積層型電子部品の電極形成方法
【課題】積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との接合強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制すること。
【解決手段】内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を傾斜させる。そして、この状態で、ターゲットを用いて第１端子形成面に乾式成膜する（ステップＳ１０３）。その後、積層型電子部品を反転させる（ステップＳ１０５）。そして、第１端子形成面と対向する第２端子形成面をターゲットの照射面に対して傾斜させるとともに、第２端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットを用いて第２端子形成面に乾式成膜する（ステップＳ１０７）。
【解決手段】内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を傾斜させる。そして、この状態で、ターゲットを用いて第１端子形成面に乾式成膜する（ステップＳ１０３）。その後、積層型電子部品を反転させる（ステップＳ１０５）。そして、第１端子形成面と対向する第２端子形成面をターゲットの照射面に対して傾斜させるとともに、第２端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットを用いて第２端子形成面に乾式成膜する（ステップＳ１０７）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品の端子電極を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、各種の電子部品が実装された基板を備える。このような電子部品の中には、内部電極を有する積層型電子部品と呼ばれるものがある。積層型電子部品は、通常チップ状の部品であり、内部電極と基板のランドとを電気的に接続するための電極が必要である。例えば、特許文献１には、チップ状素体の両端部の対角線が水平となるようにＶ溝を有する一対のマスク板でチップ状素体を挟持し、一対のターゲットを用いて上下方向からチップ状素体の両端部に薄膜を形成する外部電極形成用マスク治具が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２０４１００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、積層型電子部品の両端面へ電極の薄膜を形成しようとする場合、特許文献１に開示された方法では端面がターゲットに対して垂直な方向を向いているので、積層型電子部品の端子形成面と電極材料の薄膜との接合が弱くなるおそれがあった。また、端面をターゲットに正対させると、電極材料が積層型電子部品の側面に回り込んで付着してしまうおそれがあった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との密着強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、内部電極と絶縁体とを有する積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、前記内部電極が露出した第１端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で、前記第１端子形成面を前記端子電極の材料である電極材料で構成されたターゲットに対して露出させるとともに、当該ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を０度よりも大きく９０度よりも小さい傾斜角度で傾斜させて前記積層型電子部品を配置する部品配置工程と、当該部品配置工程が終了した後に、前記ターゲットを用いて前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第１の乾式成膜工程と、当該第１の乾式成膜工程が終了した後に、前記積層型電子部品を反転させ、前記第１端子形成面と対向し、かつ前記内部電極が露出した第２端子形成面を前記照射面に対して前記傾斜角度と同じ角度で傾斜させるとともに、前記第２端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で前記第２端子形成面を前記ターゲットに対して露出させる反転工程と、当該反転工程が終了した後に、前記ターゲットを用いて前記第２端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第２の乾式成膜工程と、を含むことを特徴とする積層型電子部品の電極形成方法である。
【０００６】
本発明は、上述したように、電子部品を反転させることにより、積層型電子部品の両端部の端子形成面に端子電極を形成できる。そして、ターゲットの照射面に対して端子形成面を傾斜させて電極材料の薄膜を形成するので、前記薄膜と端子形成面との密着強度を確保できる。さらに、乾式成膜時には、少なくとも端子形成面の周りを被覆手段で囲むことにより、ターゲットに近い側の被覆手段が庇として機能するとともに、重力によって端子形成面とターゲットから遠い側の被覆手段との隙間が小さくなる。これによって、電極材料が電子部品の側面へ回り込むことが抑制される。このように、本発明では、積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との密着強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制できる。
【０００７】
本発明の望ましい態様としては、前記第１端子形成面と前記第２端子形成面とに、異なる電極材料の薄膜を複数積層させる場合、前記第１の乾式成膜工程においては、前記異なる電極材料に対応したターゲットを用いて、それぞれのターゲットで前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、複数の電極材料の薄膜を形成し、前記第２の乾式成膜工程においては、前記異なる電極材料に対応したターゲットを用いて、それぞれのターゲットで前記第２端子形成面に乾式成膜することにより、複数の電極材料の薄膜を形成することが好ましい。これによって、複数の異なる電子材料の薄膜により端子電極を形成できる。
【０００８】
本発明の望ましい態様としては、前記第１端子形成面と前記第２端子形成面とに、異なる電極材料の薄膜を複数積層させる場合、前記第２の乾式成膜工程の後、前記第２端子形成面を、当該第２端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で、当該第２端子形成面の最上層に形成された薄膜とは異なる電極材料で構成されたターゲットに対して露出させて、当該ターゲットを用いて前記最上層に形成された薄膜上に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第３の乾式成膜工程と、当該第３の乾式成膜工程が終了した後に、前記積層型電子部品を反転させ、前記電極材料の薄膜が形成された前記第１端子形成面を前記照射面に対して前記傾斜角度と同じ角度で傾斜させるとともに、前記第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、前記第１端子形成面を前記第３の乾式成膜工程で用いたターゲットに対して露出させる再反転工程と、当該再反転工程が終了した後に、前記第３の乾式成膜工程で用いたターゲットを用いて前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第４の乾式成膜工程と、をさらに含むことが好ましい。これによって、複数の異なる電子材料の薄膜により端子電極を形成できる。
【０００９】
本発明の望ましい態様としては、前記積層形電子部品は、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面が四角形の四角柱形状であり、前記部品配置工程及び前記反転工程においては、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面とつながる前記積層型電子部品の側部の一つの稜線を前記ターゲット側に向けることが好ましい。通常、積層型電子部品は略四角柱形状であり、端子形成面の形状は四角形であるが、その一つの稜線をターゲット側に向けることにより、ターゲットにより近い側の被覆手段によって端子形成面の二つの辺を囲むことができる。これによって、端子電極の二つの辺から同時に電極材料の回り込みを抑制できる。
【００１０】
本発明の望ましい態様としては、前記傾斜角度は、３０度以上６０度以下であることが好ましい。これによって、電極材料と端子形成面との密着強度低下をより効果的に抑制でき、かつ電子部品の側面への電極材料の回り込みをより効果的に抑制できる。
【００１１】
本発明の望ましい態様としては、さらに、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面とつながる前記積層型電子部品の側部の前記第１端子形成面側、及び前記第２端子形成面側に、それぞれ側部電極を形成する工程を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との接合強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１−１】図１−１は、積層型電子部品の一例であるコンデンサの断面模式図である。
【図１−２】図１−２は、積層型電子部品の斜視図である。
【図２】図２は、積層型電子部品の平面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る積層型電子部品の電極形成方法によって積層型電子部品の端子形成面に端子電極を形成する状態を示す概念図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る電極形成方法で用いる成膜治具の全体構成図である。
【図５】図５は、成膜治具を構成する部品保持治具の側面図である。
【図６】図６は、部品保持治具の正面図である。
【図７】図７は、部品保持治具の部品保持孔を示す正面図である。
【図８】図８は、部品保持治具に電子部品を保持した状態を示す模式図である。
【図９】図９は、成膜治具を構成するベース治具を示す側面図である。
【図１０】図１０は、成膜治具を用いて電子部品の端子形成面にスパッタリングをする状態を示す模式図である。
【図１１】図１１は、本実施形態に係る電極形成方法の手順を示すフローチャートである。
【図１２−１】図１２−１は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１２−２】図１２−２は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１２−３】図１２−３は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１２−４】図１２−４は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１２−５】図１２−５は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１３】図１３は、第１端子電極及び第２端子電極が形成された電子部品を示す側面図である。
【図１４】図１４は、本実施形態に係る電極形成方法が適用できる他の電子部品の形状を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す電子部品に用いる部品保持治具の正面図である。
【図１６】図１６は、本実施形態の変形例に係る成膜治具を示す全体構成図である。
【図１７】図１７は、図１６に示す成膜治具の部品保持治具が有する部品保持孔を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための形態（以下、実施形態という）により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１５】
図１−１は、積層型電子部品の一例であるコンデンサの断面模式図である。図１−２は、積層型電子部品の斜視図である。図２は、積層型電子部品の平面図である。図１−１に示すように、積層型電子部品（以下、必要に応じて電子部品という）１は、内部電極８Ａ、８Ｂと絶縁体としての絶縁層９とを含む。本実施形態において、電子部品１は、内部電極８Ａ、８Ｂと絶縁体としての絶縁層９とを交互に積層し、内部電極８Ａに第１端子電極２Ａが接続され、かつ内部電極８Ｂに第２端子電極２Ｂが接続されて構成される部品である。電子部品１は、内部電極と絶縁体とを有していれば、本実施形態の構造に限定されるものではない。第１端子形成面５Ａには内部電極８Ａが露出しており、また、第２端子形成面５Ｂには内部電極８Ｂが露出している。そして、第１端子電極２Ａは第１端子形成面５Ａに形成され、第２端子電極２Ｂは第２端子形成面５Ｂに形成される。電子部品１としては、例えば、チップコンデンサの他に、内部電極パターンや材料組成等が異なるチップインダクタ、チップ抵抗、フィルタ、バリスタ等がある。なお、以下において、第１端子電極２Ａと第２端子電極２Ｂとを区別しない場合には単に端子電極といい、第１端子形成面５Ａと第２端子形成面５Ｂとを区別しない場合には単に端子形成面という。
【００１６】
図１−２に示すように、本実施形態において、第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの形状は正方形である。そして、電子部品１の形状は、第１端子形成面５Ａと第２端子形成面５Ｂとを底面とし、これらにつながる４個の側面（側部）４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄを有する四角柱形状である。第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの辺の長さはＬａ、Ｌｂ（Ｌａ＝Ｌｂ）であり、電子部品１の長さはＬｃである。なお、第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの形状は正方形に限定されるものではなく、後述するような長方形であってもよい。
【００１７】
図１−２、図２に示すように、電子部品１が有するそれぞれの側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄの第１端子形成面５Ａ側、及び第２端子形成面５Ｂ側には、それぞれ側部電極３Ａ、３Ｂが形成される。側部電極３Ａは第１端子電極２Ａと電気的に接続され、また、側部電極３Ｂは第２端子電極２Ｂと電気的に接続される。そして、側部電極３Ａ、３Ｂは、電子部品１が搭載される基板の電極（基板側電極）とハンダによって電気的に接続される。本実施形態において、側部電極３Ａ、３Ｂは、すべての側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄへ一体に形成されるが、全側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄのうち少なくとも一つに形成されていればよい。このように、電子部品１は、側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄに設けられた側部電極３Ａ、３Ｂによって基板電極と接合される、いわゆる表面実装型の電子部品である。
