【解決手段】 切り分けられたダイまたはウェハのような素子を３次元的に集積する方法および切り分けられたダイまたはウェハのような素子が接続された集積構造。ダイまたはウェハの一方または両方は、その中に形成された半導体デバイスを有する。第１コンタクト構造を有する第１素子は、第２コンタクト構造を有する第２素子に接着される。第１、第２コンタクト構造は、接着の際に露出されることが可能で、また接着の結果、電気的に接続される。接着後にビアがエッチングされるとともに埋め込まれて電気的配線を露出および形成して第１、第２コンタクト構造を接続するとともに、この電気的配線への表面からの電気的なアクセスが可能になる。または、第１、第２コンタクト構造は接着の際に露出されず、接着後にビアがエッチングおよび埋め込みされて第１、第２コンタクト構造が電気的に接続されるとともに接続された第１、第２コンタクト構造への電気的なアクセスが得られる。 （もっと読む）

【課題】洗浄またはエッチングにより面を洗浄、活性化することを含む低温または室温で結合する方法を提供する。
【解決手段】方法は、シリコン、シリコン酸化物およびＳｉＯのような材料の室温化学結合をなすように可逆的反応を防ぐために界面高分子化の副産物を除去することを含む。結合すべき面は、滝度合の平滑性および平坦性に研磨される（２）。ＶＳＥは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる（３）。表面粗さおよび平坦性は、落ちず、かつＶＳＥプロセスにより増加される。エッチング面は、水酸化アンモニウム、フッ化アンモニウムのような溶液でリンスされ、前記面上の望ましい結合化学種の形成を助長する（４）。 （もっと読む）

【課題】デバイス一体化方法及び一体化されたデバイスを提供する。
【解決手段】素子は、放熱、インピーダンス整合、又はＲＦ分離に用いられる基板、アンテナ、及び受動素子からなる整合ネットワークの１つを含み得、基板２０を有する半導体デバイスに直接接着される。その後、基板２０の一部を除去して半導体デバイスの残部を露出し、第１の放熱基板が、半導体デバイスの残部に接着することができる。配線は、半導体デバイスの露出された表面に形成することができ、ヴィアは半導体デバイスを介してデバイス領域に形成することができ、配線は、デバイス領域及びコンタクト構造体の間に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】外からの圧力を用いることなく、低温または室温でウエーハーを貼り合わせる。
【解決手段】貼り合わされたデバイス構造であって、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドおよび第１の基板１０上の金属ボンディングパッドに隣接する第１の非金属領域を有する第１の基板、デバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドに隣接する第２の組の金属ボンディングパッド、および第２の基板１３上の金属ボンディングパッドに隣接する第２の非金属領域を有する第２の基板、および第２の非金属領域に対して第１の非金属領域を接触ボンディングさせることにより形成される第１と第２の組の金属ボンディングパッドの間の接触ボンディングされた界面を含むボンディングされたデバイス構造。第１と第２の基板の少なくとも一方は弾性的に変形され得る。 （もっと読む）

【課題】高い集積密度を有するデバイス及び集積化方法の提供。
【解決手段】第１および第２の加工物の表面を各々約５〜１０Åの表面粗さまで研磨し、第１および第２の加工物の研磨された表面は、互いに接合される。第３の加工物の表面は、前記表面粗さまで研磨される。第３の加工物の表面は、第１および第２の加工物に接着される。第１、第２および第３の加工物は、各々好ましくはウエハ形態にある１つの表面上に形成される薄い材料を有する半導体デバイスであり得る。薄い材料は、所望の表面粗さまで研磨され、その後、互いに接合される。薄い材料は、各々この薄い材料が上に形成される材料の表面非平面度の約１〜１０倍の厚さを有する。多数のデバイスが互いに接合され得、デバイスは、異なるタイプのデバイスまたは異なる技術であり得る。 （もっと読む）

