【課題】高電圧直流バス電圧からの始動電圧を応用回路に印加するための始動回路が提供される。
【解決手段】該始動回路は、応用回路の少なくとも１つの電源スイッチを駆動するための、少なくとも１つの制御回路用の集積回路パッケージと、高電圧直流バスに結合するための第１の端子を有すると共に、第２の端子における高電圧直流バス電圧の電圧レベルを引き下げるための、集積回路パッケージ内のドロッピング抵抗器と、更に、第２の端子に結合される共に、応用回路の始動の際に、応用回路の少なくとも一部に電力を供給するための所定レベルの安定した始動用の低電圧直流出力を提供するための、集積回路パッケージ内の低電圧レギュレータと、を備える。応用回路は、例えばスイッチング電源であって良い。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】低速から高速の全速度範囲に渡る動作を単独で可能にするセンサレスモータ制御アルゴリズム。この「融合」アルゴリズムは、高速および低速センサレスアルゴリズムそれぞれによって生成された位置データをシームレスに融合する。結果的に生じるセンサレスドライブは、ＰＭモータの全速度範囲に渡って、有効な位置センサレス動作を可能にする。 （もっと読む）

【解決手段】材料層の界面の面内格子定数の間の関係を操作することにより、ＩＩＩ族窒化物ベースの電界効果トランジスタの性能特性を改善する。ＩＩＩ族窒化物材料の界面において生成される高移動度の二次元電子ガスは、低いオン抵抗での高い導電を可能にし、ＩＩＩ族窒化物材料の特性に従って得られた自発分極電界の操作によって制御可能である。電界効果トランジスタは、ノミナリーオン型の素子として形成可能であり、その際、界面を形成する材料の面内格子定数は一致する。材料層の一方が、他方の層の材料よりも大きい面内格子定数を有するようにして、ノミナリーオフ型の素子を形成してもよい。層の材料は、本発明の特性に対して特に調整したＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮの層であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物素子の分離は、従来の分離技術に比べて結晶の損傷が少ない滑らかな形状を提供するドーパント選択エッチングによって実行されてよい。ドーパント選択エッチングは、電気化学エッチングまたは光電気化学エッチングであってよい。所望の分離領域は、エッチングすべき半導体材料の導電型を変更することにより特定されてよい。エッチング処理は、導電層を除去して、導電層の上の素子を分離することができる。エッチング処理は、自動的に停止することが可能であり、選択的にドープされた半導体材料が除去された時点で、自動的に終了する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびその製造方法の実施形態は、高温処理中にＩＩＩ族窒化物材料に損傷を与えずに、素子のコンタクトを形成することを可能にする低抵抗の不動態化層を備えてよい。不動態化層は、素子全体を不動態化するために用いられてよい。不動態化層は、さらに、素子のコンタクトと活性層との間に設けられて、導電のための低抵抗の電流路を提供してもよい。この不動態化処理は、ＦＥＴ、整流器、ショットキダイオードなど、任意の種類の素子に用いて、破壊電圧を改善すると共に、コンタクトの接合部付近の電界集中効果を防止してよい。不動態化層は、外部拡散に関してＩＩＩ族窒化物素子に影響を与えない低温アニールで活性化されてよい。 （もっと読む）

【解決手段】ハーフブリッジスイッチング回路で使用するためのブートストラップダイオードエミュレータ回路が提供される。スイッチング回路は、負荷ノードにおいてトーテムポール構造の形で互いに繋がれているトランジスタと、これらのトランジスタを駆動するための駆動回路と、高圧側駆動回路に電力を供給するためのブートストラップコンデンサとを含む。ブートストラップダイオードエミュレータ回路は、ゲート、バックゲート、ソース、およびドレインを有し、そのドレインを高圧側供給ノードに結合され、そのソースを低圧側供給ノードに結合されているＬＤＭＯＳトランジスタと、ＬＤＭＯＳトランジスタのゲートに電気的に結合されているゲート制御回路と、ＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートに電気的に結合されているダイナミックバックゲートバイアス回路とを備える。ダイナミックバックゲートバイアス回路は、ＬＤＭＯＳがオンにされたときに、ＬＤＭＯＳトランジスタのドレインの電圧に近いけれども同電圧よりも僅かに低い電圧をＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートに印加することによって、ＬＤＭＯＳトランジスタのバックゲートを動的にバイアスするように動作可能である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ＰＭＳＭ駆動システムにおいて効率を改善するために推定ロータ角度を修正する方法およびシステムが提供されている。モジュールが、実行命令とトルク命令とモータの推定速度とを監視して、それに応じて、推定ロータ角度を修正するための出力補正角度を生成する。出力補正角度は、推定ロータ角度に加算されてよい。出力補正角度は、実行命令とトルク命令と速度との所定の条件に対してのみ生成されてよい。特に、出力補正角度は、（１）実行命令がアサートされた場合、（２）トルク命令が所定のレベルよりも大きい場合、かつ、（３）速度の変化が所定の範囲内である場合に生成されてよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】開示された電源は、制御信号によって制御可能でありＤＣ入力電圧から所望の出力を供給するスイッチング式変換器と、スイッチング式変換器のスイッチのゲート駆動電圧，温度測定値などをアナログ入力として受信し、アナログ入力をデジタル入力信号に変換するアナログデジタル変換器と、デジタル入力信号を受信して、スイッチを駆動する制御信号を生成するデジタルプロセッサと、デジタル入力信号をスイッチング式変換器の所望の出力に関連付けるデータを記憶して、制御信号の生成に用いるメモリ出力信号をデジタルプロセッサに提供するメモリとを備える。 （もっと読む）

【課題】ワンサイクル制御によって制御されるブリッジレスブースト（ＢＬＢ）力率補正トポロジー
【解決手段】ブリッジレスブーストトポロジーは、入力整流ブリッジに固有な損失を排除することによって、従来技術のＰＦＣシステムと比べて電力損失、コスト、および大きさを低減させる。コントローラによる入力線間電圧の検出は、不要である。ワンサイクル制御（シングルサイクル制御としても知られる）を使用すれば、ＡＣ線間電圧基準を得るための複雑な整流ネットワークを必要とせずに、力率補正機能を実現することが可能になる。双方向スイッチを使用すれば、突入電流（出力バルクコンデンサの充電を原因とするスタートアップ過電流）を制御することが可能にある。これは、過電流制限デバイスを排除すること、およびダイオードのサージ能力要求を低減させることを可能にする。ブーストインダクタをシステム入力に移動させれば、追加のフィルタリング機能が実現され、入力ＥＭＩフィルタを設けるためのコストが削減される。 （もっと読む）

【課題】ＥＰＡＳ用途またはＥＨＰＡＳ用途のためのモジュール
【解決手段】成形ボディ内に成形されたリードフレームと、リードフレームのダイパッド上に直接設けられた複数のパワー半導体デバイスと、を有する成形シェルを備えるパワーモジュールが提供される。 （もっと読む）