【課題】本発明は、歩留まりを向上させることができるチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板１１の上面の両端部に一対の上面電極１２及びこの一対の上面電極１２間に抵抗体１３を形成する工程と、前記抵抗体１３にその一方の側面から他の側面に向かってレーザで切削することによりトリミング溝１７を形成して抵抗値を調整する工程と、前記抵抗体１３を覆うように保護膜１４を形成する工程と、前記絶縁基板１１の両端面に前記一対の上面電極１２と接続される端面電極１５を形成する工程と、前記上面電極１２の一部と前記端面電極１５の表面にめっきすることによりめっき層１６を形成する工程とを有し、前記抵抗体１３を形成した後、抵抗値を調整する前に前記絶縁基板１１の裏面における前記抵抗体１３が形成された場所に対応する箇所にレーザを照射するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高精度の抵抗値が得られるチップ抵抗器のトリミング方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器のトリミング方法は、絶縁基板１１の上面の両端部に形成された一対の上面電極１２と電気的に接続される抵抗体１３を形成する工程と、一対の上面電極１２それぞれの上面に電圧測定用プローブ１５、電流通電用プローブ１６を接触させることによって抵抗体１３の抵抗値を測定しながら、抵抗体１３の一側面１３ａから中心方向に向かってレーザによって抵抗体１３を切削してトリミング溝１４を形成する工程とを備え、電圧測定用プローブ１５の接触点１５ａを電流通電用プローブ１６の接触点１６ａより抵抗体１３側に位置させるとともに、電圧測定用プローブ１５の接触点１５ａを電流通電用プローブ１６の接触点１６ａより抵抗体１３の他の側面１３ｂ側に位置させるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージの小型化を達成し、高電圧のＬＥＤ素子にも対応することが出来る手段を提供する。
【解決手段】バリスタのグリーンシートを７０〜２５０μｍの厚みで準備する第一の工程と、前記グリーンシートを焼成して５０〜２００μｍの厚みのバリスタ素体を形成する第二の工程と、前記バリスタ素体をそのまま使用して、その表裏面に外部電極を形成する第三の工程と、前記外部電極を形成した外部電極付バリスタ素体を、その全表裏面が外部電極で被覆されているようにカットする第四の工程と、を含むチップバリスタの製造方法によって得られる、バリスタ素体と外部電極のみからなる小型のチップバリスタをＬＥＤパッケージに搭載する。チップバリスタの厚みは５０〜２００μｍ、長さ及び幅は１００〜３００μｍである。
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【課題】本発明は、抵抗値が低くＴＣＲが小さいチップ抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面に形成された抵抗体１２と、この抵抗体１２の上面の両端部に形成されたＣｕからなる一対の上面電極１３と、前記抵抗体１２を覆うように形成された保護膜１４と、前記絶縁基板１１の両端面において前記抵抗体１２、一対の上面電極と１３接続されるように形成された端面電極１５とを備え、前記抵抗体１２を、Ｃｕからなる第１抵抗層１２ａと、前記一対の上面電極１３が位置しない箇所において前記第１抵抗層１２ａの厚みより厚いＣｕＮｉからなる第２抵抗層１２ｂとで構成したものである。 （もっと読む）

【課題】熱放散性に優れ、現状工程への適合性が高く、且つ信頼性に優れたチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１と、その表面両端部に配置された一対の第１表電極１２と、該第１表電極に接続する抵抗体１５と、該抵抗体を被覆する第１保護膜１６と、該第１保護膜上に前記第１表電極と一部が接続するように配置された第２表電極１８と、前記抵抗体１５と前記第１保護膜１６に設けられた切り込み溝Ｘと、前記第２表電極１７の一部と、前記第１保護膜１６および前記切り込み溝Ｘを被覆する第２保護膜１８とを備え、前記第１保護膜１６と前記第２保護膜１８の間に形成される第２表電極１７は、前記切り込み溝Ｘを被覆せず、該切り込み溝Ｘにより狭くなった狭小部Ｙを覆うように形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤を用いたフェースダウン実装に好適なチップ抵抗器と、その製造方法とを提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の絶縁性基板２の片面２ａには、保護膜４に被覆された抵抗体３と、抵抗体３の両端部に重なり合う一対の電極５とが設けられており、電極５の表面は、少なくとも絶縁性基板２の表面よりも粗くなるように粗面化処理されたうえで露出している。このチップ抵抗器１は片面２ａ側を回路基板１０に対向させてフェースダウン実装され、回路基板１０上に設けられた配線パターン１１とチップ抵抗器１の電極５とが導電性接着剤１２によって電気的かつ機械的に接続されるようになっている。チップ抵抗器１の電極５は例えばブラスト加工を施して粗面化できるが、軟化点の異なる複数種類のガラス材を電極ペーストに含有させる等の手法で電極５を粗面化してもよい。 （もっと読む）