【００１８】
電子部品１は、平面視が矩形の形状（側面４Ａの形状が矩形）であり、長手方向（図２の矢印Ａで示す方向）及び短手方向（図２の矢印Ｂで示す方向）がある。電子部品１は、寸法がいわゆる１００５以下である。１００５とは、図２に示す電子部品１の長手方向における寸法Ｌｃが１．０±０．０５ｍｍ、短手方向における寸法Ｌａが０．５±０．０５ｍｍであることを意味する。
【００１９】
図３は、本実施形態に係る積層型電子部品の電極形成方法によって積層型電子部品の端子形成面に端子電極を形成する状態を示す概念図である。上述した第１端子電極２Ａ、第２端子電極２Ｂは、乾式成膜によって端子電極が形成される。本実施形態においては、乾式成膜として、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）を用いる。ＰＶＤは、物質の表面に薄膜を形成する蒸着法の一つで、気相中で物質の表面に物理的手法により目的とする物質の薄膜を堆積させる方法である。ＰＶＤとしては、例えば、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子線エピタキシー法、イオンビームデポジション、抵抗加熱蒸着、イオンプレーティング等があり、本実施形態ではスパッタリングを用いる。
【００２０】
本実施形態に係る積層型電子部品の電極形成方法（以下、必要に応じて電極形成方法という）は、図３に示すように、第１端子電極２Ａ及び第２端子電極２Ｂの成膜に用いるスパッタリングのターゲット３０の照射面３１に対して、少なくとも、電子部品１の第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの周囲を被覆手段である覆い部材３２によって囲むとともに傾斜させる。これによって、ターゲット３０側の覆い部材３２が庇として機能することにより、ターゲット３０から照射される電極材料（本実施形態では金属であり、例えば、銅やクロム）が電子部品１の側面に回り込むことを抑制できる。そして、端子電極を形成したい部分（例えば、第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂ）を選択して、当該部分のみに端子電極を形成できる。なお、少なくとも第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの周囲を被覆手段で囲めばよく、電子部品１の側面を被覆手段で囲んでもよい。
【００２１】
このとき、傾斜角度θは、０度よりも大きく９０度よりも小さくする。傾斜角度θは、照射面３１（図３に示す例では照射面３１と平行な仮想照射面ＶＨＬ）と第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂとのなす角度のうち小さい方の角度である。傾斜角度θを小さくすると、ターゲット３０から照射される電極材料は第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂに対してより直角に近い角度で衝突することになるので、成膜時には電子材料の運動エネルギをより有効に利用できる。その結果、電極材料の薄膜と第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂとの密着強度が向上するとともに、得られる電極材料の薄膜は、緻密かつ十分な膜厚となる。しかし、傾斜角度θを小さくし過ぎると、覆い部材３２の庇としての機能が低下し、電極材料の回り込みを抑制する効果が少なくなる。
【００２２】
一方、傾斜角度θを大きくすると、覆い部材３２が庇として有効に機能するようになるので、電極材料の回り込みを抑制する効果も大きくなる。しかし、傾斜角度θを大きくし過ぎると、ターゲット３０から照射される電極材料は、第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂに対してより平行に近い角度で衝突することになるので、成膜時には電子材料の運動エネルギを効率的に利用できなくなる。その結果、電極材料と第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂとの密着強度が低下するとともに、電極膜の緻密性への影響も懸念される。
【００２３】
電極材料の前記密着強度を向上させ、かつ緻密な電極材料の薄膜を形成するとともに、電子部品１の側面への電極材料の回り込みを抑制する観点から、傾斜角度θは３０度以上６０度以下が好ましく、４０度以上５０度以下がさらに好ましい。このようにすることで、電極材料の前記密着強度を向上させるとともに緻密かつ十分な厚さの電極材料の薄膜を形成し、かつ電子部品１の側面への電極材料の回り込みを抑制できる。なお、本実施形態では傾斜角度θを４５度としている。
【００２４】
本実施形態に係る電極形成方法は、第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂのいずれか一方に端子電極を形成した後、電子部品１を反転させて端子電極を形成していない方に端子電極を形成する。これを実現するため、本実施形態に係る電極形成方法では、次に説明する成膜治具を用いる。
【００２５】
図４は、本実施形態に係る電極形成方法で用いる成膜治具の全体構成図である。図４に示すように、成膜治具１００は、部品保持治具１０とベース治具２０とで構成される。部品保持治具１０は、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとで構成される。そして、部品保持治具１０は、端子電極の成膜時に、端子電極を形成する対象の電子部品１（図１−２等参照）を第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとの間に挟持して保持する。ベース治具２０は、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとで構成される。そして、ベース治具２０は、端子電極の成膜時に、第１ベース治具２０Ａ又は第２ベース治具２０Ｂのいずれか一方に部品保持治具１０を載置して、これを保持する。ベース治具２０はターゲット３０の照射面３１に対して傾斜する傾斜面２４を有しており、部品保持治具１０は、傾斜面２４と接するように載置される。
【００２６】
この状態で、電子部品１の第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂをターゲット３０の照射面３１に向けてスパッタリングによって端子電極を成膜する。その後、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとの間に部品保持治具１０を挟持した状態でベース治具２０を反転させる。これによって、第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂのうち、端子電極が形成されていない方をターゲット３０の照射面３１に向けて、スパッタリングによって端子電極を成膜する。次に、部品保持治具１０をより詳細に説明する。
【００２７】
図５は、成膜治具を構成する部品保持治具の側面図である。図６は、部品保持治具の正面図である。図６は、図５の矢印Ａ方向から部品保持治具１０を見た状態を示している。図７は、部品保持治具の部品保持孔を示す正面図である。図８は、部品保持治具に電子部品を保持した状態を示す模式図である。図９は、成膜治具を構成するベース治具を示す側面図である。図１０は、成膜治具を用いて電子部品の端子形成面にスパッタリングをする状態を示す模式図である。
【００２８】
図５、図６に示すように、部品保持治具１０の第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとは、それぞれの合わせ面１３Ａ、１３Ｂで組み合わされる。合わせ面１３Ａ、１３Ｂには、それぞれ断面が三角形（本実施形態では直角二等辺三角形）の保持溝１１Ａ、１１Ｂが形成されている。図６に示すように、合わせ面１３Ａ、１３Ｂを対向させて第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとを組み合わせると、保持溝１１Ａ、１１Ｂが対向し、断面が四角形（本実施形態では正方形）の部品保持孔１１が形成される。この部品保持孔１１に、図１−２に示す電子部品１が挟持され、保持される。なお、断面とは、保持溝１１Ａ、１１Ｂが形成される方向、又は部品保持孔１１が部品保持治具１０を貫通する方向と直交する面である。
【００２９】
図７に示すように、第１保持体１０Ａに形成され、部品保持孔１１を構成する保持溝１１Ａは、互いに直交する保持面１４Ａ、１４Ａを有する。また、第２保持体１０Ｂに形成され、部品保持孔１１を構成する保持溝１１Ｂは、互いに直交する保持面１４Ｂ、１４Ｂを有する。このような構成により、電子部品１が部品保持孔１１に保持されると、電子部品１の二つの側面が保持面１４Ａ、１４Ａ、又は保持面１４Ｂ、１４Ｂに接触することになる。例えば、本実施形態では、図８に示すように、電子部品１の二つの側面４Ｂ、４Ｃが保持面１４Ｂ、１４Ｂに接触することになる。
【００３０】
図８に示すように、断面形状が正方形の部品保持孔１１は、角部の頂部１２Ａ又は１２Ｂ（本実施形態では角部の頂部１２Ａ）が、ターゲット３０の照射面３１に向くように構成される。すなわち、部品保持孔１１を構成する保持溝１１Ａ、１１Ｂの稜線が照射面３１に向くように構成される。また、図７に示す、部品保持孔１１の一方の対角線１９Ａは、合わせ面１３Ａ、１３Ｂと平行かつターゲット３０の照射面３１と平行になるように構成される。これによって、図８に示すように、電子部品１を部品保持孔１１に保持すると、四角柱形状の電子部品１の稜線６が照射面３１に向くように電子部品１が配置される。なお、電子部品１の稜線は、電子部品１の二つの側面を接続する部分であり、図８に示す例では、電子部品１の二つの側面４Ａ、４Ｄを接続する部分が電子部品１の稜線６となる。
【００３１】
第１保持体１０Ａの合わせ面１３Ａの反対側は、図４に示すベース治具２０と接する設置端面１８Ａであり、第２保持体１０Ｂの合わせ面１３Ｂの反対側は、ベース治具２０と接する設置端面１８Ｂである。保持溝１１Ａの一方の開口側における第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ、及び保持溝１１Ｂの一方の開口側における第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡは、成膜時においてベース治具２０と接する。また、保持溝１１Ａの他方の開口側における第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ、及び保持溝１１Ｂの他方の開口側における第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢは、成膜時においてベース治具２０と接する。
【００３２】
図９に示すように、ベース治具２０を構成する第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとは、同じ形状である。第１ベース治具２０Ａは、載置面２１Ａと、傾斜面２４Ａと、ベース治具合わせ面２２Ａ、２３Ａと、部品保持治具係止部２５Ａと、部品保持治具載置面２６Ａとを含んで構成される。同様に、第２ベース治具２０Ｂは、載置面２１Ｂと、傾斜面２４Ｂと、ベース治具合わせ面２２Ｂ、２３Ｂと、部品保持治具係止部２５Ｂと、部品保持治具載置面２６Ｂとを含んで構成される。
【００３３】
載置面２１Ａ、２１Ｂは、それぞれ乾式成膜装置であるスパッタリング装置のステージＦの上に載置される平面である。電子部品１を保持した部品保持治具１０を反転させる際に、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとで部品保持治具１０を挟み込む。このとき、第１ベース治具２０Ａのベース治具合わせ面２２Ａと第２ベース治具２０Ｂのベース治具合わせ面２３Ｂとが互いに接触し、第１ベース治具２０Ａのベース治具合わせ面２３Ａと第２ベース治具２０Ｂのベース治具合わせ面２２Ｂとが互いに接触する。
【００３４】
傾斜面２４Ａ、２４Ｂは、ターゲット３０の照射面３１（図９に示す例では、仮想照射面ＶＨＬ）に対して傾斜しており、その傾斜角度はθである。傾斜面２４Ａ、２４Ｂの一端はベース治具合わせ面２２Ａ、２２Ｂとつながっており、他端は部品保持治具載置面２６Ａ、２６Ｂとつながっている。部品保持治具載置面２６Ａ、２６Ｂは、第１ベース治具２０Ａあるいは第２ベース治具２０Ｂに、図５に示す部品保持治具１０を載置する面であり、部品保持治具１０の設置端面１８Ｂ、１８Ａと接することになる。
【００３５】
部品保持治具係止部２５Ａ、２５Ｂは、それぞれ部品保持治具載置面２６Ａ、２６Ｂからベース治具合わせ面２３Ａ、２３Ｂ側に向かって突出している。そして、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）に部品保持治具１０が載置されると、部品保持治具１０と部品保持治具係止部２５Ａ（あるいは部品保持治具係止部２５Ｂ）とが係り合う。これによって、部品保持治具１０と第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）とのずれが防止されるので、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）は、部品保持治具１０を確実に保持できる。
【００３６】
図９に示す例では、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）に部品保持治具１０が載置されると、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢは、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）の傾斜面２４Ａ（あるいは傾斜面２４Ｂ）と接する。ここで、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢは、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡと平行である。このため、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）に載置された部品保持治具１０を構成する第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡは、ターゲット３０の照射面３１（図９に示す例では、仮想照射面ＶＨＬ）に対して傾斜した状態（傾斜角度はθ）となる。
【００３７】
また、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢと、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡとの距離は、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとで挟持する電子部品１の長手方向における寸法と同一である。
