【課題】アーチファクト縁部を利用してリバースエンジニアを混乱させる半導体デバイスおよび半導体デバイスを製造する方法を提供する。
【解決手段】輪郭を管理した導電性材料の層を配置して、デバイスが実際には動作不能であるときに、動作可能なデバイスのような導電性材料のアーチファクト縁部を形成する。実際に形成されるデバイスの特徴を示さないアーチファクト縁部を提供することにより、集積回路構造をカムフラージュするたの技術および構造である。 （もっと読む）

集積回路構造を偽装するための技術および構造。この集積回路構造は、ゲート領域の下方に、第１の導電型の複数の活性領域に隣接して配置された第１の導電型のウェルを有するように形成される。このウェルは、集積回路構造に印加される適正な如何なる電圧にもかかわらず、それらの活性領域の間に電気経路を形成する。
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