【課題】電極メッキ層形成後のメッキ張り出しを極力少なくすると共に、チップの分割面を、メッキ張り出し分が吸収できる形状にすることにより、チップ寸法精度のさらなる向上を図ったチップ抵抗器の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上に、一次方向に延在する複数対の電極４ａ、５を形成し、次いで複数対の電極に接続される複数の抵抗体６およびこれを被覆する保護膜７を形成した後に、絶縁基板１の両面にレーザ光を照射して上記電極を分断する一次方向および二次方向に分割溝２、３を形成し、次いで絶縁基板を分割溝２、３に沿って分割してチップ状にして、両端電極にめっき層を形成してなり、かつ上記レーザ光として、波長が１９０〜３６０ｎｍのＵＶレーザーを用いて、分割溝２、３を、当該分割溝のエッジ部から溝底部までの水平距離が１μｍ〜７μｍのテーパを有する断面Ｖ字状に形成する。 （もっと読む）

【課題】積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との接合強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制すること。
【解決手段】内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を傾斜させる。そして、この状態で、ターゲットを用いて第１端子形成面に乾式成膜する（ステップＳ１０３）。その後、積層型電子部品を反転させる（ステップＳ１０５）。そして、第１端子形成面と対向する第２端子形成面をターゲットの照射面に対して傾斜させるとともに、第２端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットを用いて第２端子形成面に乾式成膜する（ステップＳ１０７）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性を低下させることなく安定した溶断特性が得られる回路保護素子の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の回路保護素子の製造方法は、絶縁基板１１の上面の両端部に一対の上面電極１２を形成するとともに絶縁基板１１に蓄熱層１４を形成する工程と、前記蓄熱層１４の上面において一対の上面電極１２を橋絡し、かつ一対の上面電極１２と電気的に接続されるエレメント部１３を形成する工程と、このエレメント部１３に溶断部形成用トリミング溝１７および抵抗値調整用トリミング溝１６を形成する工程と、前記エレメント部１３を覆うように絶縁層１５を形成する工程とを備え、エレメント部１３に放熱板２１を載置した状態でエレメント部１３にレーザ２０を照射することにより前記抵抗値調整用トリミング溝１６を形成するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数対の上面電極層のそれぞれに電圧端子や電流端子における分岐された先端部をそれぞれ接触させて製品としての抵抗値を測定する場合、製品としての抵抗値を常に正確に測定することができる低抵抗角形チップ抵抗器の抵抗値測定方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の低抵抗角形チップ抵抗器の抵抗値測定方法は、複数対の上面電極層１３に電圧端子１９，２０の分岐された先端部と電流端子２１，２２の分岐された先端部をそれぞれ接触させて製品としての抵抗値を測定する際、前記電圧端子１９，２０や電流端子２１，２２の分岐された先端部と上面電極層１３との接触抵抗２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａの抵抗値より大きくかけ離れた非常に大きい抵抗値を有する抵抗２７ａ，２８ａ，２９ａ，３０ａをあらかじめ設けたもので製品としての抵抗値を測定するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜の単層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、アンプの出力段の半導体集積回路の抵抗体として使用したときに優れた音質が得られる高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、抵抗値電圧係数ＶＣＲが−１５０乃至＋１５０ｐｐｍ／Ｖである窒化タンタル膜の単層膜であり、この窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素ガス分圧比を３乃至１０％としてスパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（１／１６５）Ｔ＋（９５／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たす。 （もっと読む）

【課題】トリミング部周辺の電流集中によるホットスポットの発生を抑制し，高信頼性で，かつ，抵抗器のＶＩ特性の改善に好適な，抵抗膜形状およびトリミング形状を提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に抵抗膜３を形成する工程と，この抵抗膜をトリミングすることにより抵抗値を調整するトリミング工程を備えた抵抗の製造工程において，抵抗体形成時に抵抗体側辺に予め切欠４を設けておき，トリミング工程で，その切り欠きの面積を拡大するように抵抗体を切り取ることで租調整である1stカットトリミングを行った後，続いて微調整として，この1stカットトリミング跡に隣接する縁部を広げるようにカットする事により，トリミング面積を拡大する形で抵抗値を上昇させる2ndカットトリミングを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、過負荷特性の劣化を防止できる抵抗器およびその製造方法、並びにその実装方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、セラミック碍子からなり断面が略方形の基台１１と、この基台１１の全表面に設けられた金属皮膜１２とを備え、前記金属皮膜１２を前記基台１１の両端部に位置する電極部１３とこの電極部１３間に位置する素子部１４とで構成し、前記電極部１３における前記金属皮膜１２に貫通孔１６を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したものとし、また、抵抗値調整できる抵抗値の範囲を広く得ることができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器Ｐ１における抵抗体２０は、第１抵抗膜２２の上面に、第１抵抗膜２２よりも抵抗値の低い材料により形成された第２抵抗膜２４を形成することにより、高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１と低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２を有し、抵抗体２０には略Ｌ字状のトリミング溝３０、３２が形成されている。各トリミング溝３０、３２は、第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部ｈ１、ｈ２から該電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成され、さらに、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気特性を向上させることができるとともに、１次分割および２次分割も効率よく行える薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の薄膜チップ抵抗器の製造方法は、分割溝が形成されていないシート状の絶縁基板１として、表面粗さＲａが０．１μｍ以下であるアルミナ純度９９％以上のアルミナ基板を用いるとともに、前記絶縁基板１の上面と裏面に前記薄膜抵抗体層をチップ形状に分割する１次分割溝１ａ，１ｃおよび２次分割溝１ｂ，１ｄをレーザースクライブによりそれぞれ形成し、かつ前記１次分割溝１ａ，１ｃと２次分割溝１ｂ，１ｄは、上面側の１次分割溝１ａの深さｔ１および２次分割溝１ｂの深さｔ２と、裏面側の１次分割溝１ｃの深さｔ３および２次分割溝１ｄの深さｔ４との関係を、ｔ１＜ｔ３，ｔ２＜ｔ４，ｔ１＞ｔ２，ｔ３＞ｔ４としているものである。 （もっと読む）

