【課題】シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成することができるレーザ加工装置を提供すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光をシリコンカーバイドに照射する光学系と、光学系およびシリコンカーバイドの少なくとも一方を移動させて、光学系とシリコンカーバイドとを相対的に移動させる駆動部と、を有する。レーザ加工装置は、シリコンカーバイドにパルスレーザ光をシリコンカーバイドの切断予定ラインに沿って照射して、切断予定ラインに沿ってシリコンカーバイドの表面にパルスレーザ光の多光子吸収により損傷を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドからなるウェハの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成して分割することができるチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンカーバイドからなるウェハに無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のパルスレーザ光をウェハの切断予定ラインに沿って照射して、切断予定ラインに沿ってウェハの表面にパルスレーザ光の多光子吸収により損傷を形成する。次いで、損傷を形成されたウェハに機械的応力を印加して、切断予定ラインに沿ってウェハを分割する。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のレーザ光を照射して、シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を形成する。レーザ光は、パルス幅が１００ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光が好ましい。レーザ光の集光点の位置は、シリコンカーバイドの表面から上方１００μｍ〜表面から内部１００μｍの範囲内となるように調整される。 （もっと読む）

【課題】切断予定ラインに沿ってサファイアに応力ひずみ領域を高精度かつ高速に形成することができるレーザ加工装置を提供すること。
【解決手段】本発明のレーザ加工装置は、レーザパルスを発生するレーザ光源と、レーザパルスを集光する集光レンズと、サファイアが載置されるステージと、ステージを移動させてレーザパルスの集光位置をサファイアの表面近傍に調整する位置制御手段と、サファイアの表面におけるレーザパルスのレーザ強度が０.５〜５００ＰＷ／ｃｍ^２の範囲内となるようにレーザ光源のレーザ強度を調整するレーザ強度制御手段とを有する。本発明のレーザ加工装置は、レーザパルスをサファイアの表面近傍に集光照射して、サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸張した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する。 （もっと読む）

【課題】サファイアを切断予定ラインに沿って高精度かつ高速に切断することができるレーザ切断方法を提供すること。
【解決手段】集光位置におけるレーザ強度が０.５〜５００ＰＷ／ｃｍ^２の範囲内となるように、レーザパルスをサファイアの表面近傍に集光照射する。照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿ってサファイア内を光軸方向に伝播し、サファイア内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の切断予定ラインに沿って応力ひずみ領域を高精度かつ高速に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】パルス幅１００〜１０００フェムト秒のレーザパルスを、開口数が０.４〜０.９５の集光レンズを用いてレーザ強度が０.５〜５００ＰＷ／ｃｍ^２の範囲内となるように加工対象物の表面近傍に照射する。照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿って加工対象物内を光軸方向に伝播し、加工対象物内にアスペクト比の高い応力ひずみ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工対象物の表面にアブレーション・プラズマを、加工対象物内部に応力ひずみ領域を発生させ、プラズマから発生する衝撃波を利用して、応力ひずみ領域内にクラックを成長させることで、短時間かつ高い分解能で加工対象物をレーザ加工する方法を提供すること。
【解決手段】レーザパルスを発生させるステップと、前記レーザパルスを、集光レンズを通過させて、加工対象物の表面近傍に照射するステップと、を有するレーザ割断方法であって、前記レーザパルスのパルス幅は１００〜１０００フェムト秒であり、前記集光レンズの開口数は０．１〜０．５であり、前記集光レンズを通過したレーザパルスのパルスエネルギは、１〜１０００μＪ／パルスである、レーザ割断方法。 （もっと読む）

【課題】加工対象物への加工速度を向上させること。
【解決手段】レーザ光源２００，３００，４００は、それぞれ、パラメータの異なる加工用のレーザ光を発生する。レンズペア２３０、３３０、４３０は、レーザ光源２００、３００、４００が発生した平行光であるレーザ光が対物レンズ５００に入射したときの広がり角度を調整する。ミラ−２４０、３４０、４４０は、それぞれ異なるチルト角を有し、テレスコープ光学系２１０、３１０、４１０からのレーザ光を対物レンズ５００に反射する。対物レンズ５００は、ミラ−２４０，３４０，４４０から入射されたレーザ光を集光して、集光されたレーザ光を、加工対象物Ｓの深さ方向および加工対象物Ｓの深さ方向と直交する方向の双方に関して異なる複数の集光照射位置に連続的に照射する。 （もっと読む）

【課題】 サファイアなどの透明誘電体材料基板に所望のアスペクト比を有する損傷ラインを形成し、当該損傷ラインを起点にして材料基板を切断することにより、切断端に、所定の角度を有する２つの斜面が形成し、角が面取りされた状態として当該材料基板を切断すること。
【解決手段】 レーザ光源１０１は、加工対象物１０に吸収されない波長の加工用レーザ光を発生させる。非点収差発生用光学系１０５は、非点収差性を利用して、テレスコープ光学系１０３を通過した加工用レーザ光から、四面体型集光スポット９を形成する。対物レンズ１０９は、ダイクロイックミラー１０７で反射された加工用レーザ光を集光して、ステージ１１３に載置された加工対象物１０に対して照射する。ステージ１１３は、ステージ１１３上の加工対象物１０に対して加工予定ラインおよび加工予定位置に沿って損傷ラインが形成されるように、駆動（平行移動および回転）される。
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【課題】 加工対象物に対してより高い精度で効率良く精密な切断を行うこと。
【解決手段】 光学系（対物レンズ３）を介して、プラズマを発生させないエネルギ強度のパルスレーザ光Ｌを加工対象物１の表面７上方に集光照射し、加工対象物１に対して広がったダイバージェンス角で入射するパルスレーザ光Ｌｄと加工対象物１の材料との相互作用により、加工対象物１の表面７にＶ字形の損傷５を形成することにより、１回または２回の照射走査による加工対象物１の切断を可能にした。
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