【００３８】
図１０は、第１ベース治具２０Ａの傾斜面２４Ａに、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ、及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢが接している状態を示す。このように、電子部品１を保持した部品保持治具１０を、側面１６ＡＡ及び側面１６ＢＡがベース治具２０のいずれかの傾斜面（２４Ａ又は２４Ｂ）と接するようにすると、第１端子形成面５Ａが側面１６ＡＢ及び側面１６ＢＢと平行かつ略同一面に配置される。その結果、第１端子形成面５Ａは、ターゲット３０の照射面３１（図１０に示す例では、仮想照射面ＶＨＬ）に対して傾斜角度θだけ傾斜することになる。
【００３９】
同様に、電子部品１を保持した部品保持治具１０を、側面１６ＡＢ及び側面１６ＢＢがベース治具２０のいずれかの傾斜面（２４Ａ又は２４Ｂ）と接するようにすると、第２端子形成面５Ｂは、側面１６ＡＡ及び側面１６ＢＡと平行かつ略同一面に配置される。その結果、第２端子形成面５Ｂは、ターゲット３０の照射面３１に対して傾斜角度θだけ傾斜することになる。
【００４０】
このように、ベース治具２０は、第１ベース治具２０Ａの傾斜面２４Ａと第２ベース治具２０Ｂの傾斜面２４Ｂとをターゲット３０の照射面３１に対して同じ傾斜角度θで傾斜させる。そして、部品保持治具１０は、第１ベース治具２０Ａと接する面（側面１６ＡＢ及び側面１６ＢＢ）と、第２ベース治具２０Ｂと接する面（側面１６ＡＡ及び側面１６ＢＡ）とを平行に構成する。これによって、部品保持治具１０を、第１ベース治具２０Ａあるいは第２ベース治具２０Ｂのいずれに載置した場合でも、電子部品１の第１端子形成面５Ａと第２端子形成面５Ｂとを、照射面３１に対して同じ傾斜角度θで傾斜させることができる。
【００４１】
上述したように、電子部品１を第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとで挟持し、部品保持孔１１に保持した状態でベース治具２０に載置すると、図１０に示すように、電子部品１の稜線６が照射面３１に向くようになる。第１保持体１０Ａの縁部１５Ａ及び第２保持体１０Ｂの縁部１５Ｂは、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）の周囲を囲んでいる。そして、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）は、縁部１５Ａ、１５Ｂと略同一面に配置されるようになる。
【００４２】
これによって、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）と、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ、及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡとは略同一面に配置されるので、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）はターゲット３０に対して露出することになる。また、図１０に示すように、本実施形態では、電子部品１の第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）は、ターゲット３０の照射面３１に対して傾斜角度θだけ傾斜する。ここで、縁部１５Ａは、保持溝１１Ａと第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡとの接続部であり、縁部１５Ｂは、保持溝１１Ｂと第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡとの接続部である。
【００４３】
この状態で、ターゲット３０の照射面３１から電極材料Ｓを第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）に照射すると、第１保持体１０Ａのターゲット３０側の縁部１５Ａが第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）に対する庇となる。すなわち、縁部１５Ａ、１５Ｂが図３に示す覆い部材３２と同様に機能する。このように、縁部１５Ａ、１５Ｂは被覆手段となる。また、図８に示すように、電子部品１の側面４Ｂ、４Ｃは、第２保持体１０Ｂの保持面１４Ｂに支持されるので、重力の作用により電子部品１の第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）と縁部１５Ｂとの隙間が小さくなる。これらの作用によって、ターゲット３０から照射される電極材料Ｓの回り込みが抑制されるので、両端子電極間における短絡のおそれが極めて低い、高品質な電子部品１を製造できる。
【００４４】
また、電子部品１の寸法が小さくなると（特に、いわゆる１００５の部品寸法以下）、スパッタリング等の乾式成膜においては、成膜したい部分（第１端子形成面５Ａあるいは第２端子形成面５Ｂ）以外のマスクが困難になる。しかし、本実施形態では、成膜したい部分の周りを囲むことにより庇としての機能を発揮させること、及び重力を利用して部品保持治具１０と電子部品１との隙間を低減することによって、電極材料Ｓの回り込みを抑制する。これによって、本実施形態は、特に、寸法の小さい電子部品１に対して、成膜したい部分を選択して端子電極を形成することに有用である。
【００４５】
さらに、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）は、ターゲット３０の照射面３１に対して傾斜角度θだけ傾斜しているので、電極材料Ｓと第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）との密着強度が向上するとともに、緻密かつ十分な膜厚の端子電極を形成できる。次に、本実施形態に係る電極形成方法の手順を説明する。
【００４６】
図１１は、本実施形態に係る電極形成方法の手順を示すフローチャートである。図１２−１〜図１２−５は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。図１３は、第１端子電極及び第２端子電極が形成された電子部品を示す側面図である。本実施形態に係る電極形成方法を実行するにあたっては、まず、内部電極が露出し、端子電極が形成されていない状態の電子部品１を、図５、図６に示す部品保持治具１０に保持する（ステップＳ１０１）。
【００４７】
次に、図１２−１に示すように、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとの間に電子部品１を挟持することによって保持した部品保持治具１０を、第１ベース治具２０Ａにセットする（ステップＳ１０２）。なお、第１ベース治具２０Ａは、スパッタリング装置のステージＦ上であって、ターゲット３０と対向する位置に載置される。そして、部品保持治具１０に保持された電子部品１の第１端子形成面５Ａが、ターゲット３０側に露出した状態で配置される。第１端子形成面５Ａは、電子部品１の内部電極が露出し、端子電極が形成される面である。
【００４８】
ステップＳ１０１、ステップＳ１０２により、内部電極が露出した第１端子形成面５Ａの周囲を少なくとも囲んだ状態で、第１端子形成面５Ａをターゲット３０に対して露出させるとともに、ターゲット３０の照射面３１に対して第１端子形成面５Ａを０度よりも大きく９０度よりも小さい傾斜角度θで傾斜させる部品配置工程が実現される。この状態で、スパッタリングにより第１端子形成面５Ａに電極材料の薄膜を成膜して、第１端子電極２Ａを形成する（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３が、第１の乾式成膜工程である。本実施形態では、一種類の電極材料で端子電極を形成するので、第１の乾式成膜工程により第１端子電極２Ａが形成される。
【００４９】
第１の乾式成膜工程においては、第１保持体１０Ａの縁部１５Ａ及び第２保持体１０Ｂの縁部１５Ｂが、第１端子形成面５Ａの周囲を囲む。このとき、縁部１５Ａがターゲット３０側となるので、スパッタリング時には縁部１５Ａが庇として機能する。また、重力の作用によって縁部１５Ｂと第１端子形成面５Ａとの隙間が小さくなる。これらの作用によって、第１端子形成面５Ａに端子電極を形成する際には、電極材料Ｓの回り込みが回避されるので、両端子電極間における短絡のおそれが極めて低い、高品質な電子部品１を製造できる。
【００５０】
次に、図１２−２に示すように、第１ベース治具２０Ａに第２ベース治具２０Ｂを取り付け（ステップＳ１０４）、両者を組み合わせる。これによって、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとで、電子部品１を保持した部品保持治具１０が挟持される。そして、図１２−３に示すように、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとを組み合わせた状態でこれらを反転させる。これによって、部品保持治具１０とともに、電子部品１も反転する（ステップＳ１０５）。
【００５１】
上述した第１の乾式成膜工程では、部品保持治具１０の表面にも電極材料の薄膜が成膜される。本実施形態では、端子電極が形成された第１端子形成面５Ａ及び部品保持治具１０表面の薄膜を、第２ベース治具２０Ｂで挟持した状態で、電子部品１の姿勢を容易に反転させることができる。これによって、電子部品１を反転させる際に、電極材料の薄膜が剥離して、端子電極が形成されていない端子形成面（第２端子形成面５Ｂ）に付着することを回避できる。その結果、端子電極が形成されていない端子形成面が清浄な状態に保たれるので、当該端子形成面に高品質の端子電極を作成できる。また、既に形成された端子電極は、反転時に第２ベース治具２０Ｂで保護されるので、当該端子電極の品質低下が抑制される。
【００５２】
第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとを反転させた後は、図１２−４に示すように、第２ベース治具２０ＢがステージＦに載置される。この状態で、第１ベース治具２０Ａを第２ベース治具２０Ｂから取り外す（ステップＳ１０６）。すると、図１２−５に示すように、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとの間に電子部品１が挟持された状態で、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとが第２ベース治具２０Ｂに載置される。そして、端子電極が形成された第１端子形成面５Ａは第２ベース治具２０Ｂと対向するとともに、第１端子形成面５Ａと対向する第２端子形成面５Ｂが、ターゲット３０側に露出した状態で配置される。
【００５３】
ステップＳ１０５、ステップＳ１０６により、電子部品１を反転させ、第１端子形成面５Ａと対向し、かつ内部電極が露出した第２端子形成面５Ｂを照射面３１に対して上述した傾斜角度θと同じ角度で傾斜させるとともに、第２端子形成面５Ｂの周囲を少なくとも囲んだ状態で第２端子形成面５Ｂをターゲット３０に対して露出させる反転工程が実現される。この状態で、スパッタリングにより第２端子形成面５Ｂに電極材料の薄膜を成膜（乾式成膜）して、第２端子電極２Ｂを形成する（ステップＳ１０７）。ステップＳ１０７が、第２の乾式成膜工程である。本実施形態では、一種類の電極材料で端子電極を形成するので、第２の乾式成膜工程により第２端子電極２Ｂが形成される。
【００５４】
電子部品１を反転させると、図１２−５に示すように、第２保持体１０Ｂの縁部１５Ｂ及び第１保持体１０Ａの縁部１５Ａが、第２端子形成面５Ｂの周囲を囲む。このとき、縁部１５Ｂがターゲット３０側となるので、スパッタリング時には縁部１５Ｂが庇として機能する。また、重力の作用によって縁部１５Ａと第２端子形成面５Ｂとの隙間が小さくなる。これらの作用によって、第２端子形成面５Ｂに端子電極を形成する際にも、電極材料Ｓの回り込みが回避されるので、両端子電極間における短絡のおそれが極めて低い、高品質な電子部品１を製造できる。さらに、本実施形態では、第１端子形成面５Ａに端子電極を形成した後、電子部品１を反転させて第１端子形成面５Ａと対向する第２端子形成面５Ｂに端子電極を形成する。これによって、一つのターゲットで、電子部品１の両方の端子形成面に端子電極を形成できる。
【００５５】
図１３に示すように、電子部品１の第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂにそれぞれ第１端子電極２Ａ、第２端子電極２Ｂが形成されたら、部品保持治具１０を第２ベース治具２０Ｂから取り外すとともに、部品保持治具１０から電子部品１を取り外す（ステップＳ１０８）。電子部品１の側面であって、第１端子形成面５Ａ側の側部電極形成部ＢＡ、及び第２端子形成面５Ｂ側の側部電極形成部ＢＢに、それぞれ図１−２に示す側部電極３Ａ、３Ｂを形成する（ステップＳ１０９）。なお、本実施形態においては、ステップＳ１０９で側部電極３Ａ、３Ｂを形成したが、側部電極３Ａ、３Ｂを形成する時期はこれに限定されるものではない。例えば、本実施形態に係る電極形成方法を実行するよりも前、すなわち、ステップＳ１０１よりも前に、予めめっき以外の方法で側部電極３Ａ、３Ｂを形成しておいてもよい。側部電極３Ａ、３Ｂが形成されたら、電子部品１が完成する（ステップＳ１１０）。完成した電子部品は検査に供され、合格したものが製品として出荷される。
【００５６】
側部電極３Ａ、３Ｂは、例えば、めっきによって形成される。ここで、端子電極を形成する方法には、金属ペーストを電子部品１の端子形成面に塗布し、これを焼き付ける方法がある。しかし、金属ペーストは１００％が金属ではないため、前記方法では、端子電極を緻密に形成することが困難で、めっき液が電子部品１の内部に浸入するおそれがある。しかし、本実施形態に係る電極形成方法は、上述したように、スパッタリングに代表される乾式成膜によって緻密かつ十分な膜厚で、第１端子形成面５Ａ、及び第２端子形成面５Ｂとの密着強度の大きい端子電極が形成できる。これによって、側部電極３Ａ、３Ｂを形成する際のめっき時にめっき液が端子電極に接触しても、めっき液が端子電極を通過して電子部品１の内部に浸入することを回避できるので、電子部品１の歩留まりを向上させることができる。
【００５７】
また、本実施形態に係る電極形成方法は、乾式成膜によって端子電極を形成するので、金属ペーストを用いる方法と比較して、端子電極の厚さを小さくできるので、電子部品１の寸法増加を抑制できる。これは、特に、電子部品１の寸法が小さくなるほど（特に、いわゆる１００５の部品寸法以下）有利である。
【００５８】
さらに、本実施形態に係る電極形成方法は、端子電極と電子部品１の電極形成面との密着強度を大きくすることができるので、例えば、電子部品１を直接基板へ実装する（例えば、端子金具等を介さずに実装する）場合において、電子部品と基板との接合強度を確保できる。このため、本実施形態に係る電極形成方法は、特に、携帯電話機やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等のように、携帯される機会の多い電子機器に搭載される場合に好ましい。
