ＧａＡｓ半導体基板（ＨＳ）を備えた電子デバイスにおいて、基板前面には半導体素子（ＢＥ）が、基板背面には多層の背面金属化部（ＲＭ）が設けられている。このような電子デバイスのために、背面金属化部の有利な積層体構造が提案される。たとえば背面金属化部は固着層としてＡｕ層を有している。
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半導体基板に集積された回路と、基板と、ヒートシンクとしての支持体と、基板および支持体をはんだ付けにより接続する熱伝導性接続部とを備えた電子モジュールを提案する。ここでは、基板で用いられる後面金属化部として、まず第１の厚いＡｕ層（２３）、ついでバリア層（２４）、最後に第２の薄いＡｕ層（２５）が堆積される。バリア層の材料は、はんだ付け過程において、第２のＡｕ層の領域のＡｕＳｎ液相のＳｎないしＡｕＳｎが第１のＡｕ層（２３）へ浸入することを阻止するように選定される。また、基板の貫通孔にも、後面金属化部の積層体が堆積される。ここで、第２のＡｕ層の表面は、バリア層から拡散する材料によって、はんだ付け材料に対する低減された濡れ性を有する。
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【課題】本発明の課題は、ゲート長が小さくても有利かつ長時間安定性の特性を有する、III‐V族化合物半導体基板をベースとする半導体素子の製造方法および半導体素子を提供することである。
【解決手段】前記課題は、半導体層上のゲート電極の第１の層をアルミニウムから形成し、第１の層上に、第２の金属から成る第２の層を堆積し、該第２の金属は、後続の該熱処理で該第１の層のアルミニウムの粒度の成長を制限するものであり、該第２の金属と異なる別の金属を、少なくとも１つの別の層で該第２の層に沈着する
ことを特徴とする方法によって解決される。 （もっと読む）