【解決手段】 切り分けられたダイまたはウェハのような素子を３次元的に集積する方法および切り分けられたダイまたはウェハのような素子が接続された集積構造。ダイまたはウェハの一方または両方は、その中に形成された半導体デバイスを有する。第１コンタクト構造を有する第１素子は、第２コンタクト構造を有する第２素子に接着される。第１、第２コンタクト構造は、接着の際に露出されることが可能で、また接着の結果、電気的に接続される。接着後にビアがエッチングされるとともに埋め込まれて電気的配線を露出および形成して第１、第２コンタクト構造を接続するとともに、この電気的配線への表面からの電気的なアクセスが可能になる。または、第１、第２コンタクト構造は接着の際に露出されず、接着後にビアがエッチングおよび埋め込みされて第１、第２コンタクト構造が電気的に接続されるとともに接続された第１、第２コンタクト構造への電気的なアクセスが得られる。 （もっと読む）

貼り合わされたデバイス構造であって、好ましくはデバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドおよび第１の基板上の金属ボンディングパッドに隣接する第１の非金属領域を有する第１の基板、好ましくはデバイスまたは回路に接続された第１の組の金属ボンディングパッドに隣接する第２の組の金属ボンディングパッド、および第２の基板上の金属ボンディングパッドに隣接する第２の非金属領域を有する第２の基板、および第２の非金属領域に対して第１の非金属領域を接触ボンディングさせることにより形成される第１と第２の組の金属ボンディングパッドの間の接触ボンディングされた界面を含むボンディングされたデバイス構造。第１と第２の基板の少なくとも一方は弾性的に変形され得る。
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【課題】
【解決手段】 少なくとも１つの半導体ウェハからのダイを収容するための窪みが表面に形成された部材を含んだワッフルパック装置。部材は、半導体ウェハ取り扱い装置および（または）半導体ウェハ処理に適合する。好ましくは、部材は、半導体ウェハからのダイの少なくとも過半数を収容する。また、ダイを１つのワッフルパック装置から取り外し、このダイを半導体パッケージ上へと配置して配置されたダイから集積回路に必要な全てのダイ部品を形成し、半導体パッケージ内に配置されたダイを相互に接続して集積回路を形成する、半導体装置組み立て方法が提供される。少なくとも１つのワッフルパック装置からダイを取り外し、このダイを半導体パッケージ上へと配置して配置されたダイから集積回路に必要なダイ装置部品を組み立て、半導体パッケージ内に配置されたダイを相互に接続して集積回路を形成する、別の半導体装置組み立て方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のような素子を接続する方法および半導体装置のような接続された素子を有する装置を提供する。
【解決手段】 第１のコンタクト構造体を有する第１の素子が、第２のコンタクト構造体を有する第２の素子に接続される。単一のマスクを使用して第１の素子にビアを形成して第１のコンタクトおよび第２のコンタクトを露出させる。第１のコンタクト構造体をマスクとして使用して第２のコンタクト構造体を露出させる。接触部材が、第１および第２のコンタクト構造体との接触状態で形成される。第１のコンタクト構造体は、孔または隙間を有してもよく、この孔または隙間を介して第１および第２のコンタクト構造体が接続される。第１のコンタクト構造体の裏面がエッチングにより露出されてもよい。 （もっと読む）

結合方法は、フッ素化された酸化物を有する結合層を用いることを含む。フッ素は、フッ素を含有する溶液、蒸気またはガスへの暴露または注入により結合層に導入され得る。結合層はまた、フッ素が形成の間に層に導入される方法を用いても形成され得る。結合層の表面は、所望の種、好ましくはＮＨ₂ 種により終端される。これは、結合層をＮＨ₄ ＯＨ溶液に曝すことにより達成され得る。強い結合強度が室温で獲得される。その方法はまた、２つの結合層を互いに結合させること、および結合層間の界面の近傍にピークを有するフッ素分布を作り出すことも含む。結合層の一方は、それぞれの上に形成する２つの酸化物層を含み得る。フッ素濃度はまた、２つの酸化物層の間の界面に第２のピークも有し得る。
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