【課題】側面電極同士の導通を防止することができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器は、上面の一方向と交差する他方向の両縁に一方向に延びる凹部１ａを有する絶縁基板２と、絶縁基板２の上面上に形成された抵抗体３と、抵抗体３と電気的に接続され、かつ絶縁基板１の上面上に形成された上面電極２と、上面電極２と電気的に接続されており、かつ絶縁基板１の一方向の両側面をそれぞれ覆うように形成された側面電極４と、凹部１ａ上に形成された隆起部５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数が小さく使用環境の温度変化においても抵抗値の変化が少なく、断線などの問題がない品質の良い低誘電率樹脂を用いたチップ素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、インピーダンス素子２と、該インピーダンス素子２に接続された複数の電極３，５とを形成したチップ素子１０において、前記基板１はＧＨｚ帯域における寄生容量を低減できる程度の低い誘電率を有する低誘電率材料である。さらに、前記基板１は合成樹脂と無機物とを少なくとも含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】電極部にＣｕメッキ層と半田層やＳｎメッキ層を形成する場合に、半田食われを防ぐとともに、密着性を向上させた電子部品の電極構造を提供する。
【解決手段】抵抗体１の裏面１０ｂに、互いに間隔を隔てた一対の電極部５０が設けられ、かつ一対の電極部５０間には絶縁層２Ａが設けられている。電極部５０は、電極層３と電極層３上に積層されたメッキ電極層とで構成される。メッキ電極層は、銅メッキ層３１、スズメッキ層３２、ニッケルメッキ層３３、スズを含むメッキ層３４を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐硫化性を有するチップ抵抗器に関する。
【解決手段】本発明のチップ抵抗体は、絶縁基板１１、銀ベースのサーメットを使用して基板の上面に形成された上部端子電極１２、底部電極１３、上部端子電極１２間に位置され、それらに部分的に重なる抵抗素子１４、抵抗素子１４を完全にまたは部分的に覆うオプションの内側保護コーティング１５、内側保護コーティング１５を完全に覆い、上部端子電極１２を部分的に覆う外側保護コーティング１６、基板の端面と上部電極１２と底部電極１３を覆い外側保護コーティング１６に部分的に重なるニッケルのメッキ層１７と、ニッケル層１７を覆う仕上げメッキ層１８とを備える。ニッケル層１７と外側保護層１６との重なり合いは、ニッケルメッキプロセスの前に外側保護層１６の縁部をメッキ可能にするので封止特性を有する。 （もっと読む）

【課題】調整できる抵抗値の範囲を広くすることができ、かつ高精度のトリミングが行えるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２、３を備えている。電極２と電極３は離間し、かつ対向して配置されている。抵抗体４の形状は、長方形に形成されている。また、抵抗体４は、電極２から電極３に渡って形成される。電極２と電極３の離間領域を覆っている抵抗体４の形状は、台形である。電極２と電極３の離間領域は、電極２と電極３が形成される延伸方向に段階的に電極間の間隔が広がるように構成されている。すなわち、電極２と電極３との間の経路の抵抗値が、抵抗体４の２辺の一方の辺から他方の辺に向かって段階的に増加するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半田接合部がヒートショックで損傷する可能性の低いチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の裏面電極３は、セラミック基板２の裏面に固着された焼成銀からなる第１電極層３ａと、第１電極層３ａの中央部を横断する領域に積層された焼成銀からなる第２電極層３ｂとで構成されており、第２電極層３ｂの側面から第１電極層３ａの表面へ至る段差１２が形成され、メッキ層（ニッケルメッキ層９および半田メッキ層１０）の裏面電極３を覆う部分には段差１２と対応する段差１３が形成されている。したがって、このチップ抵抗器１が回路基板３０上に実装されると、裏面電極３とランド３１との間に介設される半田接合部（半田３２）の厚みが段差１３部分で増大し、第１および第２電極層３ａ，３ｂの境界部分に熱応力が集中する虞もないため、半田接合部がヒートショックで損傷する可能性は低いものとなる。 （もっと読む）

