半田接合部、バンプ、バイア、ボンドリング、及びその他を含む構造を堆積させるためにコーティング及び／又は磁性粒子を使用する方法。粒子は、半田付け可能な材料によりコーティングしてよい。半田接合部については、リフロ後、半田材料は、マトリクス内に未融解粒子を備えてよく、これにより、接合部の強度を増加させ、接合部の配列のピッチを低減する。粒子及びコーティングは、より融点の高い合金を形成し、その後の複数のリフロステップを可能にしてよい。粒子及び／又はコーティングは、磁性を有してよい。外部磁場は、粒子積載量及び堆積位置を正確に制御するために、堆積中に加えてよい。これにより、不適合な電極電位を有する元素を、単一のステップで電着し得る。こうした磁場の使用により、構造の完全なシード金属化を必要とすることなく、バイア等、高アスペクト比の構造の充填が可能となる。更に、触媒材料によりコーティングされた磁性粒子で構成された触媒は、随意的に、中間層を含む。
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粉末材料、特にナノメートル又はサブミクロン範囲の平均直径を有する超微細粉末を、電解プロセスによってコーティング又は処理する装置及び方法。プラテン（３０）は、固定シャフト（２０）上で回転するように取り付けられ、回転式貫流電解セル（３６）は、プラテン（３０）上で回転するように取り付けられ、セルの回転軸線（Ｂ）は、プラテンの回転軸線（Ａ）からオフセットする。セルの回転軸線（Ｂ）は、プラテン（３０）が回転する際に、プラテンの軸線（Ａ）を中心に回転する。したがって、電解セル（３６）は、セル（３６）がプラテンの回転軸線（Ａ）を中心に回転する際に遊星回転を与えられる。セルの遊星回転（Ｂ）は、粉末材料を遠心力によって収集し、絶えず撹拌して、均一な電気メッキを促進できる。処理対象の粉末材料と実際に接触する電極のみに電位を印可可能な、電極アレイ（４４）及び転がり接触システムが供給される。
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高度に制御された電着工程中に基板への電流配分を最良化させるよう、その形状が可変である動的形状アノードが開示されている。工程の改善された制御は基板全体にさらに均一な厚みの堆積物を提供し、サブミクロン特徴部のメッキ加工を改善する。そのようなアノードはサブミクロン構造部のメッキに特に有用である。アノードは金属イオン源を利用でき、カソードの近くに設置されて基板の汚染を最低限に抑える。アノード形状は堆積処理中に変更可能である。アノードは複数の同心領域を有することができ、それぞれは独立した電圧と電流で利用できる。
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本発明は金属メッキ装置と金属メッキ方法とを提供する。特に自己触媒（すなわち無電解）メッキに適しており、メッキ対象基板を収容し、メッキ液を循環させる加圧密閉容器を利用する。密閉容器内の温度と圧力は厳密に制御される。
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