抗体パターン100の一方の折り返し端部に接続され前記第1の抵抗体パターンと並列接続される第2の抵抗体パターン200とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】厚膜抵抗体組成物の導電成分として、ガラス結合剤に対して配合比を高めても、焼成膜の構造が強固で、静電気やサージ電流が負荷されても抵抗値変化が小さい板状酸化ルテニウム粉末とその製造方法、それを用いた厚膜抵抗組成物を提供する。
【解決手段】ルテニウム化合物とバリウム化合物の混合物を、酸化雰囲気かつ400℃以上の温度で熱処理してルテニウムとバリウムの板状複合酸化物を合成する工程、次に、得られた板状複合酸化物に酸化ホウ素もしくはホウ酸を混合した後、500℃以上の温度で熱処理を行って板状複合酸化物を板状の酸化ルテニウム粉末と酸化ホウ素と酸化バリウムの溶融物中に生成させる工程、得られた溶融物に溶剤を添加し、酸化ホウ素と酸化バリウムを溶解して板状酸化ルテニウム粉末を回収する工程からなることを特徴とする板状酸化ルテニウム粉末の製造方法などにより提供。 (もっと読む)


【課題】本発明は、バレルメッキの工程において裏面電極同士がくっつきあうことを防止することができ、歩留まりを向上させたチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】裏面電極15を矩形状の絶縁基板11の長辺側の端部に沿って設けられたチップ抵抗器であり、裏面電極15に長辺方向に複数個の厚膜部19を設けたものであり、このように構成することによりバレルメッキ時のくっつきを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】抵抗値が低いものであっても、抵抗値の安定性が高い薄膜チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】絶縁基板11上に両端部13から内側に延出して形成した貴金属からなる第1上面電極14と、第1上面電極14を覆い両端部13間をつなぐ薄膜からなる抵抗体16と、この上に設けられ第1上面電極14に上面視にて重なる厚膜からなる第2上面電極17を有し、第1上面電極14を設けた部分における幅をそれぞれ第1上面電極14をW1、抵抗体16をW2、第2上面電極17をW3としたとき、W1<W3<W2の関係を有し、抵抗体16の両側面側から内側に向かって、第1上面電極14に達する切り欠き部18を設けたものである。 (もっと読む)


【課題】抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値調整を行ったチップ抵抗器において、耐サージ特性を向上させることができるものを提供する。
【解決手段】抵抗体20が、略方形状で最大膜厚が18〜22μmの厚膜により形成され、膜厚が15μm以上の領域P1と領域P1の周囲に形成された膜厚が15μm未満の領域P2とを有し、抵抗体20には、辺部20aからトリミング溝T1が形成され、該トリミング溝T1は、辺部20aから電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部20aに近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる円弧状部分T1aと、円弧状部分T1aの終端から連設され、電極間方向に形成された直線状部分T1bを有し、直線状部分T1bの終端が、領域P1内に形成されている。 (もっと読む)


【課題】導電性接着剤を用いたフェースダウン実装に好適なチップ抵抗器と、その製造方法とを提供する。
【解決手段】チップ抵抗器1の絶縁性基板2の片面2aには、保護膜4に被覆された抵抗体3と、抵抗体3の両端部に重なり合う一対の電極5とが設けられており、電極5の表面は、少なくとも絶縁性基板2の表面よりも粗くなるように粗面化処理されたうえで露出している。このチップ抵抗器1は片面2a側を回路基板10に対向させてフェースダウン実装され、回路基板10上に設けられた配線パターン11とチップ抵抗器1の電極5とが導電性接着剤12によって電気的かつ機械的に接続されるようになっている。チップ抵抗器1の電極5は例えばブラスト加工を施して粗面化できるが、軟化点の異なる複数種類のガラス材を電極ペーストに含有させる等の手法で電極5を粗面化してもよい。 (もっと読む)


【課題】分相性を適正に制御し得る抵抗体形成用ガラスを創案することにより、(1)ホットプレス工程で、緻密に焼結すること、(2)ホットプレス工程で、容易に変形すること、(3)ホットプレス工程後に、抵抗体の抵抗値がばらつく不具合を防止できること等の要求特性を満たすこと。
【解決手段】本発明の抵抗体形成用ガラスは、ガラス組成として、モル%で、SiO 49.0〜57.9%、B 26.8〜40.6%、BaO 2.8〜7.5%、LiO 7.6〜12.3%、BaO+LiO(BaO、LiOの合量) 10.4〜15.2%(但し、15.2%は含まず)を含有し、且つモル比SiO/Bの値が1.83以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 抵抗値変化率を一定以内に抑えた耐環境性に優れた銅導電体層付き抵抗薄膜素子の提供を目的とする。
【解決手段】 絶縁基材の少なくとも片面に、電気抵抗体となる抵抗層と、その抵抗層と回路を構成する配線を抵抗層の表面に積層した銅導電体層とを含む銅導電体層付き抵抗薄膜素子において、耐環境試験における目標抵抗値変化率ΔRに対して抵抗層の膜厚が、t≧α/ΔR、α:抵抗層の種類に応じた係数、t:抵抗層の膜厚[nm]で示される膜厚であることを特徴とする銅導電体層付き抵抗薄膜素子。 (もっと読む)