【課題】ハンダフィレットを介してプリント基板に実装した状態で通電を繰り返した場合でも、チップ抵抗器とハンダとの間の接合部にクラックが発生するのを防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０の下面に樹脂ペーストにより形成された絶縁膜１２が設けられ、一対の電極部３０における各電極部が、上面電極３２と、絶縁膜１２の下面に形成された下面電極４０と、絶縁基板１０の側面と下面電極４０の下面に設けられた側面電極５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 自己発熱時の発熱温度上昇の低減を実現すると共にトリミング精度の高い薄膜抵抗体を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板の表面に薄膜状抵抗体層及び前記薄膜状抵抗体層に接続される電極層を形成してなる薄膜抵抗体であって、前記薄膜状抵抗体層は、細線状抵抗体層を所定領域内でほぼ等間隔となるよう繰り返し折り返した第１の抵抗体パターン１００と、前記第１の抵抗パターンとほぼ同じ間隔で折り返され折り返し端部が前記第１の抵抗体パターン１００の一方の折り返し端部に接続され前記第１の抵抗体パターンと並列接続される第２の抵抗体パターン２００とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気抵抗率が低く、ＴＣＲ特性に優れ、貴金属を含有していない導電性材料及びそれを含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｌａ_４ＢａＣｕ_５Ｏ_１３で表わされるペロブスカイト酸化物の一部をＰｒで置換することにより電気抵抗率を低減した導電性材料であって、Ｌａ_４-ＸＰｒ_ＸＢａＣｕ_５Ｏ_１３（０．０５≦Ｘ≦０．６０）で表されることを特徴とする導電性材料及び該導電材料を含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供する。
また、Ｌａ_４ＢａＣｕ_５Ｏ_１３で表わされるペロブスカイト酸化物の一部をＣｏで置換することにより電気抵抗率を低減した導電性材料であって、ＬａＢａＣｕ_５-ＹＣｏ_ＹＯ_１３（０．０５≦Ｙ≦０．３５）で表されることを特徴とする導電性材料及び該導電材料を含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗値が低くＴＣＲが小さいチップ抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面に形成された抵抗体１２と、この抵抗体１２の上面の両端部に形成されたＣｕからなる一対の上面電極１３と、前記抵抗体１２を覆うように形成された保護膜１４と、前記絶縁基板１１の両端面において前記抵抗体１２、一対の上面電極と１３接続されるように形成された端面電極１５とを備え、前記抵抗体１２を、Ｃｕからなる第１抵抗層１２ａと、前記一対の上面電極１３が位置しない箇所において前記第１抵抗層１２ａの厚みより厚いＣｕＮｉからなる第２抵抗層１２ｂとで構成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、バレルメッキの工程において裏面電極同士がくっつきあうことを防止することができ、歩留まりを向上させたチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】裏面電極１５を矩形状の絶縁基板１１の長辺側の端部に沿って設けられたチップ抵抗器であり、裏面電極１５に長辺方向に複数個の厚膜部１９を設けたものであり、このように構成することによりバレルメッキ時のくっつきを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低いものであっても、抵抗値の安定性が高い薄膜チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】絶縁基板１１上に両端部１３から内側に延出して形成した貴金属からなる第１上面電極１４と、第１上面電極１４を覆い両端部１３間をつなぐ薄膜からなる抵抗体１６と、この上に設けられ第１上面電極１４に上面視にて重なる厚膜からなる第２上面電極１７を有し、第１上面電極１４を設けた部分における幅をそれぞれ第１上面電極１４をＷ１、抵抗体１６をＷ２、第２上面電極１７をＷ３としたとき、Ｗ１＜Ｗ３＜Ｗ２の関係を有し、抵抗体１６の両側面側から内側に向かって、第１上面電極１４に達する切り欠き部１８を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電力に対応が可能な角形チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の角形チップ抵抗器は、絶縁基板１１と、前記絶縁基板１１の上面および裏面の両端部にそれぞれ設けられた一対の上面電極１２ａおよび一対の裏面電極１２ｂと、前記一対の上面電極１２ａおよび一対の裏面電極１２ｂとそれぞれ電気的に接続されるように設けられた上面抵抗体１３ａおよび裏面抵抗体１３ｂとを備え、前記上面抵抗体１３ａの面積を前記裏面抵抗体１３ｂの面積より大きくし、かつ前記一対の上面電極１２ａ間の上面抵抗体１３ａの長さを前記一対の裏面電極１２ｂ間の裏面抵抗体１３ｂの長さより長くしたものである。 （もっと読む）

【課題】温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供する。
【解決手段】金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、ＣｒＳｉＯ又はＮｉＣｒＳｉＯからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Ｃｒ膜との多層構造を有する。金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性が良い。 （もっと読む）