【００５９】
上記説明では、端子電極を１層の薄膜で形成したが、端子電極は、異なる電極材料からなる薄膜を複数積層させることにより形成されてもよい。この場合、電極材料毎に両方の端子形成面へ薄膜を形成し、順次電極材料の薄膜を積層して、両方の端子電極を形成してもよい。例えば、第１電極材料（例えば、クロム）からなる薄膜と第２電極材料（例えば、銅）からなる薄膜とを積層させた端子電極を成膜する場合、電子部品１の第１端子形成面５Ａに第１電極材料の薄膜を成膜した後、電子部品１を反転させて第２端子形成面５Ｂに第１電極材料の薄膜を成膜する。次に、第２端子形成面５Ｂをその最上層に形成された薄膜とは異なる電極材料（第２電極材料）で構成されたターゲットに対して露出させて、第２端子形成面５Ｂに第２電極材料の薄膜を成膜する（第３の乾式成膜工程）。その後、電子部品１を反転させて、第１端子形成面５Ａをその最上層に形成された薄膜とは異なる電極材料（第２電極材料）で構成されたターゲットに対して露出させる（再反転工程）。
【００６０】
この状態で、電子部品１の第１端子形成面５Ａに第２電極材料の薄膜を成膜する（第４の乾式成膜工程）。このように、反転工程、再反転工程の前後において、ターゲットは同一とする。これによって、第１端子形成面５Ａに第１端子電極２Ａを形成し、第２端子形成面５Ｂに第２端子電極２Ｂを形成する。３層以上の異なる薄膜で端子電極を形成する場合、例えば、３種類の異なる薄膜の層を積層するのであれば、第４の乾式成膜工程の後、第１端子形成面５Ａに第３電極材料の薄膜を形成し（第５の乾式成膜工程）、その後、反転工程、第６の乾式成膜工程（第２端子形成面５Ｂに第３電極材料の薄膜を形成する工程）の順に成膜する。これによって、第１端子形成面５Ａに３層以上の異なる薄膜の第１端子電極２Ａを形成し、第２端子形成面５Ｂに３層以上の異なる薄膜の第２端子電極２Ｂを形成する。
【００６１】
また、異なる電極材料からなる薄膜を複数積層させて端子電極を形成する場合、次のようにしてもよい。例えば、電子部品１の第１端子形成面５Ａに、異なる電極材料からなる薄膜を順に成膜して第１端子電極２Ａを形成する。その後、電子部品１を反転させて第２端子形成面５Ｂに、異なる電極材料からなる薄膜を順に成膜して第２端子電極２Ｂを形成する。例えば、第１電極材料からなる薄膜と第２電極材料からなる薄膜とを積層させた端子電極を成膜する場合、まず、電子部品１の第１端子形成面５Ａに第１電極材料の薄膜、第２電極材料の薄膜の順に成膜して第１端子電極２Ａを形成する。その後、電子部品１を反転させて第２端子形成面５Ｂに第１電極材料の薄膜、第２電極材料の薄膜の順に成膜して第２端子電極２Ｂを形成する。
【００６２】
このように端子電極を形成する場合、例えば、第１電極材料のターゲットを備えるスパッタリング装置と第２電極材料のターゲットを備えるスパッタリング装置とを用意し、順にそれぞれの電極材料の薄膜を形成してもよい。また、同じスパッタリング装置でターゲットを交換して、それぞれの電極材料の薄膜を形成してもよい。この場合、上述したステップＳ１０３（第１の乾式成膜工程）において、複数の電極材料を用いて第１端子形成面５Ａへ順に成膜し、第１端子電極２Ａを形成する。そして、上述したステップＳ１０７（第２の乾式成膜工程）において、複数の電極材料を用いて第２端子形成面５Ｂへ順に成膜し、第２端子電極２Ｂを形成する。
【００６３】
図１４は、本実施形態に係る電極形成方法が適用できる他の電子部品の形状を示す斜視図である。図１５は、図１４に示す電子部品に用いる部品保持治具の正面図である。図１４に示す電子部品１ａは、第１端子形成面５Ａａ、第２端子形成面５Ｂａが長方形であり、これらに形成される第１端子電極２Ａａ、第２端子電極２Ｂａも長方形である。すなわち、第１端子電極２Ａａ、第１端子形成面５Ａａ等の寸法はＬｂ＜Ｌａである。
【００６４】
図１５は、乾式成膜工程において、図１４に示すような電子部品１ａを保持する部品保持治具１０ａである。部品保持治具１０ａの第１保持体１０Ａａと第２保持体１０Ｂａとは、それぞれ断面形状が直角三角形の保持溝１１Ａａ、１１Ｂａを有する。保持溝１１Ａａ、１１Ｂａは、直角部分の角部の頂部１２Ａａ、１２Ｂａが、ターゲットの照射面を向くように構成される。そして第１保持体１０Ａａと第２保持体１０Ｂａとを組み合わせると、断面が長方形の部品保持孔１１ａが形成される。この部品保持孔１１ａに図１４に示す電子部品１ａを保持することにより、本実施形態に係る電極形成方法を実現するにあたって、上述した部品保持治具１０と同様に電子部品１ａを取り扱うことができる。
【００６５】
図１６は、本実施形態の変形例に係る成膜治具を示す全体構成図である。図１７は、図１６に示す成膜治具の部品保持治具が有する部品保持孔を示す拡大図である。この成膜治具１００ｂは、上述した成膜治具１００と略同様の構成であるが、部品保持治具１０ｂを構成する第１保持体１０Ａｂが有する保持溝１１Ａｂの開口部、及び第２保持体１０Ｂｂが有する保持溝１１Ｂｂの開口部の縁部を取り除き、面取り部１７Ａ、１７Ｂを形成した点が異なる。
【００６６】
図１６に示すように、第１保持体１０Ａｂの保持溝１１Ａｂの側面１６ＡＡｂ側における開口部には面取り部１７Ａが形成され、第２保持体１０Ｂｂの保持溝１１Ｂｂの側面１６ＢＢｂ側における開口部には面取り部１７Ｂが形成される。側面１６ＡＡｂ、１６ＢＢｂは、いずれも第１あるいは第２の乾式成膜工程において、部品保持治具１０ｂのターゲット３０側に配置される側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂ（あるいは側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂ）のうち、よりターゲット３０側の側面である。
【００６７】
図１７に示すように、面取り部１７Ａは、第１保持体１０Ａｂの側面１６ＡＡｂと保持溝１１Ａｂとを接続し、面取り部１７Ｂは、第２保持体１０Ｂｂの側面１６ＢＢｂと保持溝１１Ｂｂとを接続する。そして、面取り部１７Ａ、１７Ｂはそれぞれ平面で構成されている。図１６に示すように、面取り部１７Ａ、１７Ｂは、部品保持治具１０ｂが第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）に載置された状態で、ターゲット３０の照射面３１（図１６に示す例では、仮想照射面ＶＨＬ）と略直交（好ましくは直交）するように構成される。これによって、第１及び第２の乾式成膜工程においては、面取り部１７Ａ、１７Ｂの面と電極材料Ｓの照射方向とが略平行になる。
【００６８】
図１７に示すように、側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂから面取り部１７Ａと保持溝１１Ａｂとの接続部（電極形成端面位置）ＴＰまでの、側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂと直交する方向における寸法をｔ１とする。また、側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂから面取り部１７Ｂと保持溝１１Ｂｂとの接続部（電極形成端面位置）ＴＰまでの、側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂと直交する方向における寸法をｔ２とする。また、側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂ（あるいは側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂ）と直交する方向における、両方の電極形成端面位置ＴＰ、ＴＰ間の距離をｔ３とする。この場合、部品保持孔１１ｂの深さ、すなわち、側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂ（あるいは側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂ）と直交する方向における、部品保持孔１１ｂの寸法は、ｔ１＋ｔ２＋ｔ３である。そして、ｔ１＝ｔ２である。
【００６９】
図１７に示す部品保持孔１１ｂの保持される電子部品１の第１端子形成面５Ａと第２端子形成面５Ｂとの距離、すなわち、電子部品１の長手方向における寸法は、図１６に示すようにＬｃである。部品保持治具１０ｂの部品保持孔１１ｂの深さｔ１＋ｔ２＋ｔ３は、電子部品１の長手方向における寸法Ｌｃよりも小さい。そして、電子部品１の長手方向における寸法Ｌｃは、ｔ３＋ｔ２（＝ｔ３＋ｔ１）に設定される。これによって、部品保持孔１１ｂが電子部品１を保持すると、図１７に示す電極形成端面位置ＴＰと、電子部品１の第１端子形成面５Ａあるいは第２端子形成面５Ｂとが一致するようになる。
【００７０】
その結果、第１あるいは第２の乾式成膜工程においては、面取り部１７Ａあるいは面取り部１７Ｂ側における電極形成端面位置ＴＰが庇として機能し、ターゲット３０から照射される電極材料Ｓが電子部品１の側面に回り込むことを抑制できる。また、面取り部１７Ａ、１７Ｂの面と電極材料Ｓの照射方向とが略平行になるので、電極材料Ｓの照射経路が滑らかになって、より膜厚が均一で、かつ全体が均質な端子電極を形成できる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上のように、本発明に係る積層型電子部品の電極形成方法は、乾式成膜によって積層型電子部品の端面に端子電極を形成することに有用である。
【符号の説明】
【００７２】
１、１ａ 電子部品（積層型電子部品）
２Ａ 第１端子電極
２Ｂ 第２端子電極
３Ａ、３Ｂ 側部電極
４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ 側面
５Ａ、５Ａａ 第１端子形成面
５Ｂ、５Ｂａ 第２端子形成面
６ 稜線
８Ａ、８Ｂ 内部電極
９ 絶縁層
１０、１０ａ、１０ｂ 部品保持治具
１０Ａ、１０Ａａ、１０Ａｂ 第１保持体
１０Ｂ、１０Ｂａ、１０Ｂｂ 第２保持体
１１、１１ａ、１１ｂ 部品保持孔
１１Ａ、１１Ａａ、１１Ａｂ、１１Ｂ、１１Ｂａ、１１Ｂｂ 保持溝
１２Ａ、１２Ａａ 頂部
１３Ａ、１３Ｂ 合わせ面
１４Ａ、１４Ｂ 保持面
１５Ａ、１５Ｂ 縁部
１６ＡＡ、１６ＡＢ、１６ＢＡ、１６ＢＢ 側面
１７Ａ、１７Ｂ 面取り部
１８Ａ、１８Ｂ 設置端面
１９Ａ 対角線
２０ ベース治具
２０Ａ 第１ベース治具
２０Ｂ 第２ベース治具
２１Ａ、２１Ｂ 載置面
２２Ａ、２２Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ ベース治具合わせ面
２４、２４Ａ、２４Ｂ 傾斜面
２５Ａ、２５Ｂ 部品保持治具係止部
２６Ａ、２６Ｂ 部品保持治具載置面
３０ ターゲット
３１ 照射面
３２ 覆い部材
１００、１００ｂ 成膜治具
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品の端子電極を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、各種の電子部品が実装された基板を備える。このような電子部品の中には、内部電極を有する積層型電子部品と呼ばれるものがある。積層型電子部品は、通常チップ状の部品であり、内部電極と基板のランドとを電気的に接続するための電極が必要である。例えば、特許文献１には、チップ状素体の両端部の対角線が水平となるようにＶ溝を有する一対のマスク板でチップ状素体を挟持し、一対のターゲットを用いて上下方向からチップ状素体の両端部に薄膜を形成する外部電極形成用マスク治具が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２０４１００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、積層型電子部品の両端面へ電極の薄膜を形成しようとする場合、特許文献１に開示された方法では端面がターゲットに対して垂直な方向を向いているので、積層型電子部品の端子形成面と電極材料の薄膜との接合が弱くなるおそれがあった。また、端面をターゲットに正対させると、電極材料が積層型電子部品の側面に回り込んで付着してしまうおそれがあった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との密着強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、内部電極と絶縁体とを有する積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、前記内部電極が露出した第１端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で、前記第１端子形成面を前記端子電極の材料である電極材料で構成されたターゲットに対して露出させるとともに、当該ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を０度よりも大きく９０度よりも小さい傾斜角度で傾斜させて前記積層型電子部品を配置する部品配置工程と、当該部品配置工程が終了した後に、前記ターゲットを用いて前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第１の乾式成膜工程と、当該第１の乾式成膜工程が終了した後に、前記積層型電子部品を反転させ、前記第１端子形成面と対向し、かつ前記内部電極が露出した第２端子形成面を前記照射面に対して前記傾斜角度と同じ角度で傾斜させるとともに、前記第２端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で前記第２端子形成面を前記ターゲットに対して露出させる反転工程と、当該反転工程が終了した後に、前記ターゲットを用いて前記第２端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第２の乾式成膜工程と、を含むことを特徴とする積層型電子部品の電極形成方法である。
【０００６】
本発明は、上述したように、電子部品を反転させることにより、積層型電子部品の両端部の端子形成面に端子電極を形成できる。そして、ターゲットの照射面に対して端子形成面を傾斜させて電極材料の薄膜を形成するので、前記薄膜と端子形成面との密着強度を確保できる。さらに、乾式成膜時には、少なくとも端子形成面の周りを被覆手段で囲むことにより、ターゲットに近い側の被覆手段が庇として機能するとともに、重力によって端子形成面とターゲットから遠い側の被覆手段との隙間が小さくなる。これによって、電極材料が電子部品の側面へ回り込むことが抑制される。このように、本発明では、積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との密着強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制できる。
【０００７】
