【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がＡＢＯ３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つであり、ＢはＺｒ）を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ｂａ及びＴｉとＡＢＯ３が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】一定水準のＥＳＲを具現しながら、同一容量の積層セラミック電子部品におけるＱ値の選択幅を広げる。
【解決手段】複数の誘電体層１１１が積層されたセラミック素体１１０と、セラミック素体１１０の内部に形成された第１及び第２内部電極１３１、１３２とを含み、第１及び第２内部電極１３１、１３２は、銅が８０から９９．９ｗｔ％、及び、ニッケルが０．１から２０ｗｔ％を含み、周波数が１０００ＭＨｚ以下である積層セラミック電子部品を形成する。 （もっと読む）

【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Ｍｎ、Ｍｇを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子９が、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０５原子％／ｎｍ以上である第１結晶群の結晶粒子９ａと、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０３原子％／ｎｍ以下である第２結晶群の結晶粒子９ｂとを有しており、第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａおよび前記第２の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が０．１５〜０．４０μｍであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａの面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子９ｂの面積をｂとしたときに、ｂ／（ａ＋ｂ）が０．４〜０．７である。 （もっと読む）

【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、段差の影響を改善して信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を介して対向するように配置され幅方向に印刷幅が異なるように交互に積層される第１及び第２の内部電極と、を含み、上記第１の内部電極と第２の内部電極の幅の差の比率が２０〜８０％である積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。
本発明によると、静電容量の大容量化を具現し且つ段差の影響を減らしてクラック発生を減少させ、耐電圧特性と信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、平均厚さが０．６μｍ以下の誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内に上記誘電体層を介して対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含み、上記セラミック本体は、静電容量の形成に寄与する容量形成部と上記容量形成部の上下面のうち少なくとも一面に提供される容量非形成部とを含み、上記容量形成部を上記セラミック本体の厚さ方向に２ｎ＋１個（ｎは１以上）の領域に分ける際、上記容量形成部の誘電体層の厚さが中央部から上部及び下部に行くほど薄くなる積層セラミック電子部品を提供する。静電容量の大容量化を具現すると共に、内部電極層の連結性を向上させることで、加速寿命の延長、耐電圧特性及び信頼性に優れた大容量の積層セラミック電子部品を具現することができる。 （もっと読む）