【課題】熱放散性に優れ、現状工程への適合性が高く、且つ信頼性に優れたチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１と、その表面両端部に配置された一対の第１表電極１２と、該第１表電極に接続する抵抗体１５と、該抵抗体を被覆する第１保護膜１６と、該第１保護膜上に前記第１表電極と一部が接続するように配置された第２表電極１８と、前記抵抗体１５と前記第１保護膜１６に設けられた切り込み溝Ｘと、前記第２表電極１７の一部と、前記第１保護膜１６および前記切り込み溝Ｘを被覆する第２保護膜１８とを備え、前記第１保護膜１６と前記第２保護膜１８の間に形成される第２表電極１７は、前記切り込み溝Ｘを被覆せず、該切り込み溝Ｘにより狭くなった狭小部Ｙを覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値調整を行ったチップ抵抗器において、耐サージ特性を向上させることができるものを提供する。
【解決手段】抵抗体２０が、略方形状で最大膜厚が１８〜２２μｍの厚膜により形成され、膜厚が１５μｍ以上の領域Ｐ１と領域Ｐ１の周囲に形成された膜厚が１５μｍ未満の領域Ｐ２とを有し、抵抗体２０には、辺部２０ａからトリミング溝Ｔ１が形成され、該トリミング溝Ｔ１は、辺部２０ａから電極間方向に向けて曲線状にカーブして形成され、トリミング溝の奥側に行くに従い辺部２０ａに近づかない方向にのみ形成され、その終端において電極間方向となる円弧状部分Ｔ１ａと、円弧状部分Ｔ１ａの終端から連設され、電極間方向に形成された直線状部分Ｔ１ｂを有し、直線状部分Ｔ１ｂの終端が、領域Ｐ１内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤を用いたフェースダウン実装に好適なチップ抵抗器と、その製造方法とを提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の絶縁性基板２の片面２ａには、保護膜４に被覆された抵抗体３と、抵抗体３の両端部に重なり合う一対の電極５とが設けられており、電極５の表面は、少なくとも絶縁性基板２の表面よりも粗くなるように粗面化処理されたうえで露出している。このチップ抵抗器１は片面２ａ側を回路基板１０に対向させてフェースダウン実装され、回路基板１０上に設けられた配線パターン１１とチップ抵抗器１の電極５とが導電性接着剤１２によって電気的かつ機械的に接続されるようになっている。チップ抵抗器１の電極５は例えばブラスト加工を施して粗面化できるが、軟化点の異なる複数種類のガラス材を電極ペーストに含有させる等の手法で電極５を粗面化してもよい。 （もっと読む）

【課題】分相性を適正に制御し得る抵抗体形成用ガラスを創案することにより、（１）ホットプレス工程で、緻密に焼結すること、（２）ホットプレス工程で、容易に変形すること、（３）ホットプレス工程後に、抵抗体の抵抗値がばらつく不具合を防止できること等の要求特性を満たすこと。
【解決手段】本発明の抵抗体形成用ガラスは、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２ ４９．０〜５７．９％、Ｂ_２Ｏ_３ ２６．８〜４０．６％、ＢａＯ ２．８〜７．５％、Ｌｉ_２Ｏ ７．６〜１２．３％、ＢａＯ＋Ｌｉ_２Ｏ（ＢａＯ、Ｌｉ_２Ｏの合量） １０．４〜１５．２％（但し、１５．２％は含まず）を含有し、且つモル比ＳｉＯ_２／Ｂ_２Ｏ_３の値が１．８３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 抵抗値変化率を一定以内に抑えた耐環境性に優れた銅導電体層付き抵抗薄膜素子の提供を目的とする。
【解決手段】 絶縁基材の少なくとも片面に、電気抵抗体となる抵抗層と、その抵抗層と回路を構成する配線を抵抗層の表面に積層した銅導電体層とを含む銅導電体層付き抵抗薄膜素子において、耐環境試験における目標抵抗値変化率ΔＲに対して抵抗層の膜厚が、ｔ≧α／ΔＲ、α：抵抗層の種類に応じた係数、ｔ：抵抗層の膜厚［ｎｍ］で示される膜厚であることを特徴とする銅導電体層付き抵抗薄膜素子。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性と耐半田食われ性にともにすぐれる、鉛フリーの厚膜導体形成用組成物を低コストで提供する。
【解決手段】本発明は、チップ抵抗器の電極として用いられる厚膜導体を形成するための組成物に関する。本発明の組成物は、導電粉末としてＡｇ粉末が、酸化物粉末として、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ₂Ｏ₃粉末とが、それぞれ含まれており、かつ、添加物としてカーボン粉末が添加されている。導電粉末１００質量部に対し、カーボン粉末が１〜１０質量部、前記ガラス粉末が０．１〜１５質量部、前記Ａｌ₂Ｏ₃粉末が０．１〜８質量部である。前記ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ₂：２０〜６０質量％、Ｂ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、Ａｌ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ₂Ｏ：０．５〜６質量％である。 （もっと読む）