パルス状マイクロ波プラズマを使用して高速に電子製品向け品質のダイヤモンド膜を製造する方法であって、真空チャンバ内で、少なくとも水素と炭素を含んでいる気体をパルス状放電に曝すことによって、基板付近に有限の体積のプラズマが形成され、パルス状放電は、プラズマ中で少なくとも炭素含有ラジカルを得て、基板上にダイヤモンド膜を形成するために炭素含有ラジカルを基板上に被着させるように、一連の複数の低電力状態および複数の高電力状態と、ピーク吸収電力Ｐ_cとを有している、方法。基板を７００℃と１０００℃との間の基板温度に維持しながら、少なくとも１００Ｗ／ｃｍ³のピーク電力密度でもって、プラズマの体積内に電力が注入される。
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