【課題】１辺数ミリ単位の小型の電子部品を複数実装した電子部品基板を分割加工溝に沿って容易かつ効率良く分割することのできる、電子部品基板の分割装置を提供する。
【解決手段】電子部品３が複数実装された電子部品基板１が搬送される搬送ベルト２４と、搬送ベルト２４の直下に位置し、電子部品基板１の分割時に反力を受ける反力支持面２６ａと、搬送ベルト２４の直下で反力支持面２６ａの下流側に位置し、電子部品基板１の先頭部位を下から持ち上げる形で支持する支持ローラー３０と、搬送ベルト２４の直上に位置し、電子部品基板１の先頭部位が支持ローラー３０により持ち上げられた姿勢で、電子部品基板１の先頭部位の分割加工溝４位置を上方から上下動可能に押圧する押圧ローラー４４とを具備する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高精度の薄膜抵抗を高精細なパターニングによって容易に形成できる薄膜抵抗素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板１の表面に配置された第１、第２端子部３ａ１、３ｂ１と抵抗長Ｌ及び抵抗幅Ｗを有して絶縁基板の表面に形成された薄膜抵抗体層２ａとを有する薄膜抵抗素子の製造方法は、絶縁基板１の表面に薄膜抵抗基材層２を介して導電体層３が積層された積層体を用意する工程と、抵抗長Ｌの両端にそれぞれ位置する第１、第２端子部を設けるために導電体層３に第１次パターニング処理を施して抵抗長Ｌに対応した間隔で分離された第１、第２導電体層部分３ａ、３ｂを形成し、薄膜抵抗基材層２の表面を露出させる工程と、次に第１、第２導電体層部分間に露出された薄膜抵抗基材層２に第２次パターニング処理を施して抵抗幅Ｗを有する薄膜抵抗体層２ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、かつ優れた抵抗体特性を有する抵抗体皮膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】先駆体溶液として、スズと、アンチモン、タンタル、ニオブから選ばれた少なくとも１つの金属とを含む有機金属化合物からなる金属有機化合物の溶液を、アルミナ基板等の支持体の上に塗布して乾燥させる。その後、弱いレーザーを照射してパターニングを行い、未反応部を酸で除去する。そして、基板を２００℃から５００℃で加熱しながら強いレーザーを照射して結晶性薄膜への変換を行う。 （もっと読む）

【課題】量産可能な５０ｍΩ〜１Ωの抵抗値領域においてＴＣＲが±５０ｐｐｍ／℃以内の高精度な低抵抗のチップ抵抗器と、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック製電気絶縁性基板の表面に接着層を介して設けられる、厚み５０μｍ以で、銅を３０ｍａｓｓ％以上８０ｍａｓｓ％以下含む銅−ニッケル系合金、又はニッケルを５０ｍａｓｓ％以上含むニッケル−クロム系合金の金属箔からなる抵抗体膜と、チップ抵抗器の端子部の形成領域を除いて抵抗体膜を保護するように被覆される抵抗体保護膜と、抵抗体保護膜による抵抗体膜の未被覆部の一部及び電気絶縁性基板の両端部に設けられる外部電極膜と、抵抗体保護膜による抵抗体膜の未被覆部の残部及び外部電極膜上に設けられるニッケルメッキ膜と、ニッケルメッキ膜上に設けられる錫メッキ膜とから構成される端子部とからなる低抵抗チップ抵抗器。 （もっと読む）

【課題】レーザトリミングにより抵抗体の抵抗値を調整する際の精度を高めることが可能なレーザトリミング方法を低コストに提供する。
【解決手段】第１の場合（抵抗体Ｒａ，Ｒｂの抵抗値を調整する以前の初期状態における定電圧ＶＯＭの初期値が狙い値よりも小さい場合）には、抵抗体Ｒｂだけをレーザトリミングして抵抗体Ｒｂだけの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値より大きくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了し、抵抗体Ｒａはレーザトリミングしない。第２の場合（定電圧ＶＯＭの初期値が狙い値よりも大きい場合）には、まず、抵抗体Ｒａをレーザトリミングして抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値より小さくなった時点で抵抗体Ｒａのレーザトリミングを完了し、次に、抵抗体Ｒｂをレーザトリミングして抵抗体Ｒｂの抵抗値を調整し、定電圧ＶＯＭが狙い値より大きくなった時点で抵抗体Ｒｂのレーザトリミングを完了する。 （もっと読む）