本体、本体の少なくとも一部にある刃先、及び、前記刃先上に設けられた実質的にマクロ粒子を含まないプラズマ堆積させた炭素皮膜層、を含む切削工具。 （もっと読む）

【課題】 基板の第１部分に導電性領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、パルス変調電気バイアスの下で実質的に完全に電離した金属イオンのフィルタリングされたビームに第１部分を露出させる工程を含む。本方法は、ＦＣＶＡ(フィルタ処理陰極真空アーク)法を用いて、フィルタリングされたイオンビームを生成し、高アスペクト比のバイアおよびトレンチにおいてもコンフォーマルな金属コーティングの形成を可能にする。また本方法は、バイアおよびトレンチを充填した導電性配線の形成も可能にする。実施の形態は、銅イオンの堆積に関する。基板に金属を堆積する適応ＦＣＶＡ装置および基板に衝突するイオンビームを制御する制御装置も、開示される。制御装置は、既存のフィルタリングされたイオンビーム源内に組み込むのに適している。 （もっと読む）

【課題】ドリルビットの高い摩耗率による問題を克服、或いは少なくとも緩和する。
【解決手段】長軸を有する円筒形の本体を含むツールビット。器具係合端は円筒形本体を長軸の周囲で回転させることのできる器具との係合を目的として本体の一端上に提供される。工作端は本体の器具係合端と対側の末端上に提供される。工作端は提供されたプラズマ蒸着金属カーバイド被膜層で被膜される。使用時には、ＰＣＧ基板に穴を穿孔するために被膜された工作端が使用される。 （もっと読む）

【課題】基材に完全に被覆し、製品の型形成後の分離が容易なコーティング形成方法の提供。
【解決手段】金属コーティングを形成する方法であって：（ａ）真空状態にあるかあるいは不活性雰囲気を有するチャンバー内において金属イオンを生成するための金属ターゲットにおいてアークを発生させる段階；（ｂ）その上に金属層を形成するための基材上へ金属イオンを被着させる段階；及び（ｃ）前記金属層上に一次金属−気体化合物層および前記一次金属−気体化合物層上に二次金属−気体化合物層を形成するためのチャンバー内の気体の量の調節であって、前記一次及び二次金属−気体化合物層が異なる気体原子含有量を有する調節の段階を含む方法。 （もっと読む）

【課題】所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供するための方法および装置の提供。
【解決手段】コーティングされる基体を真空チャンバー内に提供する工程、チャンバー内でプラズマを生成する工程、およびプラズマのイオンを基体上に堆積させ、テトラヘドラルアモルファス炭素（ｔａ−Ｃ）基体コーティングを形成する工程を含む。コーティングは、ｔａ−Ｃ基体コーティングが所定の抵抗率を有した時に停止する。所定の抵抗率は１０^５−１０^９Ωｃｍ、好ましくは１０^６Ωｃｍである。基体は方法の間、所定の抵抗率に達するのを補助するためバイアスがかけることができる。コーティングは、基体への、もしくは基体からの静電放電の危険を低減もしくは防止するために使用することができる。また基体とさらなるコーティングとの接着を改善するためのシード層として使用することができる。さらに所定の抵抗率を有するコーティングが記載される。 （もっと読む）

【課題】ＩＣコンポーネントのような基体表面から物質を除去する方法および装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内の電極１２ａに電力を加えて、プラズマを真空チャンバー内に生成する工程、および基体２２の表面２４にプラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と接触させる工程を含む。好ましくはＤＣである電力は、可変電圧として、好ましくはパルス電圧として、アーキングを避けるために電源１４から供給される。 （もっと読む）