【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

ナノエンジニアリングを用いた構造であって、基板上に所定の空間配置でおよそ１０００以上のナノウィスカのアレイを有し、例えばフォトニックバンドギャップアレイなどに用いられ、各ナノウィスカは所定のサイトから、そのナノウィスカと最隣接ウィスカとの距離のおよそ２０％以内に位置する。アレイの形成に際し、触媒物質塊のアレイを基板上に位置決めし、熱を加えかつ気体状の物質を導入して各塊から触媒シード粒子を生成し、触媒シード粒子から所定物質のナノウィスカをエピタキシャルに成長させ、その際各塊は融解したときに基板表面との界面をほぼ同一のまま維持し、塊を前記表面を横切って移動させる力は基板表面におけるぬれ界面を介しての保持力よりも小さい。
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高移動度の導電性のナノウィスカを組み込み、ＰＮ接合を組み込んだナノ技術構造物が開示される。一つの実施形態では、第１の半導体材料のナノウィスカは第１のバンドギャップを有し、第２のバンドギャップを有する少なくとも一つの第２の材料を含むエンクロージャは、その全長の少なくとも一部に沿ってナノウィスカを囲む。前記第２の材料は、ドープされて、ナノウィスカの全長に沿った第１及び第２の領域に、互いに反対の導電型の電荷キャリアをそれぞれ与える。これにより、電荷キャリアのナノウィスカ内への移動により、互いに反対の導電型の電荷キャリアの対応する第１と第２の領域を、その両領域間にＰＮ接合を有する状態で、そのナノウィスカ内に生成する。別の実施形態では、ナノウィスカはドーパント材料を含むポリマー材料によって囲まれる。更に別の実施形態では、ナノウィスカは、二つの異なる真性材料間にヘテロ接合を有し、フェルミ順位のピンニングがドーピング無しでその接合面にＰＮ接合を生成する。
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走査プローブ顕微鏡のためのプローブ構造体は、直立したチップ部材（４，２６）の自由端部から突出しまたそのチップ部材と一体に形成されているナノウィスカーを含む。別の実施例では、データ・ストレージ媒体がナノウィスカーの配列（アレイ）とリード・ライト構造体とを含む。ナノウィスカーの各々は磁性材料で形成され、またその直径は、そのナノオウィスカー中に強磁性のシングル・ドメインが存在するほどのものであり、好ましくは、その直径が約２５ｎｍより大きくはなく、もっと望ましくは約１０ｎｍより大きくはない。リード・ライト構造体は、スピン偏極した電子流を前記配列の選択されたナノウィスカーに注入し、ナノウィスカー内の磁化の方向を検知し、又はナノウィスカーを所望の方向に磁化させるためのプローブ構造体を含む。プローブ構造体を、触媒粒子の融合物を使用してＶＬＳプロセスによって形成するとき、ウィスカーは犠牲的なセグメントを伴って形成され、そのセグメントの選択的なエッチングによって触媒材料の除去を可能にする。 （もっと読む）