【課題】耐硫化性と耐半田食われ性にともにすぐれる、鉛フリーの厚膜導体形成用組成物を低コストで提供する。
【解決手段】本発明は、チップ抵抗器の電極として用いられる厚膜導体を形成するための組成物に関する。本発明の組成物は、導電粉末としてAg粉末が、酸化物粉末として、SiO2−B23−Al23−CaO−Li2O系ガラス粉末と、Al23粉末とが、それぞれ含まれており、かつ、添加物としてカーボン粉末が添加されている。導電粉末100質量部に対し、カーボン粉末が1〜10質量部、前記ガラス粉末が0.1〜15質量部、前記Al23粉末が0.1〜8質量部である。前記ガラス粉末の組成比は、SiO2:20〜60質量%、B23:2〜25質量%、Al23:2〜25質量%、CaO:20〜50質量%、およびLi2O:0.5〜6質量%である。 (もっと読む)


【課題】ガラスやセラミックスなどマトリックス材料と金属粒子とを混合して焼結させた電気抵抗材料について、抵抗温度係数を制御する。
【解決手段】金属材料として、抵抗温度係数が異なる二種類以上の金属材料の粒子を混合して用い、その混合した金属材料とマトリックス材料とを、それら金属材料を化合や発熱反応をさせない温度で焼結させる。 (もっと読む)


【課題】薄型で表面に広く且つ平坦な電極面を有すると共に広範な抵抗特性が得られ、且つ、テーピング時に安定にポケット内部の所定位置に収容してテーピングの安定性を向上できるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】表面と裏面とを有する絶縁性基板11と、該基板の表面に形成された一対の内部電極12a,12bと、該一対の内部電極間に形成された抵抗膜13と、該抵抗膜が形成された領域の少なくとも一部を覆い、前記内部電極の少なくとも一部が露出するように形成された保護膜17,18と、前記内部電極の露出部と接続され、前記保護膜の端部を覆うように形成された一対の磁性体を有する導電性樹脂からなる第2内部電極14a,14bと、を備えた。磁性体は、Ni、Fe、またはCoからなる。 (もっと読む)


【課題】チップ抵抗器において、耐サージ性をより良好とすることができ、これにより、高電力化が可能なチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】平面視で略長方形状の絶縁基板(基板)10と、基板10の上面における互いに対向する長辺側にそれぞれ形成された一対の上面電極30、32と、該一対の上面電極間に形成され蛇行した形状の抵抗体20とを有し、少なくとも一方の上面電極において、絶縁基板10の長辺に沿った方向の幅が基板の長辺の長さよりも短く形成されるとともに、短辺側に偏って形成され、抵抗体20においては、基板10の短辺側に形成された折り返し部分と、基板10の長辺側に形成された折り返し部分とを有し、2つの折り返し部分は直列に接続され、基板10の長辺側に形成された折り返し部分は、上面電極30が形成された長辺における上面電極が形成されていない部分と対向している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、実装状態に関係なく抵抗値を安定化させることができる抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、長手方向と直交する断面形状が略正方形で絶縁性の基台11と、この基台11の表面の全面に設けられた金属皮膜12と、前記基台11の両端部11aに位置する金属皮膜12に設けられた電極13とを備え、前記基台11の電極13が設けられていない部分11bにおける四つの面14a〜14dの金属皮膜12に、それぞれ同一形状かつ同じ大きさのトリミング溝15を形成したものである。 (もっと読む)


【課題】オーディオ信号処理回路に最適なTaN膜とTa膜との積層膜を使用して、TCR値が小さく、アンプの出力段の半導体集積回路の抵抗体として使用したときに優れた音質が得られる高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜2aとタンタル膜2bとの積層膜2からなり、この積層膜全体として、抵抗値電圧係数VCRが−150乃至+150ppm/Vであり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から400℃までの温度で、窒素分圧比を3乃至15%としてスパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をTとし、窒素ガス分圧比をmとしたとき、前記基板温度T及び窒素ガス分圧比mは、(2/165)T+(91/33)≦m≦(1/66)T+(155/33)を満たすことが好ましい。 (もっと読む)


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