【課題】陽極接合時の環境に近似する環境下でのガラス基板、及び半導体基板の温度変化を測定する。
【解決手段】
陽極接合用ガラス基板１０と複数の熱電対１６，・・・，１６から構成され、ガラス基板１０は、熱電対１６，・・・，１６の測温接点及びその測温接点からガラス基板１０の端部まで連続する一部の熱電対素線が埋設された複数の溝１２，・・・，１２が形成された平坦面を有している。さらに、少なくともその測温接点は、それぞれの溝１２，・・・，１２の内壁面上を含む内部に無機質の固着剤によって固定され、かつ陽極接合前後において、前述の測温接点、一部の熱電対素線、及び固着剤が、前述の平坦面から突出していない。 （もっと読む）

【課題】
シアン化物イオンを含む半導体処理液の安全かつ工業生産性に優れた製造方法、製造装置及び製造システムを実現する。
【解決手段】
不活性ガスの通気中で、まず、金属シアン化合物と酸性液とを反応させてシアン化水素ガスを生成する。次に、該シアン化水素ガスを冷却後、アルカリ性溶液に導入してシアン化物イオンを含む半導体処理液を調製することにより、安全かつ工業生産性に優れた該半導体処理液の製造方法を提供することができる。
（もっと読む）