説明

スティッチング ヴォール デ テクニッシェ ヴェッテンシャッペンにより出願された特許

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心臓弁などの組織工学により作製された構造物を生産するための方法は、バイオリアクターチャンバ中に細胞播種足場を供給し、バイオリアクターチャンバを細胞播種足場によって第1の区画と第2の区画とに分けるステップと、細胞播種足場をバイオリアクターチャンバ内部の培養液の流れにさらすことによって、細胞播種足場を組織構造へ、そしてさらに組織構造物へと発達させるステップと、培養液の流れによって、発達中の組織構造に対して動的な圧力差をかけることによって、組織構造上に動的歪みを誘導するステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】少なくとも1つの改良された特性を有するrtTA及び単鎖rtTA変異体の提供。
【解決手段】目的の核酸配列を誘導的に発現させる方法であって、遺伝子誘導発現系に使用可能な状態で連結された目的の前記核酸配列を含んでなる核酸構築物を準備するステップであって、rtTAをコードする核酸配列及び/又は単鎖rtTAをコードする核酸配列を含んでなり、前記rtTAをコードする核酸配列及び/又は単鎖rtTAをコードする核酸配列が、rtTAのアミノ酸位9、及び/又は19、及び/又は37、及び/又は56、及び/又は67、及び/又は68、及び/又は138、及び/又は157、及び/又は171、及び/又は177、及び/又は195においてコドン変異を含んでなるステップと、適切な発現系に前記核酸構築物を導入するステップと、目的の前記核酸配列を誘導発現させるステップを含んでなる方法。 (もっと読む)


本発明は一般式(A1−y2+δで実質的に示される磁気冷却に使用される材料に関する。AはMnおよびCoから選択され、BはFeおよびCrから選択され、C,DおよびEの少なくとも2つは互いに異なり、消滅しない濃度を有し、P,B,Se,Ge,Ga,Si,SnおよびSbから選択され、かつC,DおよびEの少なくとも1つはGeまたはSiであり、w,x,yおよびzはそれぞれ0〜1の範囲の数であり、かつw+x+z=1であり、さらにδは(−0.1)〜(+0.1)の数である。
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