【課題】本発明は、シリコン基板上にＡｌＮを成長させるための改良された方法、さらに、シリコン基板上に、例えばIII族窒化物材料等のワイドギャップ材料を成長させるための改良された方法、さらには、シリコン基板上にＳｉＣを成長させるための改良された方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体プロセス技術及び装置に関する。特に、本発明は、シリコン基板上に高品質のIII族窒化物層を形成する方法、及びそれにより得られる装置に関する。本発明では、シリコン基板に対してプレドージング工程が適用される。当該プレドージング工程では、基板を、少なくとも０．０１μｍｏｌ／ｃｍ^２の、Ａｌを含む１以上の有機金属化合物に、５μｍｏｌ／分未満の流速でさらす。本発明は、また本発明により得られる半導体構造、並びに当該構造を備える装置に関する。 （もっと読む）

【課題】熱的安定性及び機械的強度等の特性を変えることなく、ゼオライトフィルムの疎水性を高める効率的な方法を提供すること。
【解決手段】純粋シリカゼオライトフィルムを低ｋ材料、具体的には、より疎水化、均一化され、クラックが存在しない材料としてより実装可能とする方法が開示されている。当該方法は、ＵＶ硬化であり、好ましくは当該ＵＶ硬化は、析出温度より高い温度で実行される。ＵＶアシストされた硬化により、有機テンプレートが取り除かれ、それにより有機機能化が促進され、シラノール濃縮によりシリカゼオライトフィルムが疎水性とされる。さらに、上記ゼオライトフィルムは、機械的により強固になり、クラックが無くなる。全ての事項により純粋シリカゼオライトフィルムは、半導体プロセスにおける低ｋ材料としてより安定化する。 （もっと読む）

【課題】ポリマー粒子の機械的特性（弾性率および硬度等）を改良する。
【解決手段】親水基および疎水基を有するポリマー粒子の機械的硬度を増大させる方法であって、極性溶剤中に存在させた該ポリマー粒子を、少なくとも１回の加熱段階およびその後でおこなわれる少なくとも１回の冷却段階から成る熱サイクルに付す工程を含む該方法。 （もっと読む）