【課題】本発明は、高電力に対応が可能な角形チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の角形チップ抵抗器は、絶縁基板１１と、前記絶縁基板１１の上面および裏面の両端部にそれぞれ設けられた一対の上面電極１２ａおよび一対の裏面電極１２ｂと、前記一対の上面電極１２ａおよび一対の裏面電極１２ｂとそれぞれ電気的に接続されるように設けられた上面抵抗体１３ａおよび裏面抵抗体１３ｂとを備え、前記上面抵抗体１３ａの面積を前記裏面抵抗体１３ｂの面積より大きくし、かつ前記一対の上面電極１２ａ間の上面抵抗体１３ａの長さを前記一対の裏面電極１２ｂ間の裏面抵抗体１３ｂの長さより長くしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明では、発熱抵抗体層を、酸化亜鉛を主成分とするガラスからなり、導電物質および拡散防止物質を含有したペーストを焼成して形成することにより、発熱抵抗体の抵抗値のバラつきを防止して製品の品質を向上させるとともに、コストパフォーマンスおよび製造時の作業性に優れたサーマルヘッドを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に所定パターンで形成された電極層と、前記電極層上に形成された発熱抵抗体層と、前記電極層と前記発熱抵抗体層とを覆う保護層とを備えたサーマルヘッドであって、前記発熱抵抗体層は、酸化亜鉛を主成分とするガラスからなり、導電物質および拡散防止物質を含有したペーストを焼成して形成したサーマルヘッド。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ−Ｃｒ系抵抗材料の成分としてアルミニュームを含ませる場合にもその含有量の制約が少なく、成分設定の自由度が大きくなり、長期間抵抗値を安定させることができ、標準抵抗器に使用するのに適する高安定抵抗素体の製造方法を提供する。またこの高安定抵抗素体を用いた高安定抵抗器を提供する。
【解決手段】Ｎｉ−Ｃｒ系抵抗材料に酸化処理と、この酸化処理により抵抗材料に発生する歪みを除去するためのアニーリングとを順次施した。またこの抵抗素体１０を支持体１２に保持した。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、アンプの出力段の半導体集積回路の抵抗体として使用したときに優れた音質が得られる高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖであり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％としてスパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（２／１６５）Ｔ＋（９１／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜の単層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、抵抗値温度係数ＴＣＲが−５０乃至＋５０ｐｐｍ／℃であり、シート抵抗が１００Ω／□以上である窒化タンタル膜２の単層膜であり、この窒化タンタル膜２は、半導体装置の製造工程で常温から３５０℃までの温度で、窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、２．５ｋＷ以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（１／１６５）Ｔ＋（９５／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たす。 （もっと読む）

【課題】Ｎ、Ｏ、Ｔａの元素組成プロファイルが安定し、抵抗膜中にＮを安定して含有し、Ｏが少なく、化学量論的な組成に近いＴａＮ膜が得られ、耐酸化性が優れていて信頼性が高いオーディオ用抵抗体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に、ＴａＮ膜を含む抵抗膜をパターン形成する。そして、前記抵抗膜上に層間絶縁膜を形成し、その後、前記抵抗膜を７５０乃至１１００℃で焼鈍する。その後、前記層間絶縁膜上に、前記抵抗膜に接続された抵抗引き出し用の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値温度係数ＴＣＲが−５０乃至＋５０ｐｐｍ／℃であると共に、シート抵抗が１００Ω／□以上であり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％として、２．５ｋＷ以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記ＴａＮ膜のスパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（２／１６５）Ｔ＋（９１／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【構成】本発明は、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）補償機能/作用をもつ電流検出抵抗器、および電流検出抵抗器の製造方法に関する。