本発明の望ましい態様としては、前記第１端子形成面と前記第２端子形成面とに、異なる電極材料の薄膜を複数積層させる場合、前記第１の乾式成膜工程においては、前記異なる電極材料に対応したターゲットを用いて、それぞれのターゲットで前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、複数の電極材料の薄膜を形成し、前記第２の乾式成膜工程においては、前記異なる電極材料に対応したターゲットを用いて、それぞれのターゲットで前記第２端子形成面に乾式成膜することにより、複数の電極材料の薄膜を形成することが好ましい。これによって、複数の異なる電子材料の薄膜により端子電極を形成できる。
【０００８】
本発明の望ましい態様としては、前記第１端子形成面と前記第２端子形成面とに、異なる電極材料の薄膜を複数積層させる場合、前記第２の乾式成膜工程の後、前記第２端子形成面を、当該第２端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で、当該第２端子形成面の最上層に形成された薄膜とは異なる電極材料で構成されたターゲットに対して露出させて、当該ターゲットを用いて前記最上層に形成された薄膜上に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第３の乾式成膜工程と、当該第３の乾式成膜工程が終了した後に、前記積層型電子部品を反転させ、前記電極材料の薄膜が形成された前記第１端子形成面を前記照射面に対して前記傾斜角度と同じ角度で傾斜させるとともに、前記第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、前記第１端子形成面を前記第３の乾式成膜工程で用いたターゲットに対して露出させる再反転工程と、当該再反転工程が終了した後に、前記第３の乾式成膜工程で用いたターゲットを用いて前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第４の乾式成膜工程と、をさらに含むことが好ましい。これによって、複数の異なる電子材料の薄膜により端子電極を形成できる。
【０００９】
本発明の望ましい態様としては、前記積層形電子部品は、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面が四角形の四角柱形状であり、前記部品配置工程及び前記反転工程においては、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面とつながる前記積層型電子部品の側部の一つの稜線を前記ターゲット側に向けることが好ましい。通常、積層型電子部品は略四角柱形状であり、端子形成面の形状は四角形であるが、その一つの稜線をターゲット側に向けることにより、ターゲットにより近い側の被覆手段によって端子形成面の二つの辺を囲むことができる。これによって、端子電極の二つの辺から同時に電極材料の回り込みを抑制できる。
【００１０】
本発明の望ましい態様としては、前記傾斜角度は、３０度以上６０度以下であることが好ましい。これによって、電極材料と端子形成面との密着強度低下をより効果的に抑制でき、かつ電子部品の側面への電極材料の回り込みをより効果的に抑制できる。
【００１１】
本発明の望ましい態様としては、さらに、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面とつながる前記積層型電子部品の側部の前記第１端子形成面側、及び前記第２端子形成面側に、それぞれ側部電極を形成する工程を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との接合強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１−１】図１−１は、積層型電子部品の一例であるコンデンサの断面模式図である。
【図１−２】図１−２は、積層型電子部品の斜視図である。
【図２】図２は、積層型電子部品の平面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る積層型電子部品の電極形成方法によって積層型電子部品の端子形成面に端子電極を形成する状態を示す概念図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る電極形成方法で用いる成膜治具の全体構成図である。
【図５】図５は、成膜治具を構成する部品保持治具の側面図である。
【図６】図６は、部品保持治具の正面図である。
【図７】図７は、部品保持治具の部品保持孔を示す正面図である。
【図８】図８は、部品保持治具に電子部品を保持した状態を示す模式図である。
【図９】図９は、成膜治具を構成するベース治具を示す側面図である。
【図１０】図１０は、成膜治具を用いて電子部品の端子形成面にスパッタリングをする状態を示す模式図である。
【図１１】図１１は、本実施形態に係る電極形成方法の手順を示すフローチャートである。
【図１２−１】図１２−１は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１２−２】図１２−２は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１２−３】図１２−３は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１２−４】図１２−４は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１２−５】図１２−５は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。
【図１３】図１３は、第１端子電極及び第２端子電極が形成された電子部品を示す側面図である。
【図１４】図１４は、本実施形態に係る電極形成方法が適用できる他の電子部品の形状を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す電子部品に用いる部品保持治具の正面図である。
【図１６】図１６は、本実施形態の変形例に係る成膜治具を示す全体構成図である。
【図１７】図１７は、図１６に示す成膜治具の部品保持治具が有する部品保持孔を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための形態（以下、実施形態という）により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１５】
図１−１は、積層型電子部品の一例であるコンデンサの断面模式図である。図１−２は、積層型電子部品の斜視図である。図２は、積層型電子部品の平面図である。図１−１に示すように、積層型電子部品（以下、必要に応じて電子部品という）１は、内部電極８Ａ、８Ｂと絶縁体としての絶縁層９とを含む。本実施形態において、電子部品１は、内部電極８Ａ、８Ｂと絶縁体としての絶縁層９とを交互に積層し、内部電極８Ａに第１端子電極２Ａが接続され、かつ内部電極８Ｂに第２端子電極２Ｂが接続されて構成される部品である。電子部品１は、内部電極と絶縁体とを有していれば、本実施形態の構造に限定されるものではない。第１端子形成面５Ａには内部電極８Ａが露出しており、また、第２端子形成面５Ｂには内部電極８Ｂが露出している。そして、第１端子電極２Ａは第１端子形成面５Ａに形成され、第２端子電極２Ｂは第２端子形成面５Ｂに形成される。電子部品１としては、例えば、チップコンデンサの他に、内部電極パターンや材料組成等が異なるチップインダクタ、チップ抵抗、フィルタ、バリスタ等がある。なお、以下において、第１端子電極２Ａと第２端子電極２Ｂとを区別しない場合には単に端子電極といい、第１端子形成面５Ａと第２端子形成面５Ｂとを区別しない場合には単に端子形成面という。
【００１６】
図１−２に示すように、本実施形態において、第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの形状は正方形である。そして、電子部品１の形状は、第１端子形成面５Ａと第２端子形成面５Ｂとを底面とし、これらにつながる４個の側面（側部）４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄを有する四角柱形状である。第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの辺の長さはＬａ、Ｌｂ（Ｌａ＝Ｌｂ）であり、電子部品１の長さはＬｃである。なお、第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの形状は正方形に限定されるものではなく、後述するような長方形であってもよい。
【００１７】
図１−２、図２に示すように、電子部品１が有するそれぞれの側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄの第１端子形成面５Ａ側、及び第２端子形成面５Ｂ側には、それぞれ側部電極３Ａ、３Ｂが形成される。側部電極３Ａは第１端子電極２Ａと電気的に接続され、また、側部電極３Ｂは第２端子電極２Ｂと電気的に接続される。そして、側部電極３Ａ、３Ｂは、電子部品１が搭載される基板の電極（基板側電極）とハンダによって電気的に接続される。本実施形態において、側部電極３Ａ、３Ｂは、すべての側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄへ一体に形成されるが、全側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄのうち少なくとも一つに形成されていればよい。このように、電子部品１は、側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄに設けられた側部電極３Ａ、３Ｂによって基板電極と接合される、いわゆる表面実装型の電子部品である。
【００１８】
電子部品１は、平面視が矩形の形状（側面４Ａの形状が矩形）であり、長手方向（図２の矢印Ａで示す方向）及び短手方向（図２の矢印Ｂで示す方向）がある。電子部品１は、寸法がいわゆる１００５以下である。１００５とは、図２に示す電子部品１の長手方向における寸法Ｌｃが１．０±０．０５ｍｍ、短手方向における寸法Ｌａが０．５±０．０５ｍｍであることを意味する。
【００１９】
図３は、本実施形態に係る積層型電子部品の電極形成方法によって積層型電子部品の端子形成面に端子電極を形成する状態を示す概念図である。上述した第１端子電極２Ａ、第２端子電極２Ｂは、乾式成膜によって端子電極が形成される。本実施形態においては、乾式成膜として、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）を用いる。ＰＶＤは、物質の表面に薄膜を形成する蒸着法の一つで、気相中で物質の表面に物理的手法により目的とする物質の薄膜を堆積させる方法である。ＰＶＤとしては、例えば、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子線エピタキシー法、イオンビームデポジション、抵抗加熱蒸着、イオンプレーティング等があり、本実施形態ではスパッタリングを用いる。
【００２０】
本実施形態に係る積層型電子部品の電極形成方法（以下、必要に応じて電極形成方法という）は、図３に示すように、第１端子電極２Ａ及び第２端子電極２Ｂの成膜に用いるスパッタリングのターゲット３０の照射面３１に対して、少なくとも、電子部品１の第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの周囲を被覆手段である覆い部材３２によって囲むとともに傾斜させる。これによって、ターゲット３０側の覆い部材３２が庇として機能することにより、ターゲット３０から照射される電極材料（本実施形態では金属であり、例えば、銅やクロム）が電子部品１の側面に回り込むことを抑制できる。そして、端子電極を形成したい部分（例えば、第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂ）を選択して、当該部分のみに端子電極を形成できる。なお、少なくとも第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂの周囲を被覆手段で囲めばよく、電子部品１の側面を被覆手段で囲んでもよい。
【００２１】
このとき、傾斜角度θは、０度よりも大きく９０度よりも小さくする。傾斜角度θは、照射面３１（図３に示す例では照射面３１と平行な仮想照射面ＶＨＬ）と第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂとのなす角度のうち小さい方の角度である。傾斜角度θを小さくすると、ターゲット３０から照射される電極材料は第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂに対してより直角に近い角度で衝突することになるので、成膜時には電子材料の運動エネルギをより有効に利用できる。その結果、電極材料の薄膜と第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂとの密着強度が向上するとともに、得られる電極材料の薄膜は、緻密かつ十分な膜厚となる。しかし、傾斜角度θを小さくし過ぎると、覆い部材３２の庇としての機能が低下し、電極材料の回り込みを抑制する効果が少なくなる。
【００２２】
一方、傾斜角度θを大きくすると、覆い部材３２が庇として有効に機能するようになるので、電極材料の回り込みを抑制する効果も大きくなる。しかし、傾斜角度θを大きくし過ぎると、ターゲット３０から照射される電極材料は、第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂに対してより平行に近い角度で衝突することになるので、成膜時には電子材料の運動エネルギを効率的に利用できなくなる。その結果、電極材料と第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂとの密着強度が低下するとともに、電極膜の緻密性への影響も懸念される。
【００２３】
電極材料の前記密着強度を向上させ、かつ緻密な電極材料の薄膜を形成するとともに、電子部品１の側面への電極材料の回り込みを抑制する観点から、傾斜角度θは３０度以上６０度以下が好ましく、４０度以上５０度以下がさらに好ましい。このようにすることで、電極材料の前記密着強度を向上させるとともに緻密かつ十分な厚さの電極材料の薄膜を形成し、かつ電子部品１の側面への電極材料の回り込みを抑制できる。なお、本実施形態では傾斜角度θを４５度としている。
【００２４】
本実施形態に係る電極形成方法は、第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂのいずれか一方に端子電極を形成した後、電子部品１を反転させて端子電極を形成していない方に端子電極を形成する。これを実現するため、本実施形態に係る電極形成方法では、次に説明する成膜治具を用いる。
【００２５】
