説明

セラミックフォーラム株式会社により出願された特許

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【課題】処理材を効率よく加熱する。
【解決手段】制御部6が有する電力関数生成部11が、負荷2の発熱スペクトルと処理材の熱吸収スペクトルとが一致するように、PAM変換器4が有するパワートランジスタG11、G12を制御するための電力波形を生成する。電力関数生成部11からの出力電力がパルス変換器13によりパルス変換された後に、PAM変換器4のパワートランジスタG11、G12をON、OFF制御するパルスに変換する。 (もっと読む)


【課題】化学的気相成膜法により特に、ガラス基板等にSiO2膜、ITO膜(透明導電膜)、SnO2 (ATO,FTO)膜、酸化マグネシウム(MgO)膜、酸化亜鉛 (ZnO) 膜などの薄膜生成過程において、その膜厚を均一なものにするとともに、成膜装置の大型化に適用することを可能とした成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを成膜室に配置した基板の表面に沿って流動させ、原料ガスを成膜室の手前上流側で混合し、成膜室の入口開口全面から供給する化学的気相成膜方法、及びサセプター13と基板の厚み分の凹部30に保持されてサセプタ表面と同一平面を形成する基板18と、成膜室入口端部に連接して開口された混合室15とを備え、成膜室の基板上の空間は極薄型の直方体状の空間であり、混合室には,原料ガス供給管が接続され、混合室の成膜室側端部の幅は成膜室17入口開口の幅と同等またはそれより広い幅を有する化学的気相成膜装置10である。 (もっと読む)


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