この抵抗器は、２つの導電性ストリップ間に設けられた抵抗ストリップを有する。これら導電性ストリップ内に一対の主端子および一対の電圧検出端子を形成する。主端子と電圧検出端子との間に一対の精密でないＴＣＲ較正スロットを設ける。これら精密でないＴＣＲ較正スロットの深さについては、電圧検出端子において負の開始ＴＣＲ値が観測されるように選択する。一対の電圧検出端子間に精密なＴＣＲ較正スロットを形成する。この精密なＴＣＲ較正スロットの深さについては、電圧検出端子においてゼロに近づくＴＣＲ値が観測されるように選択する。抵抗較正スロットの深さについては、抵抗器の抵抗値が較正されるように選択する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、過負荷特性の劣化を防止できる抵抗器およびその製造方法、並びにその実装方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、セラミック碍子からなり断面が略方形の基台１１と、この基台１１の全表面に設けられた金属皮膜１２とを備え、前記金属皮膜１２を前記基台１１の両端部に位置する電極部１３とこの電極部１３間に位置する素子部１４とで構成し、前記電極部１３における前記金属皮膜１２に貫通孔１６を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】銅−マンガン系合金の低抵抗率、低ＴＣＲを維持しながら、高い密着力を得ることができる抵抗体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅及びマンガンを少なくとも含む導電性金属粉体と、ガラス粉体と、有機ビヒクルとを含有する抵抗体ペーストを用いて、抵抗体膜を製造する方法に関する。抵抗体ペーストを絶縁基板に塗布する工程と、絶縁基板に塗布された抵抗体ペーストを酸化性雰囲気下２００〜２４０℃で加熱して酸化処理する工程と、酸化処理された抵抗体ペーストを７５０℃以上の温度で焼成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】上面電極との接続端から最初にターンする領域であるターン領域において、電流が集中することによりターン領域が破壊されるのを防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】帯状部接続部３４ａの辺部３４ａ−１は、電極間方向（Ｘ１−Ｘ２）に対して傾斜して形成され、切欠部Ｌ１の奥部が三角形状に形成されている。また、トリミング溝Ｔ２の開始点Ｔ２ａはトリミング溝Ｔ１の開始点Ｔ１ａよりもＹ１側にずれて形成され、トリミング溝Ｔ２の終了点Ｔ２ｂはトリミング溝Ｔ１の終了点Ｔ１ｂよりもＹ１側にずれて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリー抵抗ペースト用として好適であり、抵抗値のばらつきが小さく且つノイズの小さい抵抗体を形成することができる導電性粒子粉、及びその製法を提供する。
【解決手段】 酸化イリジウム粉をバリウム化合物と混合した後、大気雰囲気中にて６５０〜１０００℃の温度で焼成し、得られたイリジウム酸バリウム粗粒粉を平均粒径が２０〜１００ｎｍとなるように粉砕して導電性粒子粉とする。更に大気雰囲気中で焼成して、平均粒径を４０〜１００ｎｍに調整することができる。このイリジウム酸バリウム粒子の導電性粒子粉は、鉛を含まないガラスフリット及び有機ビヒクルと混練して、鉛フリー抵抗ペ−ストとすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、７００℃以下の焼成条件であっても、低抵抗値、低ＴＣＲであり、かつ、各種信頼性試験における抵抗値変化率が小さい、厚膜抵抗体を与えうる抵抗体ペーストを提供することである。
【解決手段】（Ａ）銅粉とニッケル粉の混合粉からなり、銅粉とニッケル粉の重量比が、Ｃｕ／Ｎｉ＝６９／３１〜７１／２９である導電性粉末、（Ｂ）ガラス粉末、（Ｃ）銅酸化物粉末、（Ｄ）酸化スズ粉末、パラジウム粉末及び酸化亜鉛粉末からなる群より選択される１種以上の粉末、並びに（Ｅ）アクリル樹脂及び／又はセルロース樹脂と溶剤からなるビヒクルを含み、（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｂ）成分が１２〜２５重量部、（Ｃ）成分が１〜１０重量部、（Ｄ）成分が０．１〜３重量部、（Ｅ）成分が１０〜４０重量部であることを特徴とする抵抗体ペーストである。 （もっと読む）