図４は、本実施形態に係る電極形成方法で用いる成膜治具の全体構成図である。図４に示すように、成膜治具１００は、部品保持治具１０とベース治具２０とで構成される。部品保持治具１０は、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとで構成される。そして、部品保持治具１０は、端子電極の成膜時に、端子電極を形成する対象の電子部品１（図１−２等参照）を第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとの間に挟持して保持する。ベース治具２０は、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとで構成される。そして、ベース治具２０は、端子電極の成膜時に、第１ベース治具２０Ａ又は第２ベース治具２０Ｂのいずれか一方に部品保持治具１０を載置して、これを保持する。ベース治具２０はターゲット３０の照射面３１に対して傾斜する傾斜面２４を有しており、部品保持治具１０は、傾斜面２４と接するように載置される。
【００２６】
この状態で、電子部品１の第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂをターゲット３０の照射面３１に向けてスパッタリングによって端子電極を成膜する。その後、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとの間に部品保持治具１０を挟持した状態でベース治具２０を反転させる。これによって、第１端子形成面５Ａ又は第２端子形成面５Ｂのうち、端子電極が形成されていない方をターゲット３０の照射面３１に向けて、スパッタリングによって端子電極を成膜する。次に、部品保持治具１０をより詳細に説明する。
【００２７】
図５は、成膜治具を構成する部品保持治具の側面図である。図６は、部品保持治具の正面図である。図６は、図５の矢印Ａ方向から部品保持治具１０を見た状態を示している。図７は、部品保持治具の部品保持孔を示す正面図である。図８は、部品保持治具に電子部品を保持した状態を示す模式図である。図９は、成膜治具を構成するベース治具を示す側面図である。図１０は、成膜治具を用いて電子部品の端子形成面にスパッタリングをする状態を示す模式図である。
【００２８】
図５、図６に示すように、部品保持治具１０の第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとは、それぞれの合わせ面１３Ａ、１３Ｂで組み合わされる。合わせ面１３Ａ、１３Ｂには、それぞれ断面が三角形（本実施形態では直角二等辺三角形）の保持溝１１Ａ、１１Ｂが形成されている。図６に示すように、合わせ面１３Ａ、１３Ｂを対向させて第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとを組み合わせると、保持溝１１Ａ、１１Ｂが対向し、断面が四角形（本実施形態では正方形）の部品保持孔１１が形成される。この部品保持孔１１に、図１−２に示す電子部品１が挟持され、保持される。なお、断面とは、保持溝１１Ａ、１１Ｂが形成される方向、又は部品保持孔１１が部品保持治具１０を貫通する方向と直交する面である。
【００２９】
図７に示すように、第１保持体１０Ａに形成され、部品保持孔１１を構成する保持溝１１Ａは、互いに直交する保持面１４Ａ、１４Ａを有する。また、第２保持体１０Ｂに形成され、部品保持孔１１を構成する保持溝１１Ｂは、互いに直交する保持面１４Ｂ、１４Ｂを有する。このような構成により、電子部品１が部品保持孔１１に保持されると、電子部品１の二つの側面が保持面１４Ａ、１４Ａ、又は保持面１４Ｂ、１４Ｂに接触することになる。例えば、本実施形態では、図８に示すように、電子部品１の二つの側面４Ｂ、４Ｃが保持面１４Ｂ、１４Ｂに接触することになる。
【００３０】
図８に示すように、断面形状が正方形の部品保持孔１１は、角部の頂部１２Ａ又は１２Ｂ（本実施形態では角部の頂部１２Ａ）が、ターゲット３０の照射面３１に向くように構成される。すなわち、部品保持孔１１を構成する保持溝１１Ａ、１１Ｂの稜線が照射面３１に向くように構成される。また、図７に示す、部品保持孔１１の一方の対角線１９Ａは、合わせ面１３Ａ、１３Ｂと平行かつターゲット３０の照射面３１と平行になるように構成される。これによって、図８に示すように、電子部品１を部品保持孔１１に保持すると、四角柱形状の電子部品１の稜線６が照射面３１に向くように電子部品１が配置される。なお、電子部品１の稜線は、電子部品１の二つの側面を接続する部分であり、図８に示す例では、電子部品１の二つの側面４Ａ、４Ｄを接続する部分が電子部品１の稜線６となる。
【００３１】
第１保持体１０Ａの合わせ面１３Ａの反対側は、図４に示すベース治具２０と接する設置端面１８Ａであり、第２保持体１０Ｂの合わせ面１３Ｂの反対側は、ベース治具２０と接する設置端面１８Ｂである。保持溝１１Ａの一方の開口側における第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ、及び保持溝１１Ｂの一方の開口側における第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡは、成膜時においてベース治具２０と接する。また、保持溝１１Ａの他方の開口側における第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ、及び保持溝１１Ｂの他方の開口側における第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢは、成膜時においてベース治具２０と接する。
【００３２】
図９に示すように、ベース治具２０を構成する第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとは、同じ形状である。第１ベース治具２０Ａは、載置面２１Ａと、傾斜面２４Ａと、ベース治具合わせ面２２Ａ、２３Ａと、部品保持治具係止部２５Ａと、部品保持治具載置面２６Ａとを含んで構成される。同様に、第２ベース治具２０Ｂは、載置面２１Ｂと、傾斜面２４Ｂと、ベース治具合わせ面２２Ｂ、２３Ｂと、部品保持治具係止部２５Ｂと、部品保持治具載置面２６Ｂとを含んで構成される。
【００３３】
載置面２１Ａ、２１Ｂは、それぞれ乾式成膜装置であるスパッタリング装置のステージＦの上に載置される平面である。電子部品１を保持した部品保持治具１０を反転させる際に、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとで部品保持治具１０を挟み込む。このとき、第１ベース治具２０Ａのベース治具合わせ面２２Ａと第２ベース治具２０Ｂのベース治具合わせ面２３Ｂとが互いに接触し、第１ベース治具２０Ａのベース治具合わせ面２３Ａと第２ベース治具２０Ｂのベース治具合わせ面２２Ｂとが互いに接触する。
【００３４】
傾斜面２４Ａ、２４Ｂは、ターゲット３０の照射面３１（図９に示す例では、仮想照射面ＶＨＬ）に対して傾斜しており、その傾斜角度はθである。傾斜面２４Ａ、２４Ｂの一端はベース治具合わせ面２２Ａ、２２Ｂとつながっており、他端は部品保持治具載置面２６Ａ、２６Ｂとつながっている。部品保持治具載置面２６Ａ、２６Ｂは、第１ベース治具２０Ａあるいは第２ベース治具２０Ｂに、図５に示す部品保持治具１０を載置する面であり、部品保持治具１０の設置端面１８Ｂ、１８Ａと接することになる。
【００３５】
部品保持治具係止部２５Ａ、２５Ｂは、それぞれ部品保持治具載置面２６Ａ、２６Ｂからベース治具合わせ面２３Ａ、２３Ｂ側に向かって突出している。そして、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）に部品保持治具１０が載置されると、部品保持治具１０と部品保持治具係止部２５Ａ（あるいは部品保持治具係止部２５Ｂ）とが係り合う。これによって、部品保持治具１０と第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）とのずれが防止されるので、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）は、部品保持治具１０を確実に保持できる。
【００３６】
図９に示す例では、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）に部品保持治具１０が載置されると、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢは、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）の傾斜面２４Ａ（あるいは傾斜面２４Ｂ）と接する。ここで、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢは、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡと平行である。このため、第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）に載置された部品保持治具１０を構成する第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡは、ターゲット３０の照射面３１（図９に示す例では、仮想照射面ＶＨＬ）に対して傾斜した状態（傾斜角度はθ）となる。
【００３７】
また、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢと、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡとの距離は、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとで挟持する電子部品１の長手方向における寸法と同一である。
【００３８】
図１０は、第１ベース治具２０Ａの傾斜面２４Ａに、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＢ、及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＢが接している状態を示す。このように、電子部品１を保持した部品保持治具１０を、側面１６ＡＡ及び側面１６ＢＡがベース治具２０のいずれかの傾斜面（２４Ａ又は２４Ｂ）と接するようにすると、第１端子形成面５Ａが側面１６ＡＢ及び側面１６ＢＢと平行かつ略同一面に配置される。その結果、第１端子形成面５Ａは、ターゲット３０の照射面３１（図１０に示す例では、仮想照射面ＶＨＬ）に対して傾斜角度θだけ傾斜することになる。
【００３９】
同様に、電子部品１を保持した部品保持治具１０を、側面１６ＡＢ及び側面１６ＢＢがベース治具２０のいずれかの傾斜面（２４Ａ又は２４Ｂ）と接するようにすると、第２端子形成面５Ｂは、側面１６ＡＡ及び側面１６ＢＡと平行かつ略同一面に配置される。その結果、第２端子形成面５Ｂは、ターゲット３０の照射面３１に対して傾斜角度θだけ傾斜することになる。
【００４０】
このように、ベース治具２０は、第１ベース治具２０Ａの傾斜面２４Ａと第２ベース治具２０Ｂの傾斜面２４Ｂとをターゲット３０の照射面３１に対して同じ傾斜角度θで傾斜させる。そして、部品保持治具１０は、第１ベース治具２０Ａと接する面（側面１６ＡＢ及び側面１６ＢＢ）と、第２ベース治具２０Ｂと接する面（側面１６ＡＡ及び側面１６ＢＡ）とを平行に構成する。これによって、部品保持治具１０を、第１ベース治具２０Ａあるいは第２ベース治具２０Ｂのいずれに載置した場合でも、電子部品１の第１端子形成面５Ａと第２端子形成面５Ｂとを、照射面３１に対して同じ傾斜角度θで傾斜させることができる。
【００４１】
上述したように、電子部品１を第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとで挟持し、部品保持孔１１に保持した状態でベース治具２０に載置すると、図１０に示すように、電子部品１の稜線６が照射面３１に向くようになる。第１保持体１０Ａの縁部１５Ａ及び第２保持体１０Ｂの縁部１５Ｂは、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）の周囲を囲んでいる。そして、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）は、縁部１５Ａ、１５Ｂと略同一面に配置されるようになる。
【００４２】
これによって、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）と、第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡ、及び第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡとは略同一面に配置されるので、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）はターゲット３０に対して露出することになる。また、図１０に示すように、本実施形態では、電子部品１の第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）は、ターゲット３０の照射面３１に対して傾斜角度θだけ傾斜する。ここで、縁部１５Ａは、保持溝１１Ａと第１保持体１０Ａの側面１６ＡＡとの接続部であり、縁部１５Ｂは、保持溝１１Ｂと第２保持体１０Ｂの側面１６ＢＡとの接続部である。
【００４３】
この状態で、ターゲット３０の照射面３１から電極材料Ｓを第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）に照射すると、第１保持体１０Ａのターゲット３０側の縁部１５Ａが第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）に対する庇となる。すなわち、縁部１５Ａ、１５Ｂが図３に示す覆い部材３２と同様に機能する。このように、縁部１５Ａ、１５Ｂは被覆手段となる。また、図８に示すように、電子部品１の側面４Ｂ、４Ｃは、第２保持体１０Ｂの保持面１４Ｂに支持されるので、重力の作用により電子部品１の第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）と縁部１５Ｂとの隙間が小さくなる。これらの作用によって、ターゲット３０から照射される電極材料Ｓの回り込みが抑制されるので、両端子電極間における短絡のおそれが極めて低い、高品質な電子部品１を製造できる。
【００４４】
また、電子部品１の寸法が小さくなると（特に、いわゆる１００５の部品寸法以下）、スパッタリング等の乾式成膜においては、成膜したい部分（第１端子形成面５Ａあるいは第２端子形成面５Ｂ）以外のマスクが困難になる。しかし、本実施形態では、成膜したい部分の周りを囲むことにより庇としての機能を発揮させること、及び重力を利用して部品保持治具１０と電子部品１との隙間を低減することによって、電極材料Ｓの回り込みを抑制する。これによって、本実施形態は、特に、寸法の小さい電子部品１に対して、成膜したい部分を選択して端子電極を形成することに有用である。
【００４５】
さらに、第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）は、ターゲット３０の照射面３１に対して傾斜角度θだけ傾斜しているので、電極材料Ｓと第１端子形成面５Ａ（あるいは第２端子形成面５Ｂ）との密着強度が向上するとともに、緻密かつ十分な膜厚の端子電極を形成できる。次に、本実施形態に係る電極形成方法の手順を説明する。
【００４６】
図１１は、本実施形態に係る電極形成方法の手順を示すフローチャートである。図１２−１〜図１２−５は、本実施形態に係る電極形成方法の説明図である。図１３は、第１端子電極及び第２端子電極が形成された電子部品を示す側面図である。本実施形態に係る電極形成方法を実行するにあたっては、まず、内部電極が露出し、端子電極が形成されていない状態の電子部品１を、図５、図６に示す部品保持治具１０に保持する（ステップＳ１０１）。
【００４７】
次に、図１２−１に示すように、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとの間に電子部品１を挟持することによって保持した部品保持治具１０を、第１ベース治具２０Ａにセットする（ステップＳ１０２）。なお、第１ベース治具２０Ａは、スパッタリング装置のステージＦ上であって、ターゲット３０と対向する位置に載置される。そして、部品保持治具１０に保持された電子部品１の第１端子形成面５Ａが、ターゲット３０側に露出した状態で配置される。第１端子形成面５Ａは、電子部品１の内部電極が露出し、端子電極が形成される面である。
【００４８】
ステップＳ１０１、ステップＳ１０２により、内部電極が露出した第１端子形成面５Ａの周囲を少なくとも囲んだ状態で、第１端子形成面５Ａをターゲット３０に対して露出させるとともに、ターゲット３０の照射面３１に対して第１端子形成面５Ａを０度よりも大きく９０度よりも小さい傾斜角度θで傾斜させる部品配置工程が実現される。この状態で、スパッタリングにより第１端子形成面５Ａに電極材料の薄膜を成膜して、第１端子電極２Ａを形成する（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３が、第１の乾式成膜工程である。本実施形態では、一種類の電極材料で端子電極を形成するので、第１の乾式成膜工程により第１端子電極２Ａが形成される。
【００４９】
第１の乾式成膜工程においては、第１保持体１０Ａの縁部１５Ａ及び第２保持体１０Ｂの縁部１５Ｂが、第１端子形成面５Ａの周囲を囲む。このとき、縁部１５Ａがターゲット３０側となるので、スパッタリング時には縁部１５Ａが庇として機能する。また、重力の作用によって縁部１５Ｂと第１端子形成面５Ａとの隙間が小さくなる。これらの作用によって、第１端子形成面５Ａに端子電極を形成する際には、電極材料Ｓの回り込みが回避されるので、両端子電極間における短絡のおそれが極めて低い、高品質な電子部品１を製造できる。
【００５０】
次に、図１２−２に示すように、第１ベース治具２０Ａに第２ベース治具２０Ｂを取り付け（ステップＳ１０４）、両者を組み合わせる。これによって、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとで、電子部品１を保持した部品保持治具１０が挟持される。そして、図１２−３に示すように、第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとを組み合わせた状態でこれらを反転させる。これによって、部品保持治具１０とともに、電子部品１も反転する（ステップＳ１０５）。
【００５１】
上述した第１の乾式成膜工程では、部品保持治具１０の表面にも電極材料の薄膜が成膜される。本実施形態では、端子電極が形成された第１端子形成面５Ａ及び部品保持治具１０表面の薄膜を、第２ベース治具２０Ｂで挟持した状態で、電子部品１の姿勢を容易に反転させることができる。これによって、電子部品１を反転させる際に、電極材料の薄膜が剥離して、端子電極が形成されていない端子形成面（第２端子形成面５Ｂ）に付着することを回避できる。その結果、端子電極が形成されていない端子形成面が清浄な状態に保たれるので、当該端子形成面に高品質の端子電極を作成できる。また、既に形成された端子電極は、反転時に第２ベース治具２０Ｂで保護されるので、当該端子電極の品質低下が抑制される。
【００５２】
第１ベース治具２０Ａと第２ベース治具２０Ｂとを反転させた後は、図１２−４に示すように、第２ベース治具２０ＢがステージＦに載置される。この状態で、第１ベース治具２０Ａを第２ベース治具２０Ｂから取り外す（ステップＳ１０６）。すると、図１２−５に示すように、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとの間に電子部品１が挟持された状態で、第１保持体１０Ａと第２保持体１０Ｂとが第２ベース治具２０Ｂに載置される。そして、端子電極が形成された第１端子形成面５Ａは第２ベース治具２０Ｂと対向するとともに、第１端子形成面５Ａと対向する第２端子形成面５Ｂが、ターゲット３０側に露出した状態で配置される。
【００５３】
ステップＳ１０５、ステップＳ１０６により、電子部品１を反転させ、第１端子形成面５Ａと対向し、かつ内部電極が露出した第２端子形成面５Ｂを照射面３１に対して上述した傾斜角度θと同じ角度で傾斜させるとともに、第２端子形成面５Ｂの周囲を少なくとも囲んだ状態で第２端子形成面５Ｂをターゲット３０に対して露出させる反転工程が実現される。この状態で、スパッタリングにより第２端子形成面５Ｂに電極材料の薄膜を成膜（乾式成膜）して、第２端子電極２Ｂを形成する（ステップＳ１０７）。ステップＳ１０７が、第２の乾式成膜工程である。本実施形態では、一種類の電極材料で端子電極を形成するので、第２の乾式成膜工程により第２端子電極２Ｂが形成される。
【００５４】
電子部品１を反転させると、図１２−５に示すように、第２保持体１０Ｂの縁部１５Ｂ及び第１保持体１０Ａの縁部１５Ａが、第２端子形成面５Ｂの周囲を囲む。このとき、縁部１５Ｂがターゲット３０側となるので、スパッタリング時には縁部１５Ｂが庇として機能する。また、重力の作用によって縁部１５Ａと第２端子形成面５Ｂとの隙間が小さくなる。これらの作用によって、第２端子形成面５Ｂに端子電極を形成する際にも、電極材料Ｓの回り込みが回避されるので、両端子電極間における短絡のおそれが極めて低い、高品質な電子部品１を製造できる。さらに、本実施形態では、第１端子形成面５Ａに端子電極を形成した後、電子部品１を反転させて第１端子形成面５Ａと対向する第２端子形成面５Ｂに端子電極を形成する。これによって、一つのターゲットで、電子部品１の両方の端子形成面に端子電極を形成できる。
【００５５】
図１３に示すように、電子部品１の第１端子形成面５Ａ及び第２端子形成面５Ｂにそれぞれ第１端子電極２Ａ、第２端子電極２Ｂが形成されたら、部品保持治具１０を第２ベース治具２０Ｂから取り外すとともに、部品保持治具１０から電子部品１を取り外す（ステップＳ１０８）。電子部品１の側面であって、第１端子形成面５Ａ側の側部電極形成部ＢＡ、及び第２端子形成面５Ｂ側の側部電極形成部ＢＢに、それぞれ図１−２に示す側部電極３Ａ、３Ｂを形成する（ステップＳ１０９）。なお、本実施形態においては、ステップＳ１０９で側部電極３Ａ、３Ｂを形成したが、側部電極３Ａ、３Ｂを形成する時期はこれに限定されるものではない。例えば、本実施形態に係る電極形成方法を実行するよりも前、すなわち、ステップＳ１０１よりも前に、予めめっき以外の方法で側部電極３Ａ、３Ｂを形成しておいてもよい。側部電極３Ａ、３Ｂが形成されたら、電子部品１が完成する（ステップＳ１１０）。完成した電子部品は検査に供され、合格したものが製品として出荷される。
【００５６】
側部電極３Ａ、３Ｂは、例えば、めっきによって形成される。ここで、端子電極を形成する方法には、金属ペーストを電子部品１の端子形成面に塗布し、これを焼き付ける方法がある。しかし、金属ペーストは１００％が金属ではないため、前記方法では、端子電極を緻密に形成することが困難で、めっき液が電子部品１の内部に浸入するおそれがある。しかし、本実施形態に係る電極形成方法は、上述したように、スパッタリングに代表される乾式成膜によって緻密かつ十分な膜厚で、第１端子形成面５Ａ、及び第２端子形成面５Ｂとの密着強度の大きい端子電極が形成できる。これによって、側部電極３Ａ、３Ｂを形成する際のめっき時にめっき液が端子電極に接触しても、めっき液が端子電極を通過して電子部品１の内部に浸入することを回避できるので、電子部品１の歩留まりを向上させることができる。
【００５７】
また、本実施形態に係る電極形成方法は、乾式成膜によって端子電極を形成するので、金属ペーストを用いる方法と比較して、端子電極の厚さを小さくできるので、電子部品１の寸法増加を抑制できる。これは、特に、電子部品１の寸法が小さくなるほど（特に、いわゆる１００５の部品寸法以下）有利である。
【００５８】
さらに、本実施形態に係る電極形成方法は、端子電極と電子部品１の電極形成面との密着強度を大きくすることができるので、例えば、電子部品１を直接基板へ実装する（例えば、端子金具等を介さずに実装する）場合において、電子部品と基板との接合強度を確保できる。このため、本実施形態に係る電極形成方法は、特に、携帯電話機やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等のように、携帯される機会の多い電子機器に搭載される場合に好ましい。
【００５９】
上記説明では、端子電極を１層の薄膜で形成したが、端子電極は、異なる電極材料からなる薄膜を複数積層させることにより形成されてもよい。この場合、電極材料毎に両方の端子形成面へ薄膜を形成し、順次電極材料の薄膜を積層して、両方の端子電極を形成してもよい。例えば、第１電極材料（例えば、クロム）からなる薄膜と第２電極材料（例えば、銅）からなる薄膜とを積層させた端子電極を成膜する場合、電子部品１の第１端子形成面５Ａに第１電極材料の薄膜を成膜した後、電子部品１を反転させて第２端子形成面５Ｂに第１電極材料の薄膜を成膜する。次に、第２端子形成面５Ｂをその最上層に形成された薄膜とは異なる電極材料（第２電極材料）で構成されたターゲットに対して露出させて、第２端子形成面５Ｂに第２電極材料の薄膜を成膜する（第３の乾式成膜工程）。その後、電子部品１を反転させて、第１端子形成面５Ａをその最上層に形成された薄膜とは異なる電極材料（第２電極材料）で構成されたターゲットに対して露出させる（再反転工程）。
【００６０】
この状態で、電子部品１の第１端子形成面５Ａに第２電極材料の薄膜を成膜する（第４の乾式成膜工程）。このように、反転工程、再反転工程の前後において、ターゲットは同一とする。これによって、第１端子形成面５Ａに第１端子電極２Ａを形成し、第２端子形成面５Ｂに第２端子電極２Ｂを形成する。３層以上の異なる薄膜で端子電極を形成する場合、例えば、３種類の異なる薄膜の層を積層するのであれば、第４の乾式成膜工程の後、第１端子形成面５Ａに第３電極材料の薄膜を形成し（第５の乾式成膜工程）、その後、反転工程、第６の乾式成膜工程（第２端子形成面５Ｂに第３電極材料の薄膜を形成する工程）の順に成膜する。これによって、第１端子形成面５Ａに３層以上の異なる薄膜の第１端子電極２Ａを形成し、第２端子形成面５Ｂに３層以上の異なる薄膜の第２端子電極２Ｂを形成する。
【００６１】
また、異なる電極材料からなる薄膜を複数積層させて端子電極を形成する場合、次のようにしてもよい。例えば、電子部品１の第１端子形成面５Ａに、異なる電極材料からなる薄膜を順に成膜して第１端子電極２Ａを形成する。その後、電子部品１を反転させて第２端子形成面５Ｂに、異なる電極材料からなる薄膜を順に成膜して第２端子電極２Ｂを形成する。例えば、第１電極材料からなる薄膜と第２電極材料からなる薄膜とを積層させた端子電極を成膜する場合、まず、電子部品１の第１端子形成面５Ａに第１電極材料の薄膜、第２電極材料の薄膜の順に成膜して第１端子電極２Ａを形成する。その後、電子部品１を反転させて第２端子形成面５Ｂに第１電極材料の薄膜、第２電極材料の薄膜の順に成膜して第２端子電極２Ｂを形成する。
【００６２】
このように端子電極を形成する場合、例えば、第１電極材料のターゲットを備えるスパッタリング装置と第２電極材料のターゲットを備えるスパッタリング装置とを用意し、順にそれぞれの電極材料の薄膜を形成してもよい。また、同じスパッタリング装置でターゲットを交換して、それぞれの電極材料の薄膜を形成してもよい。この場合、上述したステップＳ１０３（第１の乾式成膜工程）において、複数の電極材料を用いて第１端子形成面５Ａへ順に成膜し、第１端子電極２Ａを形成する。そして、上述したステップＳ１０７（第２の乾式成膜工程）において、複数の電極材料を用いて第２端子形成面５Ｂへ順に成膜し、第２端子電極２Ｂを形成する。
【００６３】
図１４は、本実施形態に係る電極形成方法が適用できる他の電子部品の形状を示す斜視図である。図１５は、図１４に示す電子部品に用いる部品保持治具の正面図である。図１４に示す電子部品１ａは、第１端子形成面５Ａａ、第２端子形成面５Ｂａが長方形であり、これらに形成される第１端子電極２Ａａ、第２端子電極２Ｂａも長方形である。すなわち、第１端子電極２Ａａ、第１端子形成面５Ａａ等の寸法はＬｂ＜Ｌａである。
【００６４】
図１５は、乾式成膜工程において、図１４に示すような電子部品１ａを保持する部品保持治具１０ａである。部品保持治具１０ａの第１保持体１０Ａａと第２保持体１０Ｂａとは、それぞれ断面形状が直角三角形の保持溝１１Ａａ、１１Ｂａを有する。保持溝１１Ａａ、１１Ｂａは、直角部分の角部の頂部１２Ａａ、１２Ｂａが、ターゲットの照射面を向くように構成される。そして第１保持体１０Ａａと第２保持体１０Ｂａとを組み合わせると、断面が長方形の部品保持孔１１ａが形成される。この部品保持孔１１ａに図１４に示す電子部品１ａを保持することにより、本実施形態に係る電極形成方法を実現するにあたって、上述した部品保持治具１０と同様に電子部品１ａを取り扱うことができる。
【００６５】
図１６は、本実施形態の変形例に係る成膜治具を示す全体構成図である。図１７は、図１６に示す成膜治具の部品保持治具が有する部品保持孔を示す拡大図である。この成膜治具１００ｂは、上述した成膜治具１００と略同様の構成であるが、部品保持治具１０ｂを構成する第１保持体１０Ａｂが有する保持溝１１Ａｂの開口部、及び第２保持体１０Ｂｂが有する保持溝１１Ｂｂの開口部の縁部を取り除き、面取り部１７Ａ、１７Ｂを形成した点が異なる。
【００６６】
図１６に示すように、第１保持体１０Ａｂの保持溝１１Ａｂの側面１６ＡＡｂ側における開口部には面取り部１７Ａが形成され、第２保持体１０Ｂｂの保持溝１１Ｂｂの側面１６ＢＢｂ側における開口部には面取り部１７Ｂが形成される。側面１６ＡＡｂ、１６ＢＢｂは、いずれも第１あるいは第２の乾式成膜工程において、部品保持治具１０ｂのターゲット３０側に配置される側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂ（あるいは側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂ）のうち、よりターゲット３０側の側面である。
【００６７】
図１７に示すように、面取り部１７Ａは、第１保持体１０Ａｂの側面１６ＡＡｂと保持溝１１Ａｂとを接続し、面取り部１７Ｂは、第２保持体１０Ｂｂの側面１６ＢＢｂと保持溝１１Ｂｂとを接続する。そして、面取り部１７Ａ、１７Ｂはそれぞれ平面で構成されている。図１６に示すように、面取り部１７Ａ、１７Ｂは、部品保持治具１０ｂが第１ベース治具２０Ａ（あるいは第２ベース治具２０Ｂ）に載置された状態で、ターゲット３０の照射面３１（図１６に示す例では、仮想照射面ＶＨＬ）と略直交（好ましくは直交）するように構成される。これによって、第１及び第２の乾式成膜工程においては、面取り部１７Ａ、１７Ｂの面と電極材料Ｓの照射方向とが略平行になる。