【課題】十分な強度をもち、かつ、放熱性に優れたワイヤボンディング接続型のチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】層状の抵抗体１を備えたチップ抵抗器Ａであって、抵抗体１全体を支持するように当該抵抗体１の片面に接合された絶縁性の基材３と、抵抗体１の両縁部１Ａをワイヤボンディング用の電極パッド部として露出させるように、基材３の上から抵抗体１の一部を被覆する保護膜４とを備えている。抵抗体１には、切れ込み部１ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い抵抗値でＴＣＲ特性が良好な微小サイズのチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板１１の上面の両端部に一対の第１上面電極１３を印刷して焼成する工程と、この一対の第１上面電極１３を橋絡するように第１の抵抗体１４を印刷する工程と、この第１の抵抗体１４および前記一対の第１上面電極１３と電気的に接続されるように一対の第２上面電極１５を印刷する工程と、前記第１の抵抗体１４の一部を覆う第２の抵抗体１６を印刷する工程とを備えるとともに、前記第２の抵抗体１６の長さを前記第１の抵抗体１４の長さより短く形成したものである。 （もっと読む）

【課題】良好な熱放散性を保持しつつ余剰抵抗を低減し、良好な抵抗温度係数（T.C.R.）が得られる面実装形電流検出用抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗合金材料からなる抵抗層１１と、絶縁樹脂層１２と、板体状の一対の下面電極１３と、該一対の下面電極を相互に接続する下面絶縁樹脂材１４と、抵抗層の両端部上面に固定された一対の上面電極１５と、該一対の上面電極を相互に接続する上面絶縁樹脂材１６と、上面電極と下面電極とを接続するメッキ層１８とを備え、下面電極１３は、抵抗器の長手方向に沿って内側電極１３ａと外側電極１３ｂとに下面絶縁樹脂材を介して分離され、抵抗層と上面電極の側面には凹部１７を備え、内側電極と外側電極のそれぞれが、抵抗層と上面電極の側面の凹部に充填された上面絶縁樹脂材により分離されたメッキ層により、上面電極に接続されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の基体に含まれるガラス成分に起因する厚膜抵抗体のＴＣＲ特性への影響を低減し、ガラス成分を含む経済的な絶縁性の基体を用いて良好なＴＣＲ特性が得られるメタルグレーズ被膜抵抗器を提供する。
【解決手段】ガラスを含む絶縁性の基体１１と、基体の表面に形成され、且つ、ガラスを含まない第１保護膜１２と、第１保護膜上に形成した厚膜抵抗体１３と、を備えた。ガラスを含む絶縁性の基体１１の表面に第1保護膜１２を形成し、ＲｕＯ_２を主成分とした厚膜抵抗体１３との絶縁を図ることで、基体１１に含まれるガラス成分がＲｕＯ_２を主成分とした厚膜抵抗体１３に影響することを抑制することができ、厚膜抵抗体自体が本来有するＴＣＲ特性の変動を抑制することができる。 （もっと読む）

【解決課題】高感度で、クリープ現象による抵抗値変化の少ない抵抗体を形成可能な抵抗体ペースト及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ガラスフリットと、前記ガラスフリット中に分散される導電粒子とを含む抵抗体ペーストにおいて、導電粒子は、前記ガラスフリットよりも軟化点の高いガラス組成物を、ルテニウム酸化物粒子が被覆してなるものである抵抗体ペーストである。導電粒子を構成するガラス組成物の粒径は１．０〜５．０μｍであり、ルテニウム酸化物粒子の粒径は０．０１〜１．０μｍであるのが好ましい。また、ガラスフリット、ガラス組成物の軟化点は、それぞれ、３００〜８７０℃、５３０〜１０００℃のものを選択することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来技術に不必要な電流伝導インピーダンスを回避し、抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有効に安定的に低減する。
【解決手段】熱溶融接合層により基材と抵抗体とを対向接合させ、保護層を該抵抗体の一部の表面に被覆することで、該抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。基材と抵抗体との接合設計は、従来技術のように半導体製造工程を使用したことで発生していた高コストという問題が回避でき、製造の容易化、製造プロセス歩留まりの向上およびコストの低下を図ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】広範囲な領域において、電気的比抵抗値の制御を容易にし、使用温度区間内において、温度による電気的抵抗値の変化が一定範囲内で最小化できるように低い温度抵抗係数(TCR)を有しながら、長時間に渡って反復的に使用しても電気的特性を含めて、化学的及び機械的特性が安定的に維持されることにより、信頼性確保と共により長い寿命を有することを特徴とする発熱抵抗器の新しい材料物質を提供する。
【解決手段】本発明は、電気的伝導性を有する伝導性酸化物と絶縁性又は非伝導性を有する非伝導性酸化物を混合して構成されることを特徴とする発熱抵抗器に関する。
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