【００６８】
図１７に示すように、側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂから面取り部１７Ａと保持溝１１Ａｂとの接続部（電極形成端面位置）ＴＰまでの、側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂと直交する方向における寸法をｔ１とする。また、側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂから面取り部１７Ｂと保持溝１１Ｂｂとの接続部（電極形成端面位置）ＴＰまでの、側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂと直交する方向における寸法をｔ２とする。また、側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂ（あるいは側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂ）と直交する方向における、両方の電極形成端面位置ＴＰ、ＴＰ間の距離をｔ３とする。この場合、部品保持孔１１ｂの深さ、すなわち、側面１６ＡＡｂ、１６ＢＡｂ（あるいは側面１６ＢＢｂ、１６ＡＢｂ）と直交する方向における、部品保持孔１１ｂの寸法は、ｔ１＋ｔ２＋ｔ３である。そして、ｔ１＝ｔ２である。
【００６９】
図１７に示す部品保持孔１１ｂの保持される電子部品１の第１端子形成面５Ａと第２端子形成面５Ｂとの距離、すなわち、電子部品１の長手方向における寸法は、図１６に示すようにＬｃである。部品保持治具１０ｂの部品保持孔１１ｂの深さｔ１＋ｔ２＋ｔ３は、電子部品１の長手方向における寸法Ｌｃよりも小さい。そして、電子部品１の長手方向における寸法Ｌｃは、ｔ３＋ｔ２（＝ｔ３＋ｔ１）に設定される。これによって、部品保持孔１１ｂが電子部品１を保持すると、図１７に示す電極形成端面位置ＴＰと、電子部品１の第１端子形成面５Ａあるいは第２端子形成面５Ｂとが一致するようになる。
【００７０】
その結果、第１あるいは第２の乾式成膜工程においては、面取り部１７Ａあるいは面取り部１７Ｂ側における電極形成端面位置ＴＰが庇として機能し、ターゲット３０から照射される電極材料Ｓが電子部品１の側面に回り込むことを抑制できる。また、面取り部１７Ａ、１７Ｂの面と電極材料Ｓの照射方向とが略平行になるので、電極材料Ｓの照射経路が滑らかになって、より膜厚が均一で、かつ全体が均質な端子電極を形成できる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
以上のように、本発明に係る積層型電子部品の電極形成方法は、乾式成膜によって積層型電子部品の端面に端子電極を形成することに有用である。
【符号の説明】
【００７２】
１、１ａ 電子部品（積層型電子部品）
２Ａ 第１端子電極
２Ｂ 第２端子電極
３Ａ、３Ｂ 側部電極
４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ 側面
５Ａ、５Ａａ 第１端子形成面
５Ｂ、５Ｂａ 第２端子形成面
６ 稜線
８Ａ、８Ｂ 内部電極
９ 絶縁層
１０、１０ａ、１０ｂ 部品保持治具
１０Ａ、１０Ａａ、１０Ａｂ 第１保持体
１０Ｂ、１０Ｂａ、１０Ｂｂ 第２保持体
１１、１１ａ、１１ｂ 部品保持孔
１１Ａ、１１Ａａ、１１Ａｂ、１１Ｂ、１１Ｂａ、１１Ｂｂ 保持溝
１２Ａ、１２Ａａ 頂部
１３Ａ、１３Ｂ 合わせ面
１４Ａ、１４Ｂ 保持面
１５Ａ、１５Ｂ 縁部
１６ＡＡ、１６ＡＢ、１６ＢＡ、１６ＢＢ 側面
１７Ａ、１７Ｂ 面取り部
１８Ａ、１８Ｂ 設置端面
１９Ａ 対角線
２０ ベース治具
２０Ａ 第１ベース治具
２０Ｂ 第２ベース治具
２１Ａ、２１Ｂ 載置面
２２Ａ、２２Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ ベース治具合わせ面
２４、２４Ａ、２４Ｂ 傾斜面
２５Ａ、２５Ｂ 部品保持治具係止部
２６Ａ、２６Ｂ 部品保持治具載置面
３０ ターゲット
３１ 照射面
３２ 覆い部材
１００、１００ｂ 成膜治具
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極と絶縁体とを有する積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、
前記内部電極が露出した第１端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で、前記第１端子形成面を前記端子電極の材料である電極材料で構成されたターゲットに対して露出させるとともに、当該ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を０度よりも大きく９０度よりも小さい傾斜角度で傾斜させて前記積層型電子部品を配置する部品配置工程と、
当該部品配置工程が終了した後に、前記ターゲットを用いて前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第１の乾式成膜工程と、
当該第１の乾式成膜工程が終了した後に、前記積層型電子部品を反転させ、前記第１端子形成面と対向し、かつ前記内部電極が露出した第２端子形成面を前記照射面に対して前記傾斜角度と同じ角度で傾斜させるとともに、前記第２端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で前記第２端子形成面を前記ターゲットに対して露出させる反転工程と、
当該反転工程が終了した後に、前記ターゲットを用いて前記第２端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第２の乾式成膜工程と、
を含むことを特徴とする積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項２】
前記第１端子形成面と前記第２端子形成面とに、異なる電極材料の薄膜を複数積層させる場合、
前記第１の乾式成膜工程においては、前記異なる電極材料に対応したターゲットを用いて、それぞれのターゲットで前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、複数の電極材料の薄膜を形成し、
前記第２の乾式成膜工程においては、前記異なる電極材料に対応したターゲットを用いて、それぞれのターゲットで前記第２端子形成面に乾式成膜することにより、複数の電極材料の薄膜を形成する請求項１に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項３】
前記第１端子形成面と前記第２端子形成面とに、異なる電極材料の薄膜を複数積層させる場合、
前記第２の乾式成膜工程の後、前記第２端子形成面を、当該第２端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で、当該第２端子形成面の最上層に形成された薄膜とは異なる電極材料で構成されたターゲットに対して露出させて、当該ターゲットを用いて前記最上層に形成された薄膜上に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第３の乾式成膜工程と、
当該第３の乾式成膜工程が終了した後に、前記積層型電子部品を反転させ、前記電極材料の薄膜が形成された前記第１端子形成面を前記照射面に対して前記傾斜角度と同じ角度で傾斜させるとともに、前記第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、前記第１端子形成面を前記第３の乾式成膜工程で用いたターゲットに対して露出させる再反転工程と、
当該再反転工程が終了した後に、前記第３の乾式成膜工程で用いたターゲットを用いて前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第４の乾式成膜工程と、
をさらに含む請求項１に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項４】
前記積層形電子部品は、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面が四角形の四角柱形状であり、
前記部品配置工程及び前記反転工程においては、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面とつながる前記積層型電子部品の側部の一つの稜線を前記ターゲット側に向ける請求項１から３のいずれか１項に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項５】
前記傾斜角度は、３０度以上６０度以下である請求項１から４のいずれか１項に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項６】
さらに、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面とつながる前記積層型電子部品の側部の前記第１端子形成面側、及び前記第２端子形成面側に、それぞれ側部電極を形成する工程を含む請求項１から５のいずれか１項に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項１】
内部電極と絶縁体とを有する積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、
前記内部電極が露出した第１端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で、前記第１端子形成面を前記端子電極の材料である電極材料で構成されたターゲットに対して露出させるとともに、当該ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を０度よりも大きく９０度よりも小さい傾斜角度で傾斜させて前記積層型電子部品を配置する部品配置工程と、
当該部品配置工程が終了した後に、前記ターゲットを用いて前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第１の乾式成膜工程と、
当該第１の乾式成膜工程が終了した後に、前記積層型電子部品を反転させ、前記第１端子形成面と対向し、かつ前記内部電極が露出した第２端子形成面を前記照射面に対して前記傾斜角度と同じ角度で傾斜させるとともに、前記第２端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で前記第２端子形成面を前記ターゲットに対して露出させる反転工程と、
当該反転工程が終了した後に、前記ターゲットを用いて前記第２端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第２の乾式成膜工程と、
を含むことを特徴とする積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項２】
前記第１端子形成面と前記第２端子形成面とに、異なる電極材料の薄膜を複数積層させる場合、
前記第１の乾式成膜工程においては、前記異なる電極材料に対応したターゲットを用いて、それぞれのターゲットで前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、複数の電極材料の薄膜を形成し、
前記第２の乾式成膜工程においては、前記異なる電極材料に対応したターゲットを用いて、それぞれのターゲットで前記第２端子形成面に乾式成膜することにより、複数の電極材料の薄膜を形成する請求項１に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項３】
前記第１端子形成面と前記第２端子形成面とに、異なる電極材料の薄膜を複数積層させる場合、
前記第２の乾式成膜工程の後、前記第２端子形成面を、当該第２端子形成面の周囲を被覆手段で少なくとも囲んだ状態で、当該第２端子形成面の最上層に形成された薄膜とは異なる電極材料で構成されたターゲットに対して露出させて、当該ターゲットを用いて前記最上層に形成された薄膜上に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第３の乾式成膜工程と、
当該第３の乾式成膜工程が終了した後に、前記積層型電子部品を反転させ、前記電極材料の薄膜が形成された前記第１端子形成面を前記照射面に対して前記傾斜角度と同じ角度で傾斜させるとともに、前記第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、前記第１端子形成面を前記第３の乾式成膜工程で用いたターゲットに対して露出させる再反転工程と、
当該再反転工程が終了した後に、前記第３の乾式成膜工程で用いたターゲットを用いて前記第１端子形成面に乾式成膜することにより、電極材料の薄膜を形成する第４の乾式成膜工程と、
をさらに含む請求項１に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項４】
前記積層形電子部品は、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面が四角形の四角柱形状であり、
前記部品配置工程及び前記反転工程においては、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面とつながる前記積層型電子部品の側部の一つの稜線を前記ターゲット側に向ける請求項１から３のいずれか１項に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項５】
前記傾斜角度は、３０度以上６０度以下である請求項１から４のいずれか１項に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【請求項６】
さらに、前記第１端子形成面及び前記第２端子形成面とつながる前記積層型電子部品の側部の前記第１端子形成面側、及び前記第２端子形成面側に、それぞれ側部電極を形成する工程を含む請求項１から５のいずれか１項に記載の積層型電子部品の電極形成方法。
【図１−１】
【図１−２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２−１】
【図１２−２】
【図１２−３】
【図１２−４】
【図１２−５】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１−２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２−１】
【図１２−２】
【図１２−３】
【図１２−４】
【図１２−５】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１１−１７６１２３（Ｐ２０１１−１７６１２３Ａ）
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３９０９４（Ｐ２０１０−